美光宣布使用新型1α制造工藝生產(chǎn)的DRAM開始批量出貨，這是目前世界上最先進(jìn)的DRAM制造技術(shù)。1α制造工藝最初會用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內(nèi)存生產(chǎn)上，隨著時間的推移，未來將用于所有類型的DRAM，有望顯著降低DRAM成本。

到目前為止，美光已將其DRAM生產(chǎn)的很大一部分轉(zhuǎn)移到了1Znm節(jié)點，該節(jié)點既提供高位密度（較低的單位成本）又提供高性能。美光表示，從利潤率和產(chǎn)品組合角度來說，現(xiàn)在的感覺相當(dāng)好。美光的1α制造工藝預(yù)計將比1Z（成熟的成品率）將內(nèi)存密度提高40％，這將相應(yīng)降低生產(chǎn)者的單位成本。

此外，該技術(shù)的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α制造工藝其中很重要的一點是，印證了僅靠光刻技術(shù)的改進(jìn)，不足以使DRAM制造成本降低。像上一代產(chǎn)品一樣，美光的1α節(jié)點繼續(xù)使用6F2位線設(shè)計。

1αnm是第四代10nm級DRAM技術(shù)，是三星、SK海力士、美光2021年角逐的新一代DRAM技術(shù)，隨著美光宣布量產(chǎn)1αnm（1-alpha）DRAM產(chǎn)品，預(yù)計三星、SK海力士1αnm也將會在不久到來。

據(jù)悉，三星已在2020年基于1Znm制程技術(shù)量產(chǎn)16GbLPDDR5，并率先導(dǎo)入EUV工藝，三星也規(guī)劃將在2021年大量生產(chǎn)基于第四代10nm級（1α）EUV工藝的16GbDDR5/LPDDR5。

SK海力士新建的M16工廠也已完成EUV潔凈室的建設(shè)，待設(shè)備安裝和調(diào)試過后，預(yù)計將在2021下半年開始量產(chǎn)第四代1αnm制程DRAM。

無論是3DNAND還是DRAM技術(shù)，美光的技術(shù)進(jìn)展都非常的迅速，尤其是推出176層3DNAND之后將在2021年首季末規(guī)模化生產(chǎn)，領(lǐng)先業(yè)界。美光量產(chǎn)1αnm技術(shù)DRAM不僅僅是為了應(yīng)對市場激烈的競爭，也是為了迎接DRAM市場需求的成長。

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁斯科特·德伯爾（ScottDeBoer）表示：1αnm工藝節(jié)點體現(xiàn)了美光在DRAM方面的優(yōu)越表現(xiàn)，計劃將在2021年集中提高1αnm節(jié)點的DRAM組合產(chǎn)品，以滿足當(dāng)今DRAM市場需求，以及增強(qiáng)應(yīng)用范圍和影響力，從移動市場向汽車行業(yè)擴(kuò)展。

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