功耗是芯片制造工藝演進時備受關注的指標之一。比起7nm工藝節(jié)點，5nm工藝可以使產品性能提高15%，晶體管密度最多提高1.8倍。三星獵戶座1080、華為麒麟9000、驍龍888和蘋果的A14芯片都采取了5nm工藝制程。然而，5nm手機芯片功耗過高的問題卻于近期被媒體頻頻報道。這也不禁令人產生質疑：先進制程是否只是噱頭？芯片廠商是否還有必要花費高價和大量時間，在芯片先進制程方面持續(xù)進行研發(fā)和投入？

先進制程只是噱頭？

數(shù)據(jù)顯示，28nm工藝的設計成本為0.629億美元。隨著制程工藝的推進，芯片的設計成本迅速上升。7nm工藝節(jié)點的成本暴增至3.49億美元，5nm工藝所需成本更是高達4.76億美元。另有數(shù)據(jù)顯示，臺積電每片5nm晶圓的代工費用約為17000美元，這一數(shù)字幾乎是7nm芯片所需費用的兩倍。因為成本的壓力，許多晶圓代工廠無法參與到先進制程工藝的賽道。目前，具備先進制程芯片生產能力的代工廠，僅有臺積電、三星和英特爾三家。然而，高昂的付出卻仍然無法解決功耗問題，先進制程工藝是否只是噱頭？

“手機芯片的制程數(shù)值越小，意味著芯片晶體管尺寸進一步微縮，芯片中元器件的排列也更加密集。這使得單位面積內，芯片可集成的晶體管數(shù)目增多。此次手機芯片制程由7nm提升至5nm，使得芯片上集成的晶體管數(shù)目得到顯著提升。以華為麒麟9000芯片為例，和上一代采用7nm工藝制程的麒麟990（5G版）相比，華為麒麟9000的晶體管數(shù)目足足多了50億，總數(shù)目提高至153億。晶體管數(shù)目越多，芯片相應的運算和存儲能力也就越強，這使得芯片在程序運行加載速度、數(shù)據(jù)處理性能等方面都獲得了較為顯著的提升。除此之外，5nm手機SoC芯片更強調5G能力，5G基帶芯片的集成使其在通信性能方面獲得了明顯提升?！睆偷┐髮W微電子學院教授周鵬向記者說道。

隨著摩爾定律的發(fā)展，半導體產業(yè)本身就是一部關于創(chuàng)新的著作，里面凝聚了許多迭代創(chuàng)新的技術，當然也包括了試錯的過程。周鵬認為，5nm技術節(jié)點是目前先進半導體技術的集大成者。現(xiàn)階段，5nm技術才剛推出第一代工藝，它所面對的問題主要源于工藝的不穩(wěn)定性。在每一代工藝節(jié)點的研發(fā)中，新產品都會面臨類似的問題，這種問題的解決還需要更多研發(fā)時間的投入和技術上的改進迭代。

Gartner研究副總裁盛凌海也指出，任何新的工藝都需要有一個磨合期。隨著技術的更新迭代，出現(xiàn)的問題將得到解決。手機芯片剛剛開啟5nm時代，推出5nm手機芯片的廠商成為第一批“吃螃蟹的人”。然而，沒有吃到“螃蟹黃”，并不意味著“螃蟹肉”就不夠鮮美。隨著時間的推移和技術的演進，5nm芯片會體現(xiàn)更多優(yōu)勢，讓諸多手機廠商吃到“螃蟹黃”。

為何會出現(xiàn)功耗問題？

為何采用先進工藝制造的芯片產品容易出現(xiàn)功耗問題？周鵬介紹，目前的芯片產品越來越追求高性能，功耗的增加主要來源于“漏電”這一不可控現(xiàn)象。他表示，構成芯片的基本單元——晶體管可被視為一個控制電流的電子開關。它可以把功耗分成兩部分，即靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。動態(tài)功耗是指在開關過程中產生的功耗，而靜態(tài)功耗是指開關在關閉時，泄漏電流產生的功耗。如今5nm手機芯片出現(xiàn)功耗過高的問題，主要是泄漏電流導致的靜態(tài)功耗增加。

為提高芯片的性能，就需要把電子開關對電流通斷的控制能力提高，以加快開關的速度。這意味著，開關要在更小尺寸的情況下通過更大的電流。開關的尺寸越小，對制備工藝的要求就越高，這使得開關在關閉狀態(tài)下，會有更多泄露電流。這部分產生的功耗是不可控的，是否產生功耗將直接由工藝的穩(wěn)定性決定。要想使產品的性能提升，就需要更小的芯片制程，而芯片制程越小，就會為制造工藝帶來更大的挑戰(zhàn)。由于難以保障工藝的穩(wěn)定性，漏電現(xiàn)象會愈發(fā)明顯，功耗也會變大。

也有聲音稱，此次5nm芯片出現(xiàn)功耗問題，意味著FinFET工藝結構將不再適用于5nm芯片制程。用于3nm工藝節(jié)點的GAA工藝結構，有望提前被用在5nm芯片中。

自英特爾于2011年首次推出基于FinFET結構的22nm工藝以來，F(xiàn)inFET工藝結構已經在先進集成電路芯片中應用了十年。周鵬介紹，F(xiàn)inFET結構的提出是為了克服平面MOSFET結構下，由于源極和漏極越來越近、氧化物越來越薄所導致的漏電問題。它的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在兩個方面。一方面是可以使晶體管在更小的平面結構尺寸下，緩解漏電的問題;另一方面則是將晶體管的結構形態(tài)從二維層次突破到三維空間，提高了芯片的空間利用率。提出該結構的最終目的，是為了在單位面積內塞入更多的晶體管。

然而，隨著技術節(jié)點的進一步推進，F(xiàn)inFET結構也面臨越來越大的困難與挑戰(zhàn)。該結構的制備工藝十分復雜，會給工藝的穩(wěn)定性方面帶來一定困擾，使漏電問題無法得到有效保障。相比于三面圍柵的FinFET結構，GAA技術采用的四面環(huán)柵結構，可以更好地抑制漏電流的形成和驅動電流的增大，更有利于實現(xiàn)性能和功耗之間的平衡。

但是，周鵬也指出：“工藝的不穩(wěn)定問題對GAA結構來說也同樣存在，GAA和FinFET結構要解決的都是漏電問題。實現(xiàn)GAA工藝的難度并不比FinFET小，它的發(fā)展也需要一個技術改進的過程。GAA結構是在先進制程領域被普遍看好的工藝結構。但就目前5nm技術節(jié)點來說，不采用FinFET而采用GAA，仍是一個值得商榷的問題，畢竟GAA工藝也需要遵循一定的發(fā)展規(guī)律?！?/p>

摩爾定律將持續(xù)演進

芯片的制程越來越小，需要攻克的技術難點就越來越多，成本會變得越來越高昂，但這并不意味著摩爾定律將失效。芯片的制造工藝仍將不斷向更高制程演進。

對此，周鵬認為，芯片制程將跟隨摩爾定律的腳步不斷發(fā)展。盡管在發(fā)展的過程中，會面臨更多技術、成本帶來的問題，但是人們對芯片性能的追求已經超過了經濟成本的范疇。“在芯片發(fā)展的早期，人們面對的是一個經濟問題。這是因為集成電路芯片在發(fā)展初期，是一種需要盡快普及和應用的商業(yè)化產品，成本是其大規(guī)模應用和推廣時要面對的主要問題。每隔一段時間，單位面積的晶體管數(shù)量倍增，帶來的直接效應就是成本顯著降低。這推動了芯片的廣泛使用。尺寸微縮帶來的性能提升和功耗降低，也是為降低生產成本服務的。隨著芯片滲透至人類生活的方方面面，它已經不是可有可無的商品，而是一個必需品。人們對芯片的依賴程度越來越高，所以對芯片性能的要求已慢慢超過了對經濟成本的要求。人們愿意花更多的錢去體驗更好的性能。隨著技術天花板的到來，人們對性能的追求超過了經濟成本的范疇?！敝荠i說道。

同時，周鵬認為，隨著芯片制程發(fā)展至5nm節(jié)點以下，晶體管溝道長度將進一步縮短，晶體管中電荷的量子遂穿效應將更容易實現(xiàn)。這些不受控制的隧穿電荷，將導致晶體管產生較大的漏電流，進而使得芯片的功耗問題變得更加嚴重。

當然，這些也不是無法攻克的難題。在未來的技術發(fā)展中，為了能夠更好地控制芯片功耗，具有更強溝道電流控制能力的GAA結構，將受到更多重視。事實上，早在三年前，三星便表示將在3nm制程中引入GAA技術，并計劃于2022年正式量產。臺積電也于去年宣稱，其在2nm制程研發(fā)中有重大突破，將選擇切入GAA技術。這些都能說明GAA技術在5nm節(jié)點之后的更小的制程中，會受到業(yè)界的普遍認可和青睞。

“但值得注意的是，在半導體領域當中，任何一種技術的迭代更新都需要經歷多年的試錯和改進。GAA結構雖然在5nm以下制程中具有較為明顯的優(yōu)勢，但它是否能實現(xiàn)預期的高性能和低功耗，還要看其制程中面臨的技術難題能否被一一攻克?！敝荠i說道。

芯片還將向更先進制程發(fā)展。只要將足夠的時間留給新技術去更新迭代，很多問題都會迎刃而解。
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