如圖所示是常用的分立器件搭的電平轉(zhuǎn)換電路,具體工作過程如下:

1、當(dāng)Net1輸出高電平時,MOS管Q1的Vgs=0,MOS管關(guān)閉,Net2被電阻R2上拉到5V;
2、當(dāng)Net1輸出低電平時,MOS管Q1的Vgs=3.3V,大于導(dǎo)通電壓閾值,MOS管導(dǎo)通,Net2通過MOS管被拉低到低電平;
3、當(dāng)Net2輸出高電平時,MOS管Q1的Vgs不變,MOS管維持關(guān)閉狀態(tài),Net1被電阻R1上拉到3.3V;
4、當(dāng)Net2輸出低電平時,MOS管Q1不導(dǎo)通,MOS管先經(jīng)過體二極管把Net1拉低到低電平,此時Vgs≈3.3V,MOS管導(dǎo)通,進(jìn)一步拉低Net的電壓;
責(zé)任編輯人:CC
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電平轉(zhuǎn)換電路
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
47瀏覽量
14265 -
2N7002
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
3484
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
onsemi 2N7002W/2V7002W小信號N溝道MOSFET深度解析
onsemi 2N7002W/2V7002W小信號N溝道MOSFET深度解析 在電子電路設(shè)計中,MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路
onsemi 2N7002E小信號MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用全解析
onsemi 2N7002E小信號MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用全解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,小信號MOSFET作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天,我們就來深入探討一下安森美
探索 onsemi 2N7002DW N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
探索 onsemi 2N7002DW N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們要深入探討 onsemi 公司
2N7002KW:小封裝大能量的N溝道增強型場效應(yīng)管
(onsemi)推出的N溝道增強型場效應(yīng)管——2N7002KW。 文件下載: 2N7002KW-D.PDF 一、產(chǎn)品特點 2N7002KW采用超小型表面貼裝封裝SC - 70,卻擁有一
2N7002K N溝道增強型場效應(yīng)晶體管:特性與應(yīng)用解析
它有哪些特點和應(yīng)用場景。 文件下載: 2N7002K-FSC-D.PDF 一、產(chǎn)品特性亮點 1. 電氣性能優(yōu)勢 低導(dǎo)通電阻 :低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,晶體管的功率損耗較小,能夠有效提高電路的效率。這對于需要高效電源管理的應(yīng)用來說至關(guān)重要,比如電池供電的設(shè)備,可以延長
Onsemi 2N7002W N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管的特性與應(yīng)用解析
的 2N7002W N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管,探討它的特性、參數(shù)以及在實際設(shè)計中的應(yīng)用。 文件下載: 2N7002W-FCS-D.PDF 一、產(chǎn)品特性 1. 電氣性能優(yōu)勢 低導(dǎo)通電阻 :低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,晶體管的功
2N7002K/2V7002K小信號MOSFET:設(shè)計應(yīng)用全解析
2N7002K/2V7002K小信號MOSFET:設(shè)計應(yīng)用全解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,小信號MOSFET作為關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們就來深入探討一下2N7002K和
2N7002L與2V7002L小信號N溝道MOSFET的全面解析
2N7002L與2V7002L小信號N溝道MOSFET的全面解析 作為電子工程師,在設(shè)計電路時,MOSFET是我們常用的器件之一。今天就來詳細(xì)解析一下 onsemi 公司的
Onsemi N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 2N7000、2N7002、NDS7002A 深度解析
Onsemi N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 2N7000、2N7002、NDS7002A 深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件,Onsemi 推出的
Onsemi NTA7002N和NVTA7002N MOSFET:小信號應(yīng)用的理想選擇
Onsemi NTA7002N和NVTA7002N MOSFET:小信號應(yīng)用的理想選擇 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天,我們來詳細(xì)了解一下
探索 onsemi NTA7002N 和 NVTA7002N MOSFET:高性能小信號解決方案
設(shè)計 NTA7002N 和 NVTA7002N 具有低柵極電荷,這使得它們能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān),大大提高了電路的響應(yīng)速度。同時,其采用了僅 1.6 x 1.6 mm 的小尺寸封裝,在節(jié)省電
合科泰MOS管2N7002KM的技術(shù)原理和應(yīng)用案例
能力,以及超小尺寸設(shè)計。作為消費級電子元器件,2N7002KM為手機電平轉(zhuǎn)換和可穿戴設(shè)備GPIO保護(hù)等應(yīng)用提供了理想的解決方案。
ZSKY-2N7002-SOT-23 N溝道MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2N7002-SOT-23 N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 05-13 16:48
?0次下載
有幾種電平轉(zhuǎn)換電路,適用于不同的場景
,I2Cdata/clk腳雙方直接通訊等。當(dāng)器件的IO電壓不一樣的時候,就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換,不然無法實現(xiàn)高低電平的變化。二.電平
基于2N7002電平轉(zhuǎn)換電路的工作過程
評論