據(jù)麥姆斯咨詢報道，先進半導體晶圓產(chǎn)品和材料解決方案的全球供應商IQE在IQepiMo模板（templates）技術開發(fā)方面取得了重大的里程碑進展，助力高性能體聲波（BAW）射頻濾波器量產(chǎn)。IQE客戶的設備數(shù)據(jù)顯示，與現(xiàn)有技術相比，使用IQE模板制造的BAW濾波器表現(xiàn)出更好的性能。

自2020年11月發(fā)布公告以來，IQE已經(jīng)與潛在客戶和合作伙伴一起試用了IQepiMo產(chǎn)品。最新數(shù)據(jù)表明，與傳統(tǒng)技術相比，IQepiMo使客戶能夠實現(xiàn)改進的機電耦合系數(shù)（k2）——這是衡量射頻濾波器性能的一項關鍵指標。

初步數(shù)據(jù)顯示，在6GHz頻率下，k2增大了40%。目前，產(chǎn)業(yè)界發(fā)現(xiàn)在這些較高頻率下使用傳統(tǒng)的BAW濾波器技術很難獲得高性能。這些數(shù)據(jù)證實了使用IQepiMo可以獲得優(yōu)異的材料質(zhì)量，在5G應用的高頻范圍內(nèi)，能夠顯著提升BAW濾波器性能。

IQE及其合作伙伴仍在進行更多的試驗和測試，以進一步完善這項技術，以滿足高端BAW過濾器的各項需求。預計IQE模板將為高Sc摻雜的ScAlN BAW濾波器設計帶來明顯優(yōu)勢，該設計將在更高的5G應用頻率下形成高性能濾波器的關鍵組成部分。隨著BAW濾波器中Sc含量的增加，保證聲學材料的高質(zhì)量和高性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。IQepiMo為客戶提供了一條克服這些固有挑戰(zhàn)的途徑，同時仍然使用其當前的基礎架構和流程。

IQepiMo建立在IQE cREO技術平臺上（該平臺于2018年3月被IQE收購），可提供的模板直徑最大為200mm。

IQE首席技術官Rodney Pelzel博士表示，“IQE為廣泛的半導體行業(yè)投資研發(fā)獨特的材料技術，我們?yōu)榭蛻籼峁└倪M的5G射頻器件性能和解決方案，并且目前處于領先地位。這是我們IQepMo模板技術的關鍵里程碑，可以為客戶提供必要的手段，使他們當前的基礎架構和流程能夠提供5G濾波器所需的苛刻性能，尤其是在更高的頻率應用環(huán)境?！?/p>

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