眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。

NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，不需要電源即可保留數(shù)據(jù)。隨著用于數(shù)據(jù)中心的IT設(shè)備和服務(wù)器需要更大的存儲(chǔ)容量，盡可能多地堆疊薄層已成為NAND閃存芯片制造商的首要任務(wù)。

三星尚未公布其最新的NAND堆棧技術(shù)，該技術(shù)超越了其當(dāng)前的128層芯片，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如SK hynix，美光（Micron）和Kioxia都在爭(zhēng)相展示前沿設(shè)計(jì)。這促使分析人士認(rèn)為，存儲(chǔ)芯片巨頭可能正在失去其技術(shù)優(yōu)勢(shì)。去年11月，美國(guó)芯片制造商美光宣布開發(fā)出業(yè)界首款176層NAND閃存芯片。SK Hynix隨后在12月發(fā)布了自己的176層芯片。

日本的Kioxia最近還宣布，它與Western Digital一起成功開發(fā)了162層3D NAND。他們說，新產(chǎn)品比以前的112層技術(shù)小40％，可以提供更高的密度和更低的讀取延遲。

Objective Analysis的半導(dǎo)體行業(yè)分析師Jim Handy表示，三星在NAND閃存行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位不會(huì)很快改變，但他同意三星在堆疊更多層方面正在失去競(jìng)爭(zhēng)力?！笆堑?，三星落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。這并不是三星首次落后于NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)。我記得2012年，三星采用27納米工藝的最不先進(jìn)工藝，而其他所有人都在采用24納米工藝或25納米零件。”該分析師告訴《韓國(guó)時(shí)報(bào)》。

當(dāng)被問及三星為什么尚未宣布其新的NAND閃存具有比162或176層更高的堆棧數(shù)量時(shí)，Handy指出，該公司過于依賴單平臺(tái)技術(shù)，而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將堆棧分為兩層。

據(jù)我所知，擁有更高的堆棧是增加存儲(chǔ)容量的最有效方法。三星一直在尋求一條更艱難的道路。三星通過使用單層方法增加了層數(shù)，而其他公司則遷移到了兩層。從理論上講，單個(gè)平臺(tái)的生產(chǎn)成本應(yīng)該較低，但是開發(fā)時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)，這似乎就是三星落后的原因?！?/p>

三星預(yù)計(jì)，隨著更多智能手機(jī)的銷售，今年對(duì)NAND芯片的需求將會(huì)增加，而長(zhǎng)期的社會(huì)疏離措施也將推動(dòng)筆記本電腦等IT設(shè)備的銷售。為了滿足服務(wù)器需求，今年數(shù)據(jù)中心還將越來越多地訂購(gòu)NAND芯片。

為了更好地與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手競(jìng)爭(zhēng)，三星公司還準(zhǔn)備采用雙層方法推出第七代V-NAND，該公司首席財(cái)務(wù)官崔允浩說。

“為了向您提供有關(guān)NAND的更新，我們的單堆棧第六代V-NAND已經(jīng)完成了產(chǎn)能提升。今年，我們將擴(kuò)大生產(chǎn)。在下一代產(chǎn)品中，第七代V -NAND，我們計(jì)劃首次采用雙堆棧，”崔在一月份告訴投資者?！斑@將為我們提供行業(yè)中最小的堆疊高度的優(yōu)勢(shì)。最重要的是，通過使用我們積累的單層堆疊技術(shù)知識(shí)，我們期望即使在多層堆疊的情況下也能保持出色的成本競(jìng)爭(zhēng)力在第七代V-NAND上。”

盡管該公司有遠(yuǎn)見，但分析師表示，新方法能否使三星看到明顯更好的結(jié)果還有待觀察。

“開發(fā)單層設(shè)備比較困難，這減慢了三星的發(fā)展速度。三星表示將為其第七代V-NAND使用兩層方法。由于三星尚未生產(chǎn)兩層設(shè)備，因此，甲板上的NAND，它必須學(xué)習(xí)如何做其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)非常了解的事情。”

但是他并沒有改變他對(duì)三星將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)NAND市場(chǎng)的看法?！叭钦诒３制涫袌?chǎng)份額的領(lǐng)先地位。這是該公司的主要重點(diǎn)，因此我認(rèn)為這不會(huì)改變。在技術(shù)上，三星有時(shí)會(huì)領(lǐng)先，有時(shí)還會(huì)跟隨。如今，該公司的NAND技術(shù)落后于某些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，分析師說。

分析師表示，毫無疑問，三星將保持其在NAND閃存業(yè)務(wù)中的領(lǐng)先地位，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，對(duì)韓國(guó)公司最大的威脅可能是中國(guó)制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

YMTC去年宣布開發(fā)128層3D NAND，從而在存儲(chǔ)芯片行業(yè)大放異彩。該公司并未正式宣布它有能力批量生產(chǎn)該產(chǎn)品，但是128層NAND的成功開發(fā)可能會(huì)增加其在該行業(yè)的占有率。

這位分析師表示，在中國(guó)管理者努力使中國(guó)成為芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者之一的支持下，YMTC有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增長(zhǎng)。

他說：“三星在NAND閃存中最大的長(zhǎng)期威脅是中國(guó)的YMTC。YMTC擁有令人難以置信的資本來籌集新的生產(chǎn)設(shè)施。” “只要該公司學(xué)習(xí)如何大量生產(chǎn)NAND閃存，它就會(huì)通過搶占其他NAND閃存制造商的市場(chǎng)份額而迅速增長(zhǎng)。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，我相信三星可能會(huì)失去其排名第一的地位。”
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