chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

如何增加半導體產能利用率?

我快閉嘴 ? 來源:半導體行業(yè)觀察 ? 作者:半導體行業(yè)觀察 ? 2021-03-01 15:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

為了滿足當前全球芯片短缺期間不斷增長的需求,半導體行業(yè)正在大幅提高其晶圓廠產能利用率,該術語是指在任何給定時間使用的總可用制造能力的百分比。但是,提高半導體容量利用率需要時間。這并不像“翻轉開關”并在一夜之間增加芯片輸出那樣容易。

當市場需求高漲時,例如像現(xiàn)在這樣的周期性市場回升中,前端半導體制造設施或晶圓廠的產能利用率通常會超過80%,而某些個別晶圓廠的產能利用率可能會高達90-100%。如下表所示,在過去兩年中,該行業(yè)一直在穩(wěn)步提高整體晶圓廠利用率,并估計在2021年的大部分時間里利用率將進一步提高以滿足需求。更高的晶圓廠利用率將增加芯片產量,并使整個行業(yè)完全滿足市場不斷增長的需求。

不幸的是,增加半導體產能利用率需要時間,因為半導體的生產極其復雜。制造一塊芯片的過程非常復雜,它需要高度專業(yè)化的投入和設備才能以微型規(guī)模實現(xiàn)所需的精度。僅半導體硅片的整體制造中就可以有多達1,400個處理步驟(取決于處理的復雜程度)。而且每個過程步驟通常都涉及使用各種高度復雜的工具和機器。簡而言之,制造半導體非常困難,因此需要時間。

那么為客戶制造芯片需要多少時間?調研顯示,晶圓廠為客戶制造成品芯片可能需要長達26周的時間。主要的原因如下:制造完成的半導體晶圓的周期時間平均大約需要12周,而先進工藝則可能需要14-20周。要完善芯片的制造工藝以提高產量和產量需要花費更多的時間-大約24周。

然后,一旦制造過程完成,硅片上的半導體就需要經過最后一個生產階段,稱為后端組裝,測試和封裝(ATP),然后再將芯片最終制成并準備好交付給制造商。終端客戶。ATP可能需要另外6周才能完成。因此,從客戶下訂單到收到最終產品的交貨時間最多可能需要26周。下表提供了芯片制造過程中所需的一些平均時間。

這最終意味著半導體行業(yè)目前正在短期內盡其所能以提高利用率并滿足汽車行業(yè)乃至所有客戶的日益增長的需求。通過強制誰獲得芯片和誰沒有芯片來迫使行業(yè)選擇贏家和輸家不會克服上述制造半導體的時間常數(shù)。

半導體行業(yè)在復雜的供應鏈中擁有豐富的經驗,可以成功地應對當前需求環(huán)境的挑戰(zhàn)。例如,除了提高利用率,提高產量和產量外,半導體公司還建立了指揮中心,以協(xié)助最緊急的客戶要求,并與客戶緊密合作以確保不加倍訂購。這些策略有助于在這個充滿挑戰(zhàn)的時期向客戶提供最快,最有效的產品交付。

從長遠來看,全球晶圓廠的總產能最終將需要增加,以滿足僅通過提高利用率仍無法滿足的芯片的長期需求增長。因此,全球半導體行業(yè)正計劃通過在制造和研發(fā)方面的投資達到創(chuàng)紀錄的水平,來滿足未來幾年這一預期的市場增長。
責任編輯:tzh

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    460

    文章

    52520

    瀏覽量

    440880
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28916

    瀏覽量

    237876
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5165

    瀏覽量

    129792
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    功率半導體價格觸底,下游需求回暖!多家廠商上半年業(yè)績預期實現(xiàn)增長

    電子發(fā)燒友網報道(文/李彎彎)近日,華潤微在接受機構調研時表示,公司代工及自有產品的產能利用率均滿載,產品價格觸底企穩(wěn);同時,公司上半年已針對部分 MOSFET、IGBT 等產品上調了價格。華潤微
    的頭像 發(fā)表于 08-01 01:18 ?5036次閱讀

    海光DCU率先展開文心系列模型的深度技術合作 FLOPs利用率(MFU)達47%

    海光DCU實現(xiàn)文心4.5模型高效適配; FLOPs利用率突破47%。 2025年6月30日,在百度文心4.5系列大模型正式開源當日,海光信息技術股份有限公司宣布其深度計算單元(DCU)率先完成對該系
    的頭像 發(fā)表于 07-01 14:35 ?563次閱讀

    拼版怎么拼好,板廠經常說利用率太低,多收費用?

    做板的時候,板廠經常說我拼版利用率太低,要多收取費用,哪位大神知道怎么算利用率
    發(fā)表于 05-14 13:42

    mes工廠管理系統(tǒng):如何讓設備利用率提升50%?

    在制造業(yè)競爭日益激烈的今天,設備利用率直接決定了企業(yè)的盈利能力。許多工廠管理者都在思考同一個問題:如何在不增加設備投資的情況下,讓現(xiàn)有產能發(fā)揮出最大價值?MES工廠管理系統(tǒng)正是解決這一難題的金鑰匙
    的頭像 發(fā)表于 05-09 15:55 ?203次閱讀
    mes工廠管理系統(tǒng):如何讓設備<b class='flag-5'>利用率</b>提升50%?

    DeepSeek MoE架構下的網絡負載如何優(yōu)化?解鎖90%網絡利用率的關鍵策略

    、All-to-All等),網絡面臨高并發(fā)、低延遲、無損傳輸?shù)膰揽列枨蟆H欢?,傳統(tǒng)以太網的網絡利用率長期徘徊在35%~40%,成為制約AI算力釋放的關鍵瓶頸。
    的頭像 發(fā)表于 04-28 12:04 ?385次閱讀
    DeepSeek MoE架構下的網絡負載如何優(yōu)化?解鎖90%網絡<b class='flag-5'>利用率</b>的關鍵策略

    上汽英飛凌無錫擴建功率半導體項目 投資3.1億元提升產能!

    近日,上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司發(fā)布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環(huán)境影響評價(環(huán)評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣,計劃選址于無錫分公司,旨在進一步提升其生產能
    的頭像 發(fā)表于 04-21 11:57 ?428次閱讀
    上汽英飛凌無錫擴建功率<b class='flag-5'>半導體</b>項目 投資3.1億元提升<b class='flag-5'>產能</b>!

    三星平澤晶圓代工產線恢復運營,6月沖刺最大產能利用率

    據媒體最新報道,韓國三星電子的晶圓代工部門已正式解除位于平澤園區(qū)的晶圓代工生產線的停機狀態(tài),并計劃在今年6月將產能利用率提升至最高水平。這一舉措標志著三星在應對市場波動、調整產能策略方面邁出了重要一步。
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:00 ?567次閱讀

    功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1027次閱讀
    功率器件熱設計基礎(十二)——功率<b class='flag-5'>半導體</b>器件的PCB設計

    源網荷儲充一體化,提高能源利用率和電網消納能力

    是基于物聯(lián)網和大數(shù)據技術的充電設施管理系統(tǒng),可實現(xiàn)對充電樁的監(jiān)控、調度和管理提高充電樁的利用率和充電效率,提升用戶充電體驗和服務質量
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:24 ?1206次閱讀
    源網荷儲充一體化,提高能源<b class='flag-5'>利用率</b>和電網消納能力

    功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?792次閱讀
    功率器件熱設計基礎(十一)——功率<b class='flag-5'>半導體</b>器件的功率端子

    功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數(shù)

    樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?982次閱讀
    功率器件熱設計基礎(十)——功率<b class='flag-5'>半導體</b>器件的結構函數(shù)

    華納云:什么是負載均衡?優(yōu)化資源利用率的策略

    負載均衡是現(xiàn)代計算機網絡架構中不可或缺的一部分,它通過智能分配請求和任務,確保系統(tǒng)資源的高效利用。本文將探討負載均衡的概念、工作原理、優(yōu)化資源利用率的策略及其在實際應用中的重要性。 1. 什么是負載
    的頭像 發(fā)表于 10-28 16:07 ?612次閱讀

    功率器件熱設計基礎(一)——功率半導體的熱阻

    功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1728次閱讀
    功率器件熱設計基礎(一)——功率<b class='flag-5'>半導體</b>的熱阻

    交換機內存利用率過高會是什么問題

    在現(xiàn)代網絡架構中,交換機扮演著至關重要的角色,負責在網絡設備之間高效地轉發(fā)數(shù)據包。然而,隨著網絡規(guī)模的擴大和數(shù)據流量的增加,交換機的內存資源可能會變得緊張,導致內存利用率過高。這種情況如果不加
    的頭像 發(fā)表于 10-18 09:53 ?2175次閱讀

    華虹半導體第二季度產能利用率提升至97.9%,12英寸晶圓產能持續(xù)擴張

    華虹半導體近日公布的第二季度業(yè)績報告令人矚目,展現(xiàn)出強勁的增長勢頭。據報告,該季度公司實現(xiàn)銷售收入4.785億美元,環(huán)比增長顯著,同時毛利率達到10.5%,亦實現(xiàn)環(huán)比增長,且優(yōu)于預期指引。這一成績的取得,不僅彰顯了華虹半導體半導體
    的頭像 發(fā)表于 08-12 11:07 ?830次閱讀