2021年3月5日消息，近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所的研究人員提出了一種基于厚掩模模型和社會學(xué)習(xí)的極紫外光刻（EUVL）源掩模優(yōu)化（SMO）技術(shù)粒子群優(yōu)化（SL-PSO）算法。

該方法的仿真表明，該技術(shù)比基于啟發(fā)式算法的類似方法更有效。

研究人員說，隨著集成電路關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，對精度和最佳性能的要求越來越嚴(yán)格。計算光刻在不改變光刻系統(tǒng)本身的硬件或軟件配置的情況下提高了性能，而是通過優(yōu)化當(dāng)前的光源，數(shù)學(xué)模型和算法來提高其性能。

SMO是一種計算光刻技術(shù)，可同時優(yōu)化照明源和掩模圖案，以提高成像質(zhì)量。

EUVL已被應(yīng)用于5納米制程節(jié)點的大批量生產(chǎn)，而SMO對這項技術(shù)的功能至關(guān)重要。

為了改進該技術(shù)，研究人員提出了一種基于厚掩模模型和SL-PSO算法的EUVL SMO方法。研究人員在模擬中測試的方法使用了基于結(jié)構(gòu)分解方法（SDM）的快速厚模型。SDM通過描述入射光在吸收體和多層中的傳播來計算掩模光譜。

盡管已經(jīng)對SDM進行了廣泛的研究，但研究人員表示，尚未對像素化相位掩模（本身就是一種分辨率增強技術(shù)）進行廣泛的研究。

SL-PSO算法優(yōu)化了源代碼和掩碼模式，社交學(xué)習(xí)策略提高了系統(tǒng)效率。另外，調(diào)整后的初始化參數(shù)控制了算法中的初始群。這改善了掩模的可制造性。

仿真結(jié)果表明，與其他啟發(fā)式算法相比，該方法具有更快，更有效的效果。圖案誤差顯著降低，成像保真度得到改善。使用位于環(huán)縫不同位置的圖案進行的仿真表明，該方法不僅提高了成像保真度，而且減輕了陰影效果。

未來的研究將集中于通過增加掩模像素數(shù)量來提高優(yōu)化效率，以及消除晶圓散焦平面上的圖案偏移。

這項研究發(fā)表在《光學(xué)快報》上。
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