chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于NOR Flash的幾大應(yīng)用領(lǐng)域淺析

電子工程師 ? 來(lái)源:搜狐網(wǎng) ? 作者:英尚微電子 ? 2021-03-23 14:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。而NOR Flash“讀寫(xiě)速度快、可靠性高、使用壽命長(zhǎng)”,多用來(lái)存儲(chǔ)少量代碼。

近一兩年的NOR Flash市場(chǎng)得到了飛速增長(zhǎng)。該增速主要得益于汽車(chē)電子物聯(lián)網(wǎng)、5G智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動(dòng)。本篇文章存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子介紹主要帶給NOR Flash市場(chǎng)增量的幾大應(yīng)用領(lǐng)域:

(1)消費(fèi)電子智能手機(jī)及周邊設(shè)備也催生了大量需求。例如智能手機(jī)跟可穿戴式設(shè)備的配合跟藍(lán)牙耳機(jī)/智能音響的配合等。這些設(shè)備一方面需要采集用戶的數(shù)據(jù)信息,例如位置信息、心率信息等,另一方面也需要把外界數(shù)據(jù)傳輸給用戶,比如音樂(lè)、視頻與通話等。這些都離不開(kāi)NOR Flash代碼存儲(chǔ)芯片的支撐。到2021年僅TWS耳機(jī)就可為NOR Flash帶來(lái)5.8億美元的市場(chǎng)。

(2)物聯(lián)網(wǎng):伴隨著5G基站的高密度布局,物聯(lián)網(wǎng)對(duì)NOR Flash將是一個(gè)長(zhǎng)期利好。萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的數(shù)據(jù)流源源不斷,人與人之間、人與設(shè)備之間、人與云端服務(wù)器之間、設(shè)備與設(shè)備之間的各種數(shù)據(jù)交互都會(huì)產(chǎn)生海量的IoT節(jié)點(diǎn)且這些節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的設(shè)備都要用到NOR Flash。

(3)車(chē)載:小到汽車(chē)攝像頭大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對(duì)NOR Flash有大量需求。到2021年僅在ADAS領(lǐng)域NOR Flash的市場(chǎng)空間就將達(dá)到6.7億美元。

(4)工業(yè)領(lǐng)域:如國(guó)內(nèi)三表市場(chǎng)(外加北方熱表)對(duì)NOR Flash需求上升,其中基于國(guó)內(nèi)最新規(guī)范的IR46智能電表,對(duì)NOR Flash的采購(gòu)量會(huì)很快出現(xiàn)。

(5)5G、通訊設(shè)備:5G基站、微基站催生出了各種各樣的節(jié)點(diǎn)設(shè)備,5G 還加速推動(dòng)了工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、邊緣計(jì)算的發(fā)展,這些應(yīng)用都離不開(kāi)NOR Flash。“物聯(lián)網(wǎng)+5G”帶動(dòng)的norflash市場(chǎng)空間將在2020年達(dá)到1.2億美元,在2021年達(dá)到2.2億美元。

(6)手機(jī)屏幕:主要體現(xiàn)在TDDI(觸控和顯示驅(qū)動(dòng)集成)對(duì)小容量2Mb/4Mb NOR Flash的采用以及AMOLED對(duì)8Mb-32Mb NOR Flash的需求增加等。

AMOLED需要外掛一顆8Mb(Full HD)或32Mb(QHD)的NOR Flash進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償,而全面屏手機(jī)則傾向于采用TDDI方案,需外掛一顆NOR Flash用于存儲(chǔ)觸控功能所需的分位編碼。
編輯:lyn

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 物聯(lián)網(wǎng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2931

    文章

    46251

    瀏覽量

    392615
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1360

    文章

    48815

    瀏覽量

    573875
  • NOR flash
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    94

    瀏覽量

    23466
  • 工業(yè)領(lǐng)域
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    22

    瀏覽量

    8424
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    KIT_XMC45_RELAX_V1 中的 NOR Flash VCC 電流如何測(cè)量?

    my-d?喜歡測(cè)量電路板上僅 NOR Flash 的 VCC 電流消耗 - KIT_XMC45_RELAX_V1 。 但我找不到任何測(cè)試點(diǎn)來(lái)這樣做。 請(qǐng)建議我如何才能以最準(zhǔn)確的方式做到這一點(diǎn)。
    發(fā)表于 07-15 07:00

    Nor flash芯片低溫?zé)o法啟動(dòng)

    關(guān)于針對(duì)NOR Flash芯片在低溫環(huán)境下無(wú)法啟動(dòng)的問(wèn)題,詳細(xì)分析與解決方案如下所述: 1. 低溫失效原因分析 1.1 半導(dǎo)體物理特性變化 閾值電壓(Vth)漂移:低溫下MOSFET閾值電壓升高(約
    的頭像 發(fā)表于 06-30 17:23 ?153次閱讀
    <b class='flag-5'>Nor</b> <b class='flag-5'>flash</b>芯片低溫?zé)o法啟動(dòng)

    兆易創(chuàng)新專訪:SPI NOR Flash全面賦能AI與汽車(chē)電子創(chuàng)新?

    在2025慕尼黑上海電子展上,兆易創(chuàng)新(GigaDevice)展示了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與市場(chǎng)布局。作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè),兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI終端、汽車(chē)電子
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:12 ?1829次閱讀
    兆易創(chuàng)新專訪:SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>全面賦能AI與汽車(chē)電子創(chuàng)新?

    存儲(chǔ)技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;門(mén)道之爭(zhēng)&quot;

    門(mén)電路玄機(jī) NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代 NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)布,開(kāi)創(chuàng) "低成本比特" 存儲(chǔ)新紀(jì)元 共性特征
    的頭像 發(fā)表于 03-18 12:06 ?534次閱讀

    人工智能視覺(jué)識(shí)別技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域及場(chǎng)景

    人工智能視覺(jué)識(shí)別技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域及場(chǎng)景
    的頭像 發(fā)表于 03-14 11:41 ?1057次閱讀

    AMEYA360:兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

    將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗,GD25NE系列可充分滿足市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)嵌入式存儲(chǔ)解決方案日益增長(zhǎng)的需求,成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。 GD25NE系列SPI NOR
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:03 ?420次閱讀

    兆易創(chuàng)新GD25NE系列SPI NOR Flash:專為1.2V SoC打造,雙電壓供電助力讀功耗減半

    進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗,GD25NE系列可充分滿足市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)嵌入式存儲(chǔ)解決方案日益增長(zhǎng)的需求,成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。 GD25NE系列SPI NOR
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:11 ?746次閱讀

    多線示波器的原理和應(yīng)用領(lǐng)域

    多線示波器是一種電子測(cè)量?jī)x器,其原理和應(yīng)用領(lǐng)域可以歸納如下:一、原理多線示波器在普通示波器原理的基礎(chǔ)上,采用了雙線(或多線)示波法。這種方法使得示波器能夠同時(shí)顯示多個(gè)波形。其基本原理是,示波器利用
    發(fā)表于 01-07 15:34

    羅徹斯特電子為傳統(tǒng)應(yīng)用提供卓越的內(nèi)存支持 為并行NOR Flash提供持續(xù)供貨支持

    為并行NOR Flash提供持續(xù)供貨支持 憑借羅徹斯特電子的生產(chǎn)能力,能夠持續(xù)供應(yīng)并行NOR Flash。不論是傳統(tǒng)還是成熟產(chǎn)品對(duì)于此類產(chǎn)品都有持續(xù)需求。通過(guò)戰(zhàn)略性安排,羅徹斯特電子購(gòu)
    發(fā)表于 12-17 10:33 ?308次閱讀

    無(wú)線壓力傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?

    無(wú)線壓力傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
    的頭像 發(fā)表于 11-28 10:13 ?937次閱讀

    基于NXP MCXA153 MCU實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD NOR Flash驅(qū)動(dòng)

    在嵌入式系統(tǒng)中,片上Flash存儲(chǔ)器是一個(gè)關(guān)鍵組件,用于存儲(chǔ)程序代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)。本文將詳細(xì)介紹如何在NXPMCXA153 MCU上實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD (Memory Technology Device) NOR Flash
    的頭像 發(fā)表于 11-09 14:00 ?1165次閱讀
    基于NXP MCXA153 MCU實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>驅(qū)動(dòng)

    柔性測(cè)試技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域

    柔性測(cè)試技術(shù)是以多種相關(guān)技術(shù)為基礎(chǔ),可滿足復(fù)雜、多樣化的測(cè)試測(cè)量需求的系統(tǒng)化技術(shù)。它的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,涵蓋了多個(gè)重要行業(yè),以下是關(guān)于柔性測(cè)試技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的介紹: 一、航空航天領(lǐng)域 在航空
    的頭像 發(fā)表于 10-08 18:03 ?1126次閱讀

    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲(chǔ)方案詳解_SPI NOR Flash

    物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中為什么要使用SPI NOR FLASH 物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中使用SPI NOR FLASH的原因主要基于其獨(dú)特的性能特點(diǎn)和在嵌入式系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。以下是詳細(xì)的分析: 1、高可靠性
    的頭像 發(fā)表于 09-24 14:39 ?1139次閱讀
    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲(chǔ)方案詳解_SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>

    光耦的應(yīng)用領(lǐng)域

    光耦的應(yīng)用領(lǐng)域 光耦是一種特殊的電子組件,具有很多特性。它可以用來(lái)取代傳統(tǒng)的電阻器,如電池、電感器和電容器等。在半導(dǎo)體工業(yè)中,使用光耦能夠減少工藝步驟,提高生產(chǎn)效率。 一.光耦的特性 1.隔離性好
    發(fā)表于 08-26 16:59

    NAND FlashNOR Flash哪個(gè)更好

    在討論NAND FlashNOR Flash哪個(gè)更好時(shí),我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析,包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景、成本效益以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等。
    的頭像 發(fā)表于 07-29 16:59 ?2566次閱讀