場效應(yīng)管廠商：成都方舟微電子有限公司簡介
公司名稱：成都方舟微電子有限公司
所屬地區(qū)：四川省
廠商類型：設(shè)計(jì)廠商
公司網(wǎng)站：http://www.ark-micro.com/
公司簡介
成都方舟微電子有限公司（ARK Microelectronics Co.， Ltd.）是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件開發(fā)和銷售的無晶圓廠設(shè)計(jì)公司（Fabless Design House）。公司的核心業(yè)務(wù)為功率管理產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二極管和功率集成電路等，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率管理領(lǐng)域。當(dāng)前方舟微電子的目標(biāo)市場為消費(fèi)電子、信息技術(shù)、工業(yè)電子、汽車電子和家用電器等。
公司產(chǎn)品
場效應(yīng)管
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
53867瀏覽量
463218 -
電子元器件
+關(guān)注
關(guān)注
134文章
3864瀏覽量
113502 -
場效應(yīng)管
+關(guān)注
關(guān)注
47文章
1290瀏覽量
70952 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2779瀏覽量
75969
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
中科微電：場效應(yīng)管領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來便以
深度解析場效應(yīng)管ZK60N50T：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開關(guān)器件，其性能直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性
中科微電ZK60N20DG場效應(yīng)管：60V/20A的高效能半導(dǎo)體解決方案
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場景的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-23 15:03
?2次下載
合科泰高壓場效應(yīng)管HKTD5N50的核心優(yōu)勢
在工業(yè)自動(dòng)化的精密控制系統(tǒng)中，變頻器作為電機(jī)調(diào)速的核心部件，其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導(dǎo)體針對中小功率變頻驅(qū)動(dòng)場景，推出HKTD5N50 高壓場效應(yīng)管，以 500V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及快速開關(guān)特性，成為風(fēng)機(jī)、水泵等流體控制設(shè)備的理想驅(qū)動(dòng)方案。
貼片MOS場效應(yīng)管型號如何識別？
貼片MOS場效應(yīng)管型號的識別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M(jìn)行，以下是具體方法： 一、型號命名規(guī)則解析 貼片MOS管的型號通常由制造商標(biāo)識、基本型號、功能標(biāo)識、封裝形式及技術(shù)參數(shù)組成，常見
微碩WINSOK場效應(yīng)管新品 助力無線充性能升級
截至2025年，消費(fèi)電子行業(yè)已成為中國無線充電器（以下簡稱無線充）應(yīng)用的重要陣地之一。在無線充電技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，無線充電器的性能和效率成為了眾多廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。而微碩WINSOK場效應(yīng)管新品
微碩WINSOK場效應(yīng)管新品，助力無刷電機(jī)性能升級！
截至2025年，消費(fèi)電子行業(yè)已成為中國無刷電機(jī)應(yīng)用的重要陣地之一。在無刷電機(jī)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了場效應(yīng)管（以下簡稱MOS管）設(shè)計(jì)的重要方向。DFN5*6封裝，以其優(yōu)異
川土微電子股份有限公司創(chuàng)立大會(huì)順利召開
近日，川土微電子迎來發(fā)展史上的重要里程碑——上海川土微電子股份有限公司（以下簡稱“川土微電子”）創(chuàng)立大會(huì)順利召開！自2016年創(chuàng)立以來，川土微電子
百企行 | 中科億海微電子科技（蘇州）有限公司
近日，賽迪2025年“工控中國”百企行調(diào)研組前往中科億海微電子科技（蘇州）有限公司（以下簡稱中科億海微）調(diào)研，雙方就國產(chǎn)FPGA芯片的行業(yè)現(xiàn)狀、技術(shù)積累、產(chǎn)業(yè)化及產(chǎn)品化成果等方面進(jìn)行了深入研討，同時(shí)
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
場效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢壘結(jié)。
晶華微成都分公司正式成立
近日，杭州晶華微電子股份有限公司（股票代碼：688130）戰(zhàn)略版圖再添新章，成都分公司正式成立。公司董事長呂漢泉先生、總經(jīng)理梁桂武先生、副總
LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-25 18:04
?0次下載
深度解析：原裝佳訊電子 CS9N50A2 場效應(yīng)管，9A 500V TO-220F 封裝，性能如何？
CS9N50A2 是佳訊電子（JIAXUN）推出的高性能場效應(yīng)管（MOS管），采用 TO-220F 封裝，具備 9A 連續(xù)電流承載能力 和 500V 高耐壓 特性。作為原裝正品，其核心優(yōu)勢在于 低功耗、高可靠性，專為嚴(yán)苛的工業(yè)與
工商網(wǎng)監(jiān)
評論