從去年下半年開始，TCXO溫補晶振變得炙手可熱。今天，我們繼續(xù)討論一下溫度控制的晶體振蕩器。

在我們的振蕩器系列中，使用烤箱控制的有晶體振蕩器（OCXO）和溫度補償晶體振蕩器（TCXO）。在之前的TCXO文章中，我們介紹了TCXO的性能和補償類型，那大家知道TCXO晶振四種常見類型嗎？

TCXO晶振的4種類型

ADTCXO：是一種模擬數(shù)字TCXO。這種形式的TCXO溫補晶振已廣泛用于手機中這使用模擬技術(shù)為振蕩器提供溫度校正。它具有以下優(yōu)點：變化緩慢發(fā)生并且沒有像某些全數(shù)字類型那樣經(jīng)歷相位跳躍。

DTCXO：另一種數(shù)字TCXO。它使用溫度傳感器然后邏輯和數(shù)學函數(shù)使用數(shù)字電路和查找表。使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器到的數(shù)字校正圖轉(zhuǎn)換為模擬信號。

DCXO：這是一種振蕩器，其中任何校正都由設備內(nèi)的主處理器計算通過這種方式。TCXO石英晶體振蕩器不是單獨的實體，但是處理結(jié)合在整個設備的處理中這有助于在某些情況下節(jié)省成本。

MCXO：這種形式的TCXO石英晶體振蕩器使用微處理器提供顯著提高的處理水平，以在各種情況下提供更準確的補償。雖然性能稍好一些，但成本卻高于其他形式。

現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)更深入地研究TCXO。接下來我們將討論TCXO的五個關(guān)鍵要素以及溫度的影響。

通過在TCXO的晶體振蕩器模塊中應用溫度補償，可以大大提高振蕩器的基本性能。

如何最小化溫度的影響

盡管晶體振蕩器提供了高度穩(wěn)定的振蕩器形式，但它們?nèi)允軠囟扔绊憽恼麄€生長的晶體中切出實際的晶體元素可以幫助最小化溫度的影響，但它們?nèi)詴艿揭欢ǔ潭鹊挠绊?。對于AT切割的晶體，可以在正常環(huán)境溫度附近將隨溫度變化的漂移降至最低，但漂移速率將在該溫度之上和之下升高（見圖1）。

圖1：石英晶體的典型頻率和溫度曲線

溫度的影響在很大程度上是可重復的和可定義的。因此，可以使用溫度補償晶體振蕩器（TCXO）補償許多影響。

TCXO解決方案

TCXO調(diào)整振蕩器的頻率以補償溫度變化而發(fā)生的變化。為此，TCXO的主要元件是壓控晶體振蕩器（VCXO）。它連接到一個檢測溫度并向振蕩器施加小的校正電壓的電路（見圖2）。

圖2：TCXO結(jié)構(gòu)圖

TCXO的5個關(guān)鍵元件

整個TCXO溫補晶振由五個不同的元素組成：

01 補償網(wǎng)絡

補償網(wǎng)絡是整個系統(tǒng)運行的關(guān)鍵。振蕩器溫度頻率響應的近似曲線如上所示。實際曲線可近似在3的形式表示第三階多項式表達，盡管更精確的表示考慮了一些非線性和工程以接近5個階多項式。補償網(wǎng)絡需要感測溫度并產(chǎn)生與此相反的電壓（見圖3）。

圖3：TCXO補償電壓

早期的設計將使用模擬電路，并且通常直接使用電容器，電阻器和熱敏電阻的網(wǎng)絡來直接控制振蕩頻率。這種類型的電路包括補償網(wǎng)絡和晶體頻率拉動。

當前的技術(shù)通常采用間接補償方法，其中在補償網(wǎng)絡中感測溫度，并且產(chǎn)生電壓，該電壓提供與溫度曲線相反的頻率變化。

這可以通過使用模擬組件來實現(xiàn)，但是當前技術(shù)通常會結(jié)合某種形式的數(shù)字信號處理（DSP），以產(chǎn)生更準確的響應，并可能通過對具有特定響應的ROM進行編程來分別對單元進行線性化處理。

DSP電路通常包含在特殊的ASIC中，因此可以對其進行定制以適合應用，而不會消耗太多電流。

02 振蕩器上拉電路

一旦產(chǎn)生電壓，就將其施加到可以拉低晶體振蕩器頻率的電路上。通常，它包含一個變?nèi)?a target="_blank">二極管和一些低通濾波。

03 晶體振蕩器

所述晶體振蕩器電路通常是一個標準的電路，而是一個被設計成得到的操作條件用于與理想驅(qū)動水平等晶體。

04 穩(wěn)壓器

為了防止外部電壓變化引起不希望的頻率偏移，整個TCXO應該裝有一個電壓調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器本身不應引起不希望的溫度影響。

05 緩沖放大器

需要一個緩沖放大器來增加輸出驅(qū)動。它應該為晶體振蕩器提供隔離，使其免受可能看到的任何外部負載變化的影響。

TCXO通常進行外部調(diào)整，以使頻率能夠定期重置。這使得能夠消除晶體老化的影響。校準調(diào)整之間的時間間隔取決于所需的精度，但通常可能為六個月或一年。如果需要非常高的精度，則可以使用更短的時間。

編輯：jq