mos管工作原理

MOS管（MOSFET）名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制器件，也是單極型器件。場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，兩者都屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

MOS管的Source（源極）和Drain（耗盡層）可對調(diào)，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

增強(qiáng)型：當(dāng)VGS=0時(shí)，漏源沒有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下沒有iD

耗盡型：當(dāng)VGS=0時(shí)，漏源有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下有iD

N溝道增強(qiáng)型MOS管：

VGS=0，存在一個(gè)PN結(jié)反偏，不存在導(dǎo)電溝道，則iD=0，VGS》0，管子才能工作。

VGS》0，P區(qū)表面將形成導(dǎo)電溝道，反型層變厚導(dǎo)致VDS上升，iD隨之上升

N溝道耗盡型MOS管：

制造時(shí)在柵極絕緣層中有大量正離子，當(dāng)VSG=0，兩個(gè)N區(qū)仍存在導(dǎo)電溝道

P溝道增強(qiáng)型MOS管：

VGS=0時(shí)，iD=0，開啟電壓《0，當(dāng)VGS《0時(shí)，管子才能工作

P溝道耗盡型MOS管：

制造時(shí)在柵極絕緣層中有大量負(fù)離子，當(dāng)VSG=0，兩個(gè)N區(qū)仍存在導(dǎo)電溝道

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