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GaN越來越重要的原因有哪些

安森美 ? 來源:Qorvo半導體 ? 作者:Qorvo半導體 ? 2021-08-13 14:26 ? 次閱讀
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在早前于四川成都舉辦的 2021 中國西部微波射頻技術研討會上,Qorvo 基礎建設事業(yè)部高級銷售經理 Kevin He 發(fā)表了一個題為《基于5G 基站的毫米波技術和解決方案》的演講。

在演講中他首先說道,自 2015 年開始,通信系統(tǒng)開始了快速演進。這主要集中體現(xiàn)在兩個方面:一方面是頻率不斷提高,另一方面是頻帶不斷增寬,這種改變的帶來的好處就是能給終端用戶帶來更高的傳輸速率。

同時,在這個演進過程,也給相關的射頻元器件也提出了更高的需求,線性就是其中一個代表。因為你的速率越高,頻帶越寬,對器件的線性要求就越高。

“從數(shù)據(jù)上看,現(xiàn)在的通信系統(tǒng)能夠提供 2Gbps,甚至 5Gbps 以上的速度,這給器件,尤其是射頻 PA 方面帶來的挑戰(zhàn)相當大?!盞evin He 強調。

Kevin He 進一步指出,以國內為例,現(xiàn)在的 5G 都是在 Sub-6Ghz 的頻段運行。但因為擁有更高的傳輸速率,全球都對毫米波有了更高的關注度。伴隨著速度的進一步增加,相關器件面臨的挑戰(zhàn)也明顯提升。雖然過去這兩年,毫米波發(fā)展非常迅猛,但商用的比例并不是很高,這與供應鏈和器件目前還沒有足夠成熟有很大的關系。

據(jù) Kevin He 介紹,從基站側看,毫米波的使用的使用場景有幾種:

一種是 EIRP(Effective Isotropic Radiated Power,等效全向輻射功率)為 65dBm 的應用,這是面向城市的、功率比較大的應用的。它對垂直或水平的波束掃描都有要求;

第二種功率也是 65 dBm,面向的應用場景是在郊區(qū)。因為這種場景對垂直高度樓宇的需求會少一些,所以它基本是一種水平波束掃描、這種情況下對天線陣列數(shù)量需求的復雜度會降低;

第三種是室內型的低功率應用,這種應用的功率為 45 dBm,相對較小,波束掃描基本上是垂直和水平掃描;最后一種是室內型的小站,其功率從 45dBm 到 52dBm 不等,其天線陣列更簡單。

Kevin He 認為,雖然現(xiàn)在毫米波的需求還比較少,但從市場的發(fā)展來看,提前發(fā)展相關技術是非常有必要的一個事情。因為毫米波與 Sub6 Ghz 是一個相互補充的關系,其中 Sub-6Ghz 是用來做廣域覆蓋的,而毫米波則在一些熱點、傳輸回傳等應用上有比較大的優(yōu)勢。這兩種 5G 技術相互結合為,為客戶提供完美的體驗。

“作為一個擁有晶圓、封裝、硬件和軟件的全產業(yè)鏈供應企業(yè),Qorvo 能夠幫助開發(fā)者解決 5G 帶來的問題?!盞evin He 說。

據(jù)介紹,從器件層面看,5G 毫米波帶給 PA 的挑戰(zhàn)體主要體現(xiàn)在線性度和效率兩個方面,因為這是衡量 PA 的兩大指標,但這兩個指標又是相互抑制的。

同時,隨著頻段更寬、頻率更高,這兩個指標更難做好。因此如何在設計的過程中在兩者之間找好一個平衡,是給相關供應商帶來的最大考驗。而毫米波的高帶寬和高頻段,更是提高了實現(xiàn)這個目標的難度。

此外,從 3G 到 5G 的演進過程當中,信號的調制方式都在不斷演進,所以信號的峰均比對 5G 器件來說,也是一個比較大的挑戰(zhàn)。因為峰均比越高,線性度的要求也更高,帶給 PA 的挑戰(zhàn)也更大。這就讓氮化鎵逐漸成為了行業(yè)關注的重點。

Kevin He 在演講中透露,在 5G Sub-6 Ghz 頻段的早期,氮化鎵的應用比例并沒有那么高,LDMOS 器件依然是應用的主流。但國內外的供應商都開始密集投入到氮化鎵中去,這主要是因為大家看好氮化鎵在 5G 的后續(xù)發(fā)展中將發(fā)揮重要作用。

具體到實際開發(fā)而言,因為 5G 的信號更復雜,帶寬也很寬,所以我們需要對 PA 的線性度進行校正,在算法上,也需要不斷更新?!熬湍壳皬乃惴ǖ膶用婵矗呀浻凶銐虻哪芰θバU壍?DPD 線性度,這就使得氮化鎵在 Sub-6Ghz 頻段下的應用比例在最近兩年獲得了不斷提升。”Kevin He 說。

據(jù)了解,在最早階段,氮化鎵主要應用在軍品上,消費電子商用的頻率并沒有那么高,尤其是毫米波場景中,因為相對出貨量沒那么高,這就使得氮化鎵的成本問題更凸顯。但因為 Sub-6 Ghz 頻段對氮化鎵的廣泛采用,這就使得氮化鎵的成本有了大幅度的下降,讓客戶更能接受這個技術。

Kevin He 指出,對客戶來說,采用氮化鎵,也能給他們帶來多方面的優(yōu)勢。這首先體現(xiàn)在運營成本上。傳統(tǒng)的基站的電費成本給運營商帶來了巨大的壓力,但氮化鎵的應用,可以在這方面帶來很好的優(yōu)化;此外,器件成本、可靠性和高效率也都是氮化鎵能給客戶帶來的提升。

“氮化鎵帶來的以上四點優(yōu)勢,是以前的 LDMOS 或砷化鎵等工藝器件所不具備的?!盞evin He 強調。

他進一步表示,具體到 PA 方面,氮化鎵能帶來的提升包括三個方面。首先,能支持更高信號帶寬。這是由氮化鎵的低寄生容性和高阻等特性決定的;其次,具備更高的效率,這是由其低射頻損耗帶來的;第三,可以輸出更高的功率。在高頻段、寬帶寬的應用下,想要在提高功率的同時保持更好的線性,對器件要求相當大,而氮化鎵的特性,讓它們能輕易應對這種挑戰(zhàn)。

Qorvo 擁有多個工藝,能為不同頻率的應用提供相應的氮化鎵器件支持。

和傳統(tǒng)的砷化鎵器件相比較,在同樣條件下,氮化鎵的壽命和使用時間都比砷化鎵高很多。在器件節(jié)溫來看,氮化鎵器件的表現(xiàn)比砷化鎵器件高很多。

從 5G 基站的需求看來,他們要求器件能支持更多的頻段,同時還能做到小型化,這在毫米波時代需要 128T 甚至 256T 的天線陣列的前提下,更是必須的;此外,硬件成本也是限制 5G 基站發(fā)展的一個重要因素;最后,功耗也是運營商需要考量的一個關鍵。

以現(xiàn)在的 Sub-6 Ghz 基站為例,因為運營商要求設備供應商把 32T 的 AAU 做到 10Kg 以下,這就給設備商帶來了很大的挑戰(zhàn)。因為在其中的散熱部分,會給基站的重量下降帶來很大的限制。換而言之,只有提高系統(tǒng)的效率,才能優(yōu)化散熱片部分的設計。

這就給本身效率高的氮化鎵器件帶來了機會。得益于其這個優(yōu)勢,設備商就可以減少基站的散熱片大小和尺寸,打造能滿足運營商需求的基站。

從天線角度看,如圖所示,天線陣列應該采用鍺化硅工藝制造。但采用這種工藝設計的天線,輸出功率大不了。因為一旦功率過高,器件的效率就達不到。這就意味著在同樣的 EIRP 的情況下,所需的天線路數(shù)更多。來到砷化鎵方面,功率則可以做到相對高一點。氮化鎵則可以做到更高。

“對 Qorvo 來說,我們想把器件每一路的功率做得更高,這樣的話在相同 EIRP 情況下,天線陣列的路數(shù)可以做得更少,同時可以保證同樣的總輸出功率。減小的天線陣列還能帶來成本降低、尺寸和效率等優(yōu)勢。”Kevin He 最后說。

編輯:jq

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原文標題:為什么說 GaN 越來越重要?

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