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季豐電子IC運營工程技術(shù)問答

StNU_TCL_ITZS ? 來源:上海季豐電子 ? 作者:上海季豐電子 ? 2021-08-16 16:58 ? 次閱讀
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Q1

HTOL選pattern如何選?是選一組pattern還是多組pattern組合測試?是從coverage角度考慮還是工作頻率角度考慮?如果選一組pattern,比如從coverage角度考慮選了scan,就會遺漏mem和IO。選mbist pattern還需確認待測芯片是否repair修復過,避免efuse問題?

A

選多組pattern組合,從coverage角度考慮。

Q2

PCT實驗腔體里的樣品會不會相互影響?比如鎳鐵結(jié)構(gòu)的先進封裝和普通傳統(tǒng)封裝,是磁性導致相互影響的嗎?

A

會相互影響,考慮到?jīng)]那么多設備安排,同一類型,同一封裝,封裝材料一樣,可以放在同一個箱體內(nèi)實驗。但是,如果放多種芯片,可能加重腐蝕,污染。

Q3

怎么優(yōu)化SMA與PCB接觸點阻抗?

A

一般只要SMA的質(zhì)量可靠,可認為在其可保障的頻率范圍內(nèi),阻抗為50歐姆,在PCB一側(cè)的阻抗優(yōu)化中,需要以SMA頭的地為參考,對信號Pin做阻抗優(yōu)化,在迭代以后,保障阻抗為50歐姆即可。

Q4

有塊電路板失效了,目前通過確認分析出來是BGA接觸不良(如果壓緊BGA,就能正常工作,所以推測可能是下面的球虛接觸),有沒有什么設備、檢測方法能看到球的狀態(tài)?3D-XRAY能看清楚嗎?這個BGA芯片是焊接在PCB上的,PCB的尺寸大概是125X110X15mm左右,3D-XRAY能嗎?

A

xray能夠檢查氣泡,氣泡也是影響焊接質(zhì)量的問題,一般可以接受30%。這些都是xray可以判斷的。

xray能夠監(jiān)控焊接質(zhì)量。3D xray可以更加看清三維成像。但是虛焊是最難查的,不完全是直觀影像可以看出的。xray可以觀察到薄弱焊接。對于定位,和大致判斷有個堅實參考。

SMT后器件焊接不良,建議先做個SAT看看die表面和stitch的位置上有沒有delamination。如果是flip chip的die,就要關(guān)注bump接合點有沒有分層。如果有多余的樣品,可以嘗試做切面分析看看。

Q5

JEDEC標準對于SOP產(chǎn)品背面分層有具體要求嗎?

A

比如jedec47、22里的100e/101d/102/104/a106、js001—2017等。

Q6

carrier是做啥用的?

A

carrier是做料籃用的。

Q7

誰手里有典型的彈坑失效的圖片,幫忙發(fā)一個?

A

失效位置見下圖紅圈標出的部分。

6c77dc5a-fa84-11eb-9bcf-12bb97331649.png

6ca99646-fa84-11eb-9bcf-12bb97331649.png

Q8

彈坑分析,是不是去掉top metal 即可?還需要去掉 top metal-1嗎?

A

去掉 pad上的Al層。

Q9

彈坑失效一般什么原因呢?

A

原因如下:wafer后端工藝問題,芯片結(jié)構(gòu)問題(pad 結(jié)構(gòu)),cp測試(針壓,針卡),打線參數(shù)不優(yōu)等。

Q10

圖一是AEC Q100的,圖二是JESD47的內(nèi)容。想問一下HTOL的溫度必須加125度么,還是按AEC的table 分幾個grade 按需求加溫度呢?那如果不是車規(guī)的產(chǎn)品,可以不加 125度么?

6d18f18a-fa84-11eb-9bcf-12bb97331649.png

6d520524-fa84-11eb-9bcf-12bb97331649.png

A

車規(guī)是按照等級來確定溫度的,詳細的溫度等級見下表。根據(jù)Q100-H,HTOL 是不同grade ,加不同的Ta。再參考JESD22-A108,里面還提到可以根據(jù)DUT的實際耐溫情況,改變Ta。

6d812638-fa84-11eb-9bcf-12bb97331649.png

6ddb6166-fa84-11eb-9bcf-12bb97331649.png

Q11

芯片使用OTP,需要專門對OTP進行測試嗎?CP1-bake-CP2-erase 。一般有flow嗎?efuse測試不用這么復雜吧?

A

需要,防止寫出錯。其實otp特別危險,這個地方出錯的概率很高,因為這個寫入的動作是由ATE程序完成的,otp的內(nèi)容一般卻是來自系統(tǒng)或者設計團隊,任何信息的錯位都會導致最終寫錯。

Efuse 是OTP,EPROM/EEPROM/flash 是NVM, 個人的理解它們是完全不一樣的。EFUSE 不需要考慮EDR, NVM 需要考慮EDR. 標準里面也寫了efuse 不適用EDR的。

一般NVM的供應商應該會給測試或者可靠性驗證的建議。我們之前的做法是在工程片做一些可靠性驗證,比如高溫、擦除。實驗通過才進入小批量試產(chǎn)。

一般NVM測試flow 都是需要3道CP: Erase--》CP1--》BAKE--》CP2--》Erase--》CP3,其中CP1:Read array FF--Program 正棋盤格--讀正棋盤格驗證---program 反棋盤格---讀array 00驗證;CP2:read array 00 檢查bake 后的數(shù)據(jù);CP3:一般測試其他IP之后燒入客戶應用code 進行讀出驗證。

Q12

濕敏可靠性等級都是做哪些項目?

A

可以參考J-STD-020標準。

Q13

塑封材料之間摩擦是否會產(chǎn)生靜電,是否存在潛在隱患 ?

A

應該先考慮摩擦從哪里來的,有沒有靜電消散措施。

編輯:jq

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原文標題:季豐電子IC運營工程技術(shù)知乎 – 21W31

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