還記得上期【電源小課堂】?jī)?nèi)容嗎？點(diǎn)擊復(fù)習(xí)一下吧：

頻率是開(kāi)關(guān)電源的一個(gè)基本屬性，熟悉和掌握開(kāi)關(guān)頻率，會(huì)幫助到工程師朋友更好地理解電源線(xiàn)路的工作原理，快速定位和解決實(shí)際問(wèn)題。

今天我們就對(duì)開(kāi)關(guān)頻率設(shè)計(jì)進(jìn)行講解和擴(kuò)展。

開(kāi)關(guān)頻率相關(guān)原理

開(kāi)關(guān)電源就是利用開(kāi)關(guān)動(dòng)作將直流電轉(zhuǎn)變?yōu)橐欢l率的脈沖電流能量，利用電感和電容儲(chǔ)能元件的特性，將電能按照預(yù)定的要求釋放出來(lái)。開(kāi)關(guān)頻率之于開(kāi)關(guān)電源的質(zhì)量，就像心臟的脈搏之于我們的健康一樣，我們需要既規(guī)律又能自我調(diào)節(jié)的開(kāi)關(guān)頻率。所以我們說(shuō)：開(kāi)關(guān)頻率是開(kāi)關(guān)電源的重要指標(biāo)之一。

開(kāi)關(guān)的規(guī)律性動(dòng)作，是開(kāi)關(guān)電源工作的根本機(jī)制，頻率特性在電路各個(gè)環(huán)節(jié)的計(jì)算中，都起到了決定作用。例如Buck電路公式中，頻率fs決定了電感電流紋波和輸出電壓紋波兩個(gè)核心指標(biāo)?？梢钥吹筋l率fs與紋波幅值成近似反比關(guān)系，頻率越高，紋波值越小。

電感電流紋波：

輸出電壓紋波：

從紋波計(jì)算公式和儲(chǔ)能公式同時(shí)還可以看出：頻率fs、電感L的乘積，以及頻率fs和輸出電容C的乘積，作為因子影響計(jì)算結(jié)果，所以在其他條件相同的情況下，提高頻率可以降低對(duì)電感量和電容值，同時(shí)也會(huì)對(duì)器件體積進(jìn)行優(yōu)化，其實(shí)質(zhì)是頻率提高，單次需要儲(chǔ)存的能量更少，這樣就降低了對(duì)儲(chǔ)能元件的要求；另外，頻率越高，輸出紋波越小，還可以提高電源質(zhì)量。

電感和電容儲(chǔ)能公式：

頻率的提高會(huì)帶來(lái)其他問(wèn)題嗎？

首先是增加了損耗，直接影響了開(kāi)關(guān)電源的損耗、效率、發(fā)熱三個(gè)核心指標(biāo)，以降壓型Buck電路舉例，損耗主要包括三部分：導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗；開(kāi)關(guān)頻率對(duì)開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗這兩種有直接的影響。

驅(qū)動(dòng)損耗，主要來(lái)自于MOSFET管寄生電容充放電荷Qg，是驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET管寄生電容Cgs和Cgd 在驅(qū)動(dòng)電壓下形成的損耗。驅(qū)動(dòng)損耗估算如下：

開(kāi)關(guān)損耗，拿MOSFET管的開(kāi)通過(guò)程舉例，每次的MOSFET開(kāi)通都會(huì)發(fā)生電壓和電流變化，交疊部分面積就是產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗，其損耗正比于開(kāi)關(guān)頻率；所以我們要想辦法來(lái)降低這個(gè)損耗的面積，就是提高開(kāi)關(guān)的開(kāi)通和關(guān)斷的邊沿速度，提高Ids和Vds變化率，使交疊面積直接降低；開(kāi)關(guān)損耗估算如下：

但這個(gè)辦法會(huì)加劇方波高頻分量能量，對(duì)高頻EMI產(chǎn)生不利影響；對(duì)開(kāi)關(guān)的準(zhǔn)方波信號(hào)進(jìn)行傅里葉變換，可以發(fā)現(xiàn)，開(kāi)關(guān)頻率fs以及開(kāi)關(guān)的上升沿和下降沿速度對(duì)信號(hào)增益影響很大，頻率的提高會(huì)引起系統(tǒng)高次諧波的能量增大，導(dǎo)致EMI惡化，所以要獲得更高頻率和更高效率，就必須對(duì)電路的EMI設(shè)計(jì)進(jìn)行嚴(yán)格的把關(guān)。因此，提高開(kāi)關(guān)速度是把雙刃劍。

電路EMI的設(shè)計(jì)中，固定頻率開(kāi)關(guān)電源，由于頻率點(diǎn)單一，所以能量集中在頻點(diǎn)和倍頻點(diǎn)附近，產(chǎn)生較高的EMI噪聲；我們通過(guò)頻率在一定范圍內(nèi)的抖動(dòng)，來(lái)分散噪聲信號(hào)的能量，達(dá)到降低噪聲峰值的目的，來(lái)優(yōu)化EMI。

隨著EMI解決方案日益成熟，高頻設(shè)計(jì)難度逐漸減小。除了抖頻設(shè)計(jì)外，關(guān)于電源的輕載滿(mǎn)載開(kāi)關(guān)頻率的設(shè)計(jì)也是很有講究的，比如，固定頻率模式和變頻模式的差別，就會(huì)在電路動(dòng)態(tài)特性和輕載效率、靜態(tài)功耗上產(chǎn)生很大的差別，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，在電源設(shè)計(jì)之初就確定下來(lái)。

以上是我們關(guān)于開(kāi)關(guān)電源頻率設(shè)計(jì)中，基礎(chǔ)部分的講解。

后續(xù)還會(huì)再為大家做實(shí)際工程應(yīng)用中，會(huì)遇到的一些設(shè)計(jì)問(wèn)題的說(shuō)明。歡迎大家繼續(xù)關(guān)注MPS微信公眾號(hào)中的“電源小課堂”系列推送。

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