器件噪聲的影響在納米級 CMOS 工藝中極為關鍵，因為它在根本上制約了許多 45 nm 及以下工藝電路的性能。使用正確的工具，器件噪聲分析 （DNA）將是一個相當簡單的過程，并且仿真結果與硅片測量結果只有 1 - 2 dB 的誤差。但有幾種常見的錯誤可能導致嚴重高估或低估器件噪聲的影響，進而造成嚴重的過度設計和設計不足。

DNA 有三種基本類型。瞬態(tài)噪聲分析是一種適用于所有電路類型的統(tǒng)計時序方法。瞬態(tài)噪聲分析也是唯一適用于非周期性電路的器件噪聲分析。對于周期性驅動電路（例如電荷泵和開關電容濾波器）而言，周期噪聲分析通常要比瞬態(tài)噪聲分析快得多，并且能夠提供更全面的診斷信息。同理，對于周期性自激電路而言，振蕩器

噪聲分析通常要比瞬態(tài)噪聲分析快得多，并且能夠提供更全面的診斷信息（例如器件貢獻和靈敏度分析）。由于瞬態(tài)噪聲分析適用于所有電路類型，因此它可提供一種有效的方法來對周期性電路和振蕩器進行交互檢查。如果使用得當，上述所有方法得到的結果和硅測量結果的誤差都只在 1 - 2 dB 以內(nèi)。

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