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高壓放大器基于干涉儀的設(shè)計與優(yōu)化應(yīng)用的介紹

測試技術(shù)分享 ? 來源:西安安泰電子科技 ? 作者:測試技術(shù)分享 ? 2021-10-22 09:34 ? 次閱讀
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相信關(guān)注高壓放大器的朋友一定對于有關(guān)的內(nèi)容比較感興趣,今天就為大家分享一篇干貨:

實驗名稱:高壓放大器基于掃描式固體腔F-P干涉儀的設(shè)計與優(yōu)化中的應(yīng)用

實驗?zāi)康模簝?yōu)化設(shè)計掃描式固體腔F-P干涉儀

實驗設(shè)備:光源,準直擴束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅(qū)動),4f系統(tǒng)和CCD,信號源,ATA-2161高壓放大器,示波器。

實驗內(nèi)容:為實現(xiàn)全天時邊界層內(nèi)大氣溫度絕對探測,即精細獲取大氣Rayleigh散射譜形,借鑒F-P干涉濾波技術(shù)和晶體的電光特性,設(shè)計了一種掃描式固體腔F-P干涉儀,測試其濾波性能并進行優(yōu)化。

實驗過程:如圖是搭建的透射型馬赫曾德干涉儀光路,此光路用做全息圖的記錄,主要包括以下幾個部分:光源,準直擴束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅(qū)動)、4f系統(tǒng)和CCD。

電光晶體高壓驅(qū)動,函數(shù)發(fā)生器,使其產(chǎn)生一個脈沖方波信號,然后經(jīng)過ATA-2161高壓放大器使其放大,最終把放大后的信號加載到晶體上,完成晶體電光性能的測試。

實驗結(jié)果:

(1)不同電壓下CCD上記錄的全息圖

(2)不同電壓場下,對應(yīng)晶體折射率的改變量

對圖相位圖中晶體相位的改變量進行平均處理,得到不同電壓場下,對應(yīng)的晶體的相位改變量,再由公式計算得出,不同電壓場下,對應(yīng)晶體折射率的改變量。

實驗中用到的功率放大器

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相位調(diào)制和折射率調(diào)制度實測值與理論值的對比

本文實驗素材由西安安泰電子整理發(fā)布,如想了解更多實驗方案,請持續(xù)關(guān)注安泰電子。Aigtek是國內(nèi)專業(yè)從事測量儀器研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè),一直專注于高壓放大器、線束測試儀、計量校準源等測試儀器產(chǎn)品的研發(fā)與制造。
編輯:fqj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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