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FemtoFET MOSFETs簡介:沙粒般渺小,一切盡在間距

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2021-11-10 09:39 ? 次閱讀
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哪個含硅量更高:一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產(chǎn)品?坐在沙灘椅上,看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸,我的腦海中反復縈繞著這個問題。TI新發(fā)布的F3 FemtoFET,聲稱其產(chǎn)品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm(見圖1),但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。

poYBAGGKX0OAWs8KAACBXOQ2cr0041.jpg

圖1:F3 FemtoFET組合尺寸

查看最新產(chǎn)品,加入下表包括超低容量產(chǎn)品CSD15380F3在內的FemtoFET產(chǎn)品組合,。

部件編號

N/P

Vds

Vgs

Id Cont. (A)

典型的導通電阻 (mohm)

輸入電容 (pF)

4.5V

2.5V

1.8V

CSD15380F3

N

20

10

0.5

1170

2200

x

8.1

CSD25480F3

P

20

12

1.7

132

203

420

119

CSD23280F3

P

12

6

1.8

97

129

180

180

表1 F3 FemtoFETs

體積如此之小的設備,一個關鍵的考慮點是如何使用表面裝配技術(SMT)將FemtoFET與面板連接。設備面板的焊盤距離是影響客戶SMT設備能否處理組合產(chǎn)品的關鍵因素。大多數(shù)的高容量個人電子產(chǎn)品制造商擁有可以處理最小0.35mm焊盤距離的SMT設備,但部分工業(yè)用客戶的SMT設備最小焊盤距離僅能到0.5mm。

FemtoFET的連接盤網(wǎng)格陣列(LGA)封裝與硅芯片級封裝(CSP)相似,唯一的不同是LGA沒有附加錫球。F3 FemtoFET上的鍍金leads保留著與TI前代產(chǎn)品F4 FemtoFET一樣的0.35mm焊盤距離。這就給使用體積更小產(chǎn)品的F4客戶更強的信心,即他們的SMT設備可處理F3 FemtoFET。

為了使FemtoFET能應用到工業(yè)用設備,TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產(chǎn)品,并將電壓范圍擴充至60V。了解更多60V F5設備,請閱讀我同事Brett Barr的博客文章,“Shrink 使用新一代60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)設備體積。”

TI推薦使用無鉛(SnAgCu)SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏,但體積更小的第四類焊錫膏則是更優(yōu)選擇。焊膏應免清洗,且可溶于水。不過,在面板安裝之后用焊劑進行清洗仍不失為是個絕妙主意。

使用面板模子在面板上標出將施加焊錫膏的點位。模子的厚度以及開口的長寬是重要的參數(shù)。模子最厚應不超過100μm。

低漏電型FemtoFET可用于各類可穿戴設備和個人通訊設備。由于柵極漏電和漏極漏電的單位數(shù)僅為納米安培級,F(xiàn)emtoFET可協(xié)助保證您的個人電子設備的充電電池可支撐使用一整天。自2013年以來,F(xiàn)emtoFET產(chǎn)品發(fā)行量已超過五億。這個夏天,我正在長灘島度假,在我的夢中,全都是這些有著完美焊盤距離的沙粒。更多內容,請點擊閱讀TI FemtoFET MOSFETS 產(chǎn)品家族

其他信息

審核編輯:符乾江
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