關(guān)于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù)，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務(wù)熱線400-888-2483。

SiT8008是美國SiTime公司推出的一款1-110MHz任意頻率低功耗單端MEMS硅晶振，輸出電平兼容LVCMOS/LVTTL，低功耗可達到3.6mA，是SiTime早期推出的SiT8102/SiT8103/SiT8002/SiT8003/SiT8004/SiT8003XT等產(chǎn)品的升級型號。

SiT8008低功耗有源晶振在視頻監(jiān)控、FPGA控制、高端交換機、工業(yè)控制器、乃至消費電子等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

SiT8008低功耗有源晶振工作電流低于傳統(tǒng)石英產(chǎn)品，其優(yōu)異的抗震性，抗沖擊能力是傳統(tǒng)石英無法比擬的，尤其是其全溫范圍的水平溫漂曲線特性，優(yōu)化了傳統(tǒng)石英晶振精度隨時間變化劇烈的固有弊端。SiT8008已經(jīng)成為當下智能硬件設(shè)計團隊首選的精準、低耗的主流時鐘源。

SiT8008選型參數(shù)

頻率：1 - 110MHz任意頻率，精確到小數(shù)點后6位

精度：±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖動：1.3ps

輸出類型：LVCMOS

工作溫度：-10℃ ~ ＋70℃，-40℃ ~ ＋85℃

工作電壓：1.62V-3.63V寬壓和固定電壓（1.8V，2.5V，2.8V，3.0V，3.3V）可選

封裝尺寸：2.0mm x 1.6mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

SiT8008特征

適用于所有頻率、電壓和穩(wěn)定性的小型 2016 和 2520 封裝

在不影響性能和可用性的情況下節(jié)省更多電路板空間

低功耗

1.2 μA 典型待機電流 (1.8 V)

3.6 mA 典型有功電流 (1.8 V)

延長便攜式應(yīng)用中的電池壽命

降低綠色系統(tǒng)的功耗

FlexEdge? 可配置驅(qū)動強度

更慢的上升/下降時間，最大限度地減少來自振蕩器的 EMI

通過驅(qū)動多個負載來節(jié)省成本并消除額外的時序組件

SiT8008應(yīng)用

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為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù)，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務(wù)熱線400-888-2483。