chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Mini硅基垂直芯片介紹

LED廠商消息 ? 來源:晶能光電LED ? 作者:晶能光電LED ? 2021-11-22 10:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Mini LED 是指尺寸在 100 微米量級的 LED 芯片,尺寸介于小間距 LED 與 Micro LED 之間,Mini LED 是小間距 LED 尺寸繼續(xù)縮小的結(jié)果。Mini LED 技術(shù)成熟、量產(chǎn)可行,有望在中高端液晶顯示屏背光、LED 顯示得到大規(guī)模應(yīng)用,特別是電視、筆記本、顯示器等領(lǐng)域。

LED日趨微型化,Mini & Micro LED應(yīng)運而生, Mini LED背光產(chǎn)品對提升顯示質(zhì)量效果顯著, Mini LED背光商業(yè)化進(jìn)展迅速,有望成為液晶高端顯示器解決方案。

專家預(yù)測Mini & MicroLED直顯可能是未來最優(yōu)的顯示技術(shù);高畫質(zhì)、低能耗特點使其在消費電子市場優(yōu)勢盡顯。 而在LED直顯市場,2020年受疫情原因雖然有所下降,但小間距P2.5及以下市場維持不變。晶能的硅襯底全垂直直顯解決方案專為小間距而生,它具有更小、更可靠、更具性價比的優(yōu)勢,同時也在今年6月實現(xiàn)量產(chǎn) 。

Mini硅基垂直芯片,光品質(zhì)優(yōu)良,垂直發(fā)光沒有側(cè)光,對比度高;同時具有良好的耐電流沖擊和抗靜電能力;產(chǎn)品一致性好、穩(wěn)定性好、可靠性高,沒有金屬Cr,可完全避免金屬離子遷移問題。

隨著VR、AR及背光市場的不斷擴大,晶能也將在未來市場中發(fā)揮現(xiàn)有優(yōu)勢,推出更多更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,為半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)綿薄之力。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    243

    文章

    24440

    瀏覽量

    687518
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53550

    瀏覽量

    459258
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29999

    瀏覽量

    258434

原文標(biāo)題:晶能“精品”之——Mini硅基垂直芯片介紹

文章出處:【微信號:lattice_power,微信公眾號:LED廠商消息】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    GaN(氮化鎵)與功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號

    中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢如下: 1. GaN(氮化鎵)功放芯片 優(yōu)勢: 功率密度高:GaN 的擊穿電場強度(3.3 MV/cm)是的 10 倍以上,相同面積下可承受更高電壓(600V+)和電流,功率密度可達(dá)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:23 ?2110次閱讀

    華為聯(lián)合山東大學(xué)突破:1200V全垂直氮化鎵MOSFET

    近日,山東大學(xué)&華為聯(lián)合報道了應(yīng)用氟離子注入終端結(jié)構(gòu)的1200V全垂直SiGaN溝槽MOSFET(FIT-MOS)。氟離子注入終端(FIT)區(qū)域固有的具有負(fù)性電荷成為高阻區(qū)域,天然地隔離
    的頭像 發(fā)表于 08-26 17:11 ?695次閱讀
    華為聯(lián)合山東大學(xué)突破:1200V全<b class='flag-5'>垂直</b><b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>氮化鎵MOSFET

    垂直GaN迎來新突破!

    垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在襯底上實現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ),致能實現(xiàn)了全球首個具有
    發(fā)表于 07-22 07:46 ?4692次閱讀
    <b class='flag-5'>垂直</b>GaN迎來新突破!

    聚智姑蘇,共筑光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

    盛夏姑蘇,群賢薈萃。2025年7月7日至10日,由度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)股份有限公司主辦,西交利物浦大學(xué)協(xié)辦,愛杰光電科技有限公司承辦的“光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校,在蘇州西交利物浦大學(xué)北校區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 07-11 17:01 ?918次閱讀
    聚智姑蘇,共筑<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

    芯片制造中的應(yīng)變技術(shù)介紹

    本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
    的頭像 發(fā)表于 04-15 15:21 ?2513次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>制造中的應(yīng)變<b class='flag-5'>硅</b>技術(shù)<b class='flag-5'>介紹</b>

    打破單結(jié)晶光伏電池轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄

    近日,隆自主研發(fā)的太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率再獲關(guān)鍵性突破,將單結(jié)晶光伏電池的極限探索推向新高度。
    的頭像 發(fā)表于 04-15 14:56 ?776次閱讀

    芯片制造中的多晶介紹

    多晶(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:53 ?3164次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>制造中的多晶<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>介紹</b>

    碳化硅VSIGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

    在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場上
    的頭像 發(fā)表于 04-02 10:59 ?5039次閱讀
    碳化硅VS<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

    深入解析光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

    在信息技術(shù)日新月異的今天,光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”,光子集成技術(shù)不僅融合了電子
    的頭像 發(fā)表于 03-19 11:00 ?2314次閱讀
    深入解析<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>光子<b class='flag-5'>芯片</b>制造流程,揭秘科技奇跡!

    光通信技術(shù)的原理和基本結(jié)構(gòu)

    本文介紹芯片的發(fā)展歷史,詳細(xì)介紹光通信技術(shù)的原理和幾個基本結(jié)構(gòu)單元。
    的頭像 發(fā)表于 02-26 17:31 ?1784次閱讀
    <b class='flag-5'>硅</b>光通信技術(shù)的原理和基本結(jié)構(gòu)

    GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng),引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    中的未來前景。 如今,電源管理設(shè)計工程師常常會問道: 現(xiàn)在應(yīng)該從功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎? 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng) MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體,可
    的頭像 發(fā)表于 02-11 13:44 ?1043次閱讀
    GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    量子芯片可以代替芯片

    量子芯片芯片在技術(shù)和應(yīng)用上存在顯著差異,因此量子芯片是否可以完全代替芯片是一個復(fù)雜的問題。
    的頭像 發(fā)表于 01-27 13:53 ?1753次閱讀

    芯片光通信技術(shù)介紹

    人們對光電子領(lǐng)域的探索逐步深入,廣泛應(yīng)用于光子計算、激光雷達(dá)、量子通信、量子計算、光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等新興領(lǐng)域,為超大規(guī)模光學(xué)系統(tǒng)的芯片化和實用化鋪平了道路。 ? ? 1 什么是光通信? 以光波為信號
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:41 ?1914次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>級<b class='flag-5'>硅</b>光通信技術(shù)<b class='flag-5'>介紹</b>

    混合III-V半導(dǎo)體光放大器設(shè)計

    具有高增益和高輸出功率的混合III-V半導(dǎo)體光放大器在許多應(yīng)用中非常重要,如光收發(fā)器、集成微波光子學(xué)和光子波束成形。
    的頭像 發(fā)表于 12-30 16:15 ?1218次閱讀
    <b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>混合III-V半導(dǎo)體光放大器設(shè)計

    先進(jìn)封裝中的TSV/通孔技術(shù)介紹

    注入導(dǎo)電物質(zhì),將相同類別芯片或不同類別的芯片進(jìn)行互連,達(dá)到芯片級集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。 TSV技術(shù)中的這個通道中主要是通過銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成通孔的
    的頭像 發(fā)表于 12-17 14:17 ?3100次閱讀
    先進(jìn)封裝中的TSV/<b class='flag-5'>硅</b>通孔技術(shù)<b class='flag-5'>介紹</b>