電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）據(jù)工商信息顯示，12月28日華為精密制造有限公司正式成立，注冊(cè)資本6億元人民幣，由華為技術(shù)有限公司全資控股，法定代表人為李建國(guó)。其中，公司經(jīng)營(yíng)范圍包括光通信設(shè)備制造、光電子器件制造、電子元器件制造、半導(dǎo)體分立器件制造等。

消息一出，不少網(wǎng)友猜測(cè)，這是華為要開(kāi)始生產(chǎn)芯片的節(jié)奏？甚至有人表示華為這是要做光刻機(jī)用的精密部件了。

不過(guò)與大家猜測(cè)的不同，很快有華為內(nèi)部相關(guān)人士表示，華為精密制造有限公司具備一定規(guī)模的量產(chǎn)和小批量試制能力，但主要用于滿足華為自有產(chǎn)品的系統(tǒng)集成需求。同時(shí)，該公司不生產(chǎn)芯片，主要業(yè)務(wù)是華為無(wú)線、數(shù)字能源等產(chǎn)品的部分核心器件、模組、部件的精密制造，包括組裝和封測(cè)。

也就是說(shuō)，其中提到的半導(dǎo)體分立器件制造，主要是負(fù)責(zé)分立器件的后段封裝測(cè)試。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有兩大分支，分別是集成電路和分立器件。集成電路即采用特定的工藝將晶體管、電阻、電容、電感等分立器件及布線互聯(lián)，集成到半導(dǎo)體材料的晶片上，通過(guò)不同形式的封裝，成為能夠?qū)崿F(xiàn)某種功能的微型結(jié)構(gòu)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，我們常見(jiàn)的CPU、FPGA、MCU等芯片都是屬于集成電路的范疇。

分立器件是根據(jù)自身材料特性或材料電性來(lái)實(shí)現(xiàn)某種獨(dú)立功能的獨(dú)立零件，普遍被分成光電器件、傳感器、功率器件等。伴隨快充技術(shù)而被大眾熟知的氮化鎵、碳化硅等材料，就被應(yīng)用于二極管和MOSFET等功率器件制造中。

華為自身在分立器件領(lǐng)域的研發(fā)布局

作為分立器件中的重要一環(huán)，隨著電力設(shè)備小型化、功率器件往高頻、高壓發(fā)展的趨勢(shì)，特別是在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代大潮中，以第三代半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的功率器件受到了很多關(guān)注。

在今年三月，以后消息傳出，華為正在大量招攬功率器件的研發(fā)人才，其中包括IGBT、MOSFET、以及SiC、GaN等材料的主流功率器件，研發(fā)隊(duì)伍據(jù)稱已有數(shù)百人。

今年9月，華為的一份“功率半導(dǎo)體封裝器件及功率變換器”專利被公開(kāi)?，F(xiàn)在看來(lái)，確實(shí)與華為內(nèi)部人士“主要業(yè)務(wù)是華為無(wú)線、數(shù)字能源等產(chǎn)品的部分核心器件、模組、部件的精密制造，包括組裝和封測(cè)”的說(shuō)法相吻合。

在更早之前的2019年11月，行業(yè)中還傳出華為正從一些IGBT廠商挖角人才，準(zhǔn)備自研IGBT。

實(shí)際上，華為在2019年就在東莞松山湖基地設(shè)立了功率器件部門，主要針對(duì)光伏逆變器、UPS、車載和基站等應(yīng)用開(kāi)發(fā)IGBT。而這個(gè)時(shí)間，恰好是美國(guó)宣布開(kāi)始對(duì)華為實(shí)施禁令的節(jié)點(diǎn)。

除了IGBT外，華為還在GaN功率器件上早有布局。華為在2020年4月發(fā)布的一款65W GaN雙口超級(jí)快充充電器上，整體外包給住友電工，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，充電器中核心的功率IC、GaN MOSFET很可能由華為自研，穩(wěn)懋半導(dǎo)體代工。

不只是消費(fèi)電子領(lǐng)域，基于GaN的分立器件同樣適用于數(shù)據(jù)中心、通信基站等大功率電源設(shè)備。這對(duì)于本身在通信電源領(lǐng)域擁有不小市場(chǎng)份額的華為而言，顯然投資研發(fā)GaN功率器件是一個(gè)明智的選擇。

另外，GaN在光電器件、射頻器件中都有所應(yīng)用。2020年6月，華為在英國(guó)建立了一個(gè)光電子研發(fā)與制造基地，將研發(fā)制造光器件以及通信光模塊等產(chǎn)品。與此同時(shí)，GaN在激光雷達(dá)系統(tǒng)中也起到了不可或缺的一部分，華為在去年首次亮相了旗下的激光雷達(dá)產(chǎn)品，未來(lái)自動(dòng)駕駛的需求下，激光雷達(dá)加速普及，也會(huì)帶動(dòng)GaN光器件需求的爆發(fā)。

在2019年，中美貿(mào)易沖突持續(xù)加深的背景下，面對(duì)不斷增長(zhǎng)的國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求，國(guó)產(chǎn)化已經(jīng)成為一個(gè)迫切目標(biāo)。畢竟中國(guó)是全球最大的功率器件消費(fèi)國(guó)，但國(guó)內(nèi)功率器件整體的自給率不足10%，尤其是高端器件方面。

所以無(wú)論是從企業(yè)自身發(fā)展的角度，還是保障國(guó)家產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定的角度，分立器件的廣泛適用性，需要產(chǎn)業(yè)中企業(yè)的投資發(fā)展，加速追趕國(guó)外領(lǐng)先技術(shù)。如華為一樣，擁有強(qiáng)大聲量的巨頭入局，或許又將引發(fā)新一輪產(chǎn)業(yè)布局熱潮。

華為的投資布局

其實(shí)在華為精密制造有限公司成立之前，還投資了不少分立器件企業(yè)。

比如2019年7月4日，華為旗下哈勃投資入股了國(guó)內(nèi)信號(hào)鏈模擬芯片龍頭思瑞浦。據(jù)最新工商信息顯示，哈勃科技投資有限公司是思瑞浦第六大股東，目前持有思瑞浦480萬(wàn)股股份，即占總股份的6%。

2020年6月11日，哈勃投資對(duì)VCSEL廠商縱慧芯光進(jìn)行戰(zhàn)略投資數(shù)億元。有意思的是，小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金、比亞迪股份，都在其股東名單中。

2020年7月10日，哈勃投資對(duì)東微半導(dǎo)體進(jìn)行了未披露金額的戰(zhàn)略融資。根據(jù)最新工商信息顯示，哈勃投資持有東微半導(dǎo)體333.08萬(wàn)股，持股比例為6.59%。

除此之外，哈勃投資還在上游的半導(dǎo)體制造設(shè)備有積極布局。包括國(guó)內(nèi)唯一、全球第三家具備193nm ArF準(zhǔn)分子激光技術(shù)研究和產(chǎn)品化的公司科益虹源，目前已是上海微電子的光刻機(jī)光源系統(tǒng)供應(yīng)商。

去年10月，哈勃投資還與馬來(lái)西亞半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備制造商 JF Technology組建了一個(gè)合資企業(yè)，將在中國(guó)生產(chǎn)和供應(yīng)高性能測(cè)試接觸器，用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。這個(gè)信息也與華為入局分立器件封測(cè)相吻合，進(jìn)一步證明了華為在設(shè)備布局的前瞻性。

小結(jié)：

從華為的戰(zhàn)略布局來(lái)看，華為是否會(huì)自己生產(chǎn)芯片這個(gè)問(wèn)題，就與華為是否會(huì)自己造車一樣。華為在汽車領(lǐng)域希望用突破傳統(tǒng)汽車供應(yīng)鏈Tier1/Tier2的合作方式，提供零部件以及HuaweiInside兩種模式，提供整套成熟技術(shù)，與汽車廠商進(jìn)行深度合作，在上游核心部分由華為提供。

在半導(dǎo)體行業(yè)，目前主流的是IDM以及Fabless兩條路線，而華為似乎在試圖開(kāi)辟一條全新的路線，希望通過(guò)在產(chǎn)業(yè)鏈中的廣泛投資，組建在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的“華為軍團(tuán)”，通過(guò)這個(gè)“軍團(tuán)”各方面的合作協(xié)同，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈共同發(fā)展。同時(shí)深度捆綁也使得在這個(gè)“軍團(tuán)”中的企業(yè)都能夠獲得足夠的發(fā)展保障。