chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Vishay推聚合物鉭片式電容器 高通推出第1代驍龍G3x游戲平臺(tái)

牽手一起夢(mèng) ? 來源:綜合高通和Vishay官網(wǎng)整合 ? 作者:綜合高通和Vishay官 ? 2022-03-28 14:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Vishay Intertechnology vPolyTan聚合物鉭片式電容器為惡劣的工作條件帶來可靠的性能

Vishay Intertechnology, Inc.(紐約證券交易所股票代碼:VSH)??推出了一系列新的 vPolyTan? 表面貼裝聚合物鉭模壓芯片電容器,旨在在高溫、高濕工作條件下提供可靠的性能。

Vishay Polytech T50 系列電容器采用堅(jiān)固的設(shè)計(jì),具有改進(jìn)的氣密性,可在惡劣環(huán)境中增強(qiáng)保護(hù)。這些器件可在 +125 °C 的高溫下工作,并能承受 85 °C、85% 相對(duì)濕度的溫度濕度偏差 (THB) 測(cè)試 500 小時(shí)。這些規(guī)格使電容器非常適合在工業(yè)、軍事、航空航天和邊緣計(jì)算應(yīng)用的惡劣環(huán)境中進(jìn)行去耦、平滑和濾波。

T50 系列采用 D 外殼 (EIA 7343-30) 尺寸,具有低至 25 mΩ 的超低 ESR 和低至 3.0 A 的紋波電流。這些器件在 2.5 V 的額定電壓下提供 10 μF 至 330 μF 的寬電容范圍至 35 V,電容容差為 ± 20 %。這些電容器符合 RoHS、無鹵素和Vishay Green標(biāo)準(zhǔn)。

高通推出第1代驍龍G3x游戲平臺(tái),賦能新一代游戲?qū)S迷O(shè)備

高通技術(shù)公司推出第1代驍龍?G3x游戲平臺(tái),該專用平臺(tái)旨在為玩家提供最佳裝備,盡情暢玩玩家喜愛的游戲。該平臺(tái)提供先進(jìn)性能,支持運(yùn)行所有Android游戲,暢玩各種云游戲內(nèi)容,并可通過串流技術(shù)暢玩家用游戲主機(jī)或PC端的游戲,還可以讓用戶盡享其喜愛的Android應(yīng)用帶來的娛樂體驗(yàn)。該平臺(tái)集完整的Snapdragon Elite Gaming?技術(shù)于一身,旨在面向玩家提供便攜的卓越游戲體驗(yàn),打造頂級(jí)品類的消費(fèi)級(jí)專業(yè)游戲產(chǎn)品。

為展示該平臺(tái)的強(qiáng)大能力,高通技術(shù)公司聯(lián)合雷蛇打造首個(gè)基于第1代驍龍G3x游戲平臺(tái)的手持游戲設(shè)備開發(fā)套件,該套件僅面向開發(fā)者提供,即日上市。作為全球游戲硬件領(lǐng)軍企業(yè),雷蛇已創(chuàng)建全球最大的以玩家為核心的硬件、軟件和服務(wù)生態(tài)系統(tǒng)之一。基于第1代驍龍G3x游戲平臺(tái)打造的手持游戲?qū)S迷O(shè)備開發(fā)套件將帶來絕佳性能,為開發(fā)者提供高端圖形性能和無處不在的連接。

雷蛇聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO陳民亮表示:“雷蛇很高興能夠與高通技術(shù)公司合作,支持其面向全球游戲行業(yè)推出全新尖端技術(shù)。憑借這一全新創(chuàng)新解決方案,高通技術(shù)公司將與雷蛇攜手并進(jìn),突破手持游戲設(shè)備保真度和畫質(zhì)的邊界,變革用戶的游戲方式和游戲體驗(yàn)?!?/p>

綜合高通和Vishay官網(wǎng)整合

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電容器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    64

    文章

    6945

    瀏覽量

    106629
  • 高通
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    7683

    瀏覽量

    198668
  • Vishay
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    906

    瀏覽量

    119525
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    ?Vishay MKP1848Se DC-Link薄膜電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay/Roederstein MKP1848Se DC-Link薄膜電容器是薄型THB和汽車級(jí)薄膜電容器。這些電容器具有紋波電流能
    的頭像 發(fā)表于 11-17 09:44 ?250次閱讀

    Vishay Roederstein MKP1848Se DC-Link 薄膜電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay/Roederstein MKP1848Se DC-Link薄膜電容器是薄型THB和汽車級(jí)薄膜電容器。這些電容器具有紋波電流能
    的頭像 發(fā)表于 11-14 16:57 ?1193次閱讀

    ?Vishay Vitramon表面貼裝直流阻斷電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay/Vitramon表面貼裝直流阻斷電容器在整個(gè)工作頻率范圍內(nèi)具有無諧振性能。這些多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 采用0402、0603和0805等標(biāo)準(zhǔn)EIA主體尺寸,電壓
    的頭像 發(fā)表于 11-14 16:01 ?359次閱讀
    ?<b class='flag-5'>Vishay</b> Vitramon表面貼裝直流阻斷<b class='flag-5'>電容器</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    ?Vishay T51 vPolyTan?聚合物電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay Polytech T51 vPolyTan? 汽車級(jí)聚合物SMD片式電容器符合AEC-Q200要求。T51支持高溫(-55°C至+125°C)和
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:09 ?232次閱讀

    ?Vishay TX3系列固體鉭電容技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay/Sprague TX3固體表面貼裝片式電容器設(shè)計(jì)用于電子煙火系統(tǒng),采用模制外殼,尺寸為3528-21和6032-28。這些T
    的頭像 發(fā)表于 11-12 15:36 ?232次閱讀
    ?<b class='flag-5'>Vishay</b> TX<b class='flag-5'>3</b>系列固體鉭<b class='flag-5'>電容</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    ?Vishay M39003/03 固體鉭電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay Military M39003/03固體電解質(zhì)TANTALEX?電容器符合MIL-PRF-39003軍用規(guī)格。Vishay電容器具有威布爾故障率
    的頭像 發(fā)表于 11-12 14:02 ?244次閱讀
    ?<b class='flag-5'>Vishay</b> M39003/03 固體鉭<b class='flag-5'>電容器</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay Vitramon VJ系列多層陶瓷片式電容器技術(shù)解析

    Vishay/Vitramon VJ系列陶瓷片式電容器是表面貼裝多層電容器,設(shè)計(jì)用于商業(yè)應(yīng)用。此系列陶瓷片式
    的頭像 發(fā)表于 11-11 11:10 ?328次閱讀

    ?Vishay vPolyTan? 聚合物片式電容器技術(shù)解析

    Vishay DLA 04051 vPolyTan? SMT片式電容器具有超低ESR、4.7μF至680μF電容范圍以及2.5V~DC~ 至63V~DC~ 電壓范圍。這些
    的頭像 發(fā)表于 11-11 09:24 ?270次閱讀
    ?<b class='flag-5'>Vishay</b> vPolyTan? <b class='flag-5'>聚合物</b><b class='flag-5'>片式</b><b class='flag-5'>電容器</b>技術(shù)解析

    ?Vishay Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器技術(shù)解析

    采用徑向安裝。規(guī)格包括1μF至140μF電容范圍 、高達(dá)±10%電容公差和THB III級(jí)結(jié)構(gòu),確保濕度下的堅(jiān)固性。Vishay / Ro
    的頭像 發(fā)表于 11-10 10:37 ?267次閱讀
    ?<b class='flag-5'>Vishay</b> Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜<b class='flag-5'>電容器</b>技術(shù)解析

    比較超級(jí)電容器各電極材料的優(yōu)缺點(diǎn)

    超級(jí)電容器采用碳基、導(dǎo)電聚合物和金屬氧化電極,各有優(yōu)劣,適用于不同場(chǎng)景,但成本和循環(huán)穩(wěn)定性仍是挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 09-28 11:05 ?559次閱讀
    比較超級(jí)<b class='flag-5'>電容器</b>各電極材料的優(yōu)缺點(diǎn)

    MIS 片式電容器 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()MIS 片式電容器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有MIS 片式電容器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,MIS 片式
    發(fā)表于 07-30 18:34
    MIS <b class='flag-5'>片式</b><b class='flag-5'>電容器</b> skyworksinc

    推出第四7移動(dòng)平臺(tái)

    通技術(shù)公司今日推出最新7系產(chǎn)品——第四7
    的頭像 發(fā)表于 05-19 15:02 ?1619次閱讀

    推出第四8s移動(dòng)平臺(tái)

    今日,通技術(shù)公司宣布推出第四8s移動(dòng)平臺(tái),該平臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 04-03 17:44 ?1635次閱讀

    通全新一G系列產(chǎn)品組合,全面提升手持游戲設(shè)備體驗(yàn)

    。 ??本季度開始,AYANEO、壹號(hào)方糖和Retroid Pocket等OEM廠商將陸續(xù)推出搭載全新G系列平臺(tái)的手持
    的頭像 發(fā)表于 03-18 09:15 ?2237次閱讀
    <b class='flag-5'>高</b>通全新一<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>驍</b><b class='flag-5'>龍</b><b class='flag-5'>G</b>系列產(chǎn)品組合,全面提升手持<b class='flag-5'>游戲</b>設(shè)備體驗(yàn)

    通發(fā)布全新6 Gen 4移動(dòng)平臺(tái)

    近日,通公司正式推出了其全新的移動(dòng)平臺(tái)——6 Gen 4,官方中文命名為“第四
    的頭像 發(fā)表于 02-13 10:03 ?4787次閱讀