最近設計的幾款芯片，都因為出光角過大被砍了，特別對于multiple Emitter的激光芯片。

Emitter就是有電流注入地方，也就是發(fā)光條。發(fā)光條離得近，會導致熱聚集，因此從散熱角度來看，Emitter距離遠一點好，但是從封裝和應用的人來看，離得近的好，最好是一個Emitter就可以發(fā)個好幾瓦的光。

挖局一下網(wǎng)上資源，看看別人家如何設計的。

這一款就有點像日立的芯片了，腔長1500um，寬度400um，Emitter 75um，二者間距約150um。

在來看下激光器的快軸和慢軸的定義

激光芯片的出光快軸和慢軸是針對Far－field來說的，也就是激光器的遠場。

快軸是垂直于激光芯片正表面的，慢軸是平行于芯片表面的。也可以叫長的是垂直⊥，短的是平行∥。

一般快軸的發(fā)散角大于慢軸，如上圖，大功率的激光芯片，快軸的發(fā)散角基本上是慢軸的3倍以上。

對于更多的Emitter芯片，Emitter也較區(qū)域中心，可能和封裝有關吧。

這個圖就比較直觀一點

所以到底Emitter的間距放大多少合適呢，一曰我放多少你用多少。