一：芯片引腳示意圖

二： 對比差異

表1.AVP32F335與F28335的應(yīng)用對比

三：AD部分的修改

AVP32F335 集成片內(nèi)LDO,外部輸入1.8V（Min1.7V,Max1.9V）經(jīng)LDO轉(zhuǎn)換成1.65V給內(nèi)核供電，具體配置如下:

調(diào)整數(shù)字內(nèi)核電壓【系統(tǒng)默認(rèn)使能，不需要額外添加下述語句】

EALLOW;

*(Uint16*)0x7016=0x0004;

EDIS;

使能調(diào)整模擬電路電壓【建議在ADC初始化程序復(fù)位語句后面添加下述語句】

//使能并調(diào)整模擬內(nèi)核電壓

AdcRegs.ADCTRL1.bit.rsvdl=0x000f;//1111

c. ADC的時鐘頻率建議設(shè)置在12.5Mhz以下（即采樣率不超過6.25MSPS），超過此采樣時鐘可能導(dǎo)致ADC采樣線性度變差

d.針對應(yīng)用中ADC結(jié)果寄存器ADCRESULTn【0x7108-0x7117】和結(jié)果鏡像寄存器ADCRESULTn【0x0B00-0x0B0F】,其結(jié)果數(shù)據(jù)在AVP32F335中位置均為D15-D4,與在F28335使用的D11-D0順序一一對應(yīng)

四：源碼燒錄方法

1.AVP32F335兼容F28335編譯工程環(huán)境，選擇CCS開發(fā)工具進行應(yīng)用程序開發(fā)時，可參照F28335的開發(fā)方式創(chuàng)建工程、調(diào)試程序

2.和F28335不同，AVP32F335采用的獨立的FLASH IP,并提供對應(yīng)的Flash API庫文件供Flash的 擦除、燒寫、校驗等操作，擦寫頻率建議設(shè)置在50MHz參考設(shè)置如下圖

3. Flash API替換文件的路徑參考如下

審核編輯：湯梓紅