雙脈沖測(cè)試是評(píng)估功率開(kāi)關(guān)器件（如IGBT、MOSFET）動(dòng)態(tài)性能的關(guān)鍵方法，廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)的研發(fā)與驗(yàn)證中。今天咱不聊深?yuàn)W的公式，就聊一聊雙脈沖測(cè)試中幾個(gè)最容易忽略踩雷的問(wèn)題：

ANPC拓?fù)渲袃?nèi)管高頻和外管高頻的測(cè)試區(qū)別

例如針對(duì)T2管雙脈沖測(cè)試方法，圖1為常規(guī)測(cè)試方法，主要針對(duì)內(nèi)管工頻的調(diào)制方式；圖2為外管工頻的調(diào)制方式。圖2的換流回路較長(zhǎng)，VCE尖峰往往比圖1要高100V左右，所以在應(yīng)用中，調(diào)制方式會(huì)影響最終的測(cè)試方法及結(jié)果，那能不能都按照最?lèi)毫拥膱D2來(lái)測(cè)試呢？答案是可以，但是會(huì)犧牲一部分損耗和死區(qū)時(shí)間，換言之就是留更多的VCE尖峰余量，看是否可以滿足系統(tǒng)控制要求。

ANPC拓?fù)洳煌l(fā)波邏輯時(shí)，續(xù)流二極管的應(yīng)力怎么測(cè)

三電平測(cè)試中有時(shí)候會(huì)聽(tīng)到說(shuō)測(cè)試T1管的時(shí)候把T3管給炸了，也有說(shuō)測(cè)試的損耗跟仿真結(jié)果不匹配的問(wèn)題，這里就涉及到調(diào)制方法了。例如圖3和圖4對(duì)比來(lái)看，T6管開(kāi)通狀態(tài)下，T1管關(guān)斷后續(xù)流回路有兩條：N-D5-T2-AC和N-T6-D3-AC。這種情況下，反向恢復(fù)二極管就不只是D5，還有D3，那么二極管損耗、尖峰都需要考慮D3管了。

內(nèi)外管關(guān)斷時(shí)序與短路保護(hù)時(shí)間長(zhǎng)短的矛盾

圖五

三電平的時(shí)序邏輯想必大家都很熟悉了，故障時(shí)先關(guān)外管再關(guān)內(nèi)管（也可以是鉗位管）在IGBT應(yīng)用中倒是影響不大，主要還是IGBT的短路耐受能力一般都在10us左右，有足夠的時(shí)間余量來(lái)設(shè)置邏輯，也可以容忍傳輸延遲的影響?？梢坏㏒iC進(jìn)軍三電平，這個(gè)事情就不那么好辦了，3us左右的耐受時(shí)間既要保證安全，又要考慮傳輸和時(shí)序處理，這個(gè)時(shí)候可以用到上述圖5的方法了。副邊檢測(cè)故障之后，先壓低門(mén)極電壓，降低短路損耗，可以給故障上傳和邏輯處理預(yù)留更多的時(shí)間。

//雙脈沖測(cè)試還有以下幾點(diǎn)需要特別注意

必須使用高壓差分探頭測(cè)量開(kāi)關(guān)管兩端電壓，并使用高帶寬電流探頭（如羅氏線圈）測(cè)量電流。在測(cè)試前，務(wù)必校準(zhǔn)不同探頭之間的信號(hào)延時(shí)，對(duì)于高速的SiC或GaN器件，納秒級(jí)的延時(shí)偏差都會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗計(jì)算出現(xiàn)巨大誤差。

多并聯(lián)測(cè)試時(shí)，往往因?yàn)樘筋^的原因沒(méi)法測(cè)試每一個(gè)IGBT的VCE，所以在這之前需要先測(cè)試每個(gè)IGBT的VCE尖峰然后選擇最大的那個(gè)來(lái)當(dāng)作最終的測(cè)試值。這種方法比較常用，但是有一個(gè)注意點(diǎn)：每次電感位置固定后都要重新確定一下VCE最大值在哪里，條件允許的情況下盡量全部檢測(cè)，不允許就要留有足夠的余量。

不要拿20MHz帶寬騙自己，測(cè)試最終的目的是找到最優(yōu)參數(shù)，為整機(jī)可靠運(yùn)行保駕護(hù)航，不是只為了報(bào)告的波形好看。

短路測(cè)試的時(shí)候每次測(cè)試要預(yù)留一定的散熱時(shí)間，不要連續(xù)的觸發(fā)，讓IGBT先“泄泄火”。同時(shí)高溫短路由于漏電流的存在，有時(shí)候會(huì)在門(mén)極關(guān)斷一段時(shí)間后出現(xiàn)炸管，所以要通過(guò)短路波形評(píng)估漏電流的影響。

雙脈沖測(cè)試是電力電子工程師的“基本功”，也是檢驗(yàn)系統(tǒng)可靠性的“試金石”，希望今天的分享能幫大家在調(diào)試路上少炸幾個(gè)管子！