目前全國(guó)有很多電動(dòng)車因充電時(shí)電池溫度過(guò)高，而導(dǎo)致爆炸引起火災(zāi)的情況。作為國(guó)內(nèi)RFID行業(yè)的推動(dòng)者，動(dòng)能世紀(jì)聯(lián)合中科微向IOT應(yīng)用領(lǐng)域推出新款大功率2.4G射頻芯片，并針對(duì)電動(dòng)車防盜、電動(dòng)車充電樁市場(chǎng)推出SI24R2F，為電動(dòng)車標(biāo)簽在防盜的基礎(chǔ)上增加溫度檢測(cè)、安全報(bào)警等功能，能有效防止電動(dòng)車被盜及因電池而引起的火災(zāi)發(fā)生。SI24R2F可兼容之前的SI24R2E，且在性能上大大提升。

Si24R2F是一顆工作在2.45GHz ISM頻段，專為低功耗有源RFID應(yīng)用場(chǎng)合設(shè)計(jì)，集成嵌入式2.45GHz無(wú)線射頻發(fā)射器模塊、64次可編程NVM存儲(chǔ)器模塊以及自動(dòng)發(fā)射控制器模塊等。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz，共有126個(gè)1MHz 帶寬的信道。內(nèi)部集成高PSRR的LDO電源，保證-3.6V寬電源范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

Si24R2F采用GFSK數(shù)字調(diào)制與解調(diào)技術(shù)。數(shù)據(jù)傳輸速率可配置，支持2Mbps、1Mbps和250Kbps 三種數(shù)據(jù)速率。高的數(shù)據(jù)速率可以在更短的時(shí)間完成同樣的數(shù)據(jù)收發(fā)，因此可以具有更低的功耗。芯片輸出功率可調(diào)節(jié)，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合配置相應(yīng)適合的輸出功率，節(jié)省系統(tǒng)的功耗。

Si24R2F針對(duì)低功耗應(yīng)用場(chǎng)合進(jìn)行了特別優(yōu)化，在關(guān)斷模式下，所有寄存器值與FIFO值保持不變，關(guān)斷電流500nA;在待機(jī)模式下，時(shí)鐘保持工作，工作電流為20uA，并且可以在最長(zhǎng)130uS時(shí)間內(nèi)開(kāi)始數(shù)據(jù)的發(fā)射。

Si24R2F開(kāi)啟自動(dòng)發(fā)射功能，內(nèi)部Watchdog與內(nèi)部RCOSC時(shí)鐘工作，內(nèi)部TImer計(jì)時(shí)器開(kāi)始計(jì)時(shí)，芯片工作在睡眠狀態(tài)下，此時(shí)待機(jī)電流僅為500nA。當(dāng)內(nèi)部TImer計(jì)時(shí)器計(jì)滿，自動(dòng)發(fā)射控制器自動(dòng)完成數(shù)據(jù)從NVM存儲(chǔ)器的裝載與發(fā)射，數(shù)據(jù)發(fā)射完成后，芯片立即進(jìn)入睡眠態(tài)。Si24R2F 的平均功耗非常低，特別適合紐扣電池供電的應(yīng)用系統(tǒng)。操作方便，不需要外部MCU，即可以自動(dòng)完成數(shù)據(jù)的裝載與發(fā)射。NVM存儲(chǔ)器可以存儲(chǔ)寄存器配置與發(fā)射的數(shù)據(jù)內(nèi)容，掉電后不會(huì)丟失，數(shù)據(jù)可保持10年以上。在3.3V供電電壓下，無(wú)需外部高壓，外部MCU可以通過(guò)芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程，芯片最大可編程次數(shù)為64次，芯片支持NMV加鎖，防止NVM配置數(shù)據(jù)回讀，保證用戶數(shù)據(jù)安全。

Si24R2F具有非常低的系統(tǒng)應(yīng)用成本，不需要外部MCU，僅少量外圍無(wú)源器件即可以組成一個(gè)有源RFID無(wú)線數(shù)據(jù)發(fā)射系統(tǒng)。

典型應(yīng)用原理圖：

審核編輯：湯梓紅