Si24R2E是一顆工作在2.4GHz ISM頻段，專為低功耗有源RFID應(yīng)用場合設(shè)計，集成嵌入式發(fā)射基帶的無線發(fā)射芯片、128次可編程NVM存儲器以及自動發(fā)射模塊。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz，共有126個1MHz帶寬的信道。

當打開啟自動發(fā)射功能，內(nèi)部Watchdog與內(nèi)部RCOSC工作時，芯片睡眠狀態(tài)下待機電流僅為700nA。當內(nèi)部Timer定時到時，自動發(fā)射控制器自動完成數(shù)據(jù)從NVM的裝載與發(fā)射，數(shù)據(jù)發(fā)射完成后，芯片立即進入睡眠狀態(tài)，因此Si24R2E的平均功耗非常低，對于電池供電應(yīng)用，可以非常容易實現(xiàn)五年以上的待機時間。

Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自動完成數(shù)據(jù)裝載與發(fā)射。NVM存儲器可以存儲寄存器配置與發(fā)射的數(shù)據(jù)內(nèi)容，掉電后不會丟失，數(shù)據(jù)可保持10年以上。在3.3V供電電壓下，無需外部高壓，外部MCU可以通過芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程，芯片最大可編程次數(shù)為128次，芯片支持NMV加鎖，防止NVM配置數(shù)據(jù)回讀，保證用戶數(shù)據(jù)安全。

Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要額外接口，外部微控制器(MCU)通過SPI接口對芯片少數(shù)幾個寄存器配置即可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的發(fā)射，芯片完全兼容Si24R1發(fā)射功能，在不打開自動發(fā)射功能時，芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。

Si24R2E具有非常低的系統(tǒng)應(yīng)用成本，可以不需要外部MCU，僅少量外圍無源器件即可以組成一個無線數(shù)據(jù)發(fā)射系統(tǒng)。內(nèi)部集成高PSRR的LDO電源，保證1.9-3.6V寬電源范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

主要特性：

內(nèi)置128次可編程NVM存儲器

3.3V編程電壓

超低功耗自動發(fā)射功能

內(nèi)置硬件Watchdog

內(nèi)置3KHZ RCOSC

內(nèi)置低電壓自動報警功能

超低關(guān)斷功耗：0.7uA

寬電源電壓范圍：1.9-3.6V

超低待機功耗：<15uA

數(shù)字IO電壓:3.3V/5V

發(fā)射電流(2Mbps):13.5mA(0dBm)

內(nèi)部集成高PSRR LDO

最高發(fā)射功率：7dBm (23mA)

10MHz四線SPI模塊

調(diào)制方式：GFSK/FSK

收發(fā)數(shù)據(jù)硬件中斷輸出

數(shù)據(jù)速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps

完全兼容Si24R2

快速啟動時間：<130uS

完全兼容Si24R1發(fā)射功能

低成本晶振：16MHz±60ppm

QFN20封裝或COB封裝

SI24R2E封裝圖

審核編輯：湯梓紅