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采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性

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氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場(chǎng)。

GaN是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，功率提升3倍，節(jié)能40%，充電速度提高3倍，而尺寸和重量減半。GaNFast功率芯片集成了GaN器件，驅(qū)動(dòng)，保護(hù)和控制功能，擁有體積輕便、快速和高效的性能。截止目前，超過(guò)4000萬(wàn)顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片已發(fā)貨，和GaN相關(guān)的終端故障率為零。

采用GaNSense技術(shù)的NV613x和NV615x系列智能GaNFast氮化鎵功率芯片的連續(xù)運(yùn)行額定電壓已從650V升級(jí)到700V，瞬態(tài)條件下的額定電壓為800V，更高的額定電壓可實(shí)現(xiàn)更高效的電力變壓器電路設(shè)計(jì)，并為世界上一些電壓不穩(wěn)定、變化區(qū)間大且具有極端電壓尖峰的電網(wǎng)的地區(qū)提供更高的功能，自主系統(tǒng)級(jí)監(jiān)控和反應(yīng)確保在 30 ns 內(nèi)實(shí)現(xiàn)“檢測(cè)和保護(hù)”——比離散架構(gòu)快 10 倍。

納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營(yíng)官，首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Dan Kinzer 表示：“GaNFast氮化鎵功率芯片已在移動(dòng)快充市場(chǎng)上提供了最高的可靠性和最高的性能，納微半導(dǎo)體的工程、質(zhì)量和應(yīng)用團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)提供領(lǐng)先的下一代技術(shù)，采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法，使客戶能夠在電源轉(zhuǎn)換和快充充電器設(shè)計(jì)方面進(jìn)行積極創(chuàng)新，并擴(kuò)大其應(yīng)用到全球更多行業(yè)和領(lǐng)域。

在簽署保密協(xié)議后，客戶和設(shè)計(jì)合作伙伴可以立即獲得更新的數(shù)據(jù)表和可靠性報(bào)告。了解詳情，歡迎您點(diǎn)擊原文，到納微官網(wǎng)查詢。