chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

缺陷與SiC功率器件間的可行性之間關(guān)系

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:意法半導(dǎo)體 ? 作者:意法半導(dǎo)體 ? 2022-05-10 09:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

贏得2021 年IRPS(IEEE 國際可靠性物理研討會)最佳論文獎需要什么?每年有數(shù)十萬篇科學(xué)論文出現(xiàn)在電氣和電子工程專業(yè)的出版物中。然而,是什么讓他們中的一個人值得稱贊?為什么一篇關(guān)于MOSFET 擊穿和 4H-SiC 外延缺陷之間相關(guān)性的論文脫穎而出?這篇論文甚至?xí)诮衲戢@得認(rèn)可。隨著IRPS 2022于 3 月 27 日開幕,其貢獻得到了研討會組織者的進一步認(rèn)可。找出為什么 ST 博客與該論文的主要作者 Patrick Fiorenza 以及他的一些合著者 Santi Alessandrino、Fabrizio Roccaforte 和 Alfio Russo 坐下來。

簡而言之,該研究揭示了新發(fā)現(xiàn)的某些缺陷與碳化硅功率器件的可行性之間的關(guān)系。它是 ST 與意大利國家研究委員會微電子與微系統(tǒng)研究所 (Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per la Microelettronica e Microsistemi 或 CNR-IMM) 共同努力的產(chǎn)物。兩個團隊在意法半導(dǎo)體位于意大利卡塔尼亞的場地共享一個空間,在那里他們研究碳化硅、氮化鎵等。因此,讓我們來探討一下他們是如何提出這篇獲獎?wù)撐牡?,以及它如何影響下一代ST 目前正在開發(fā) SiC 功率器件。

非功能性 4H-SiC 模具

為什么要談?wù)?4H-SiC?

研究論文指出了兩類缺陷:短期和長期。其中,最嚴(yán)重的是

t = 0

類型,因為它從一開始就不起作用。這篇論文是獨一無二的,因為它首次揭示了晶體缺陷和故障率之間的直接關(guān)系。

t = 0

4H-SiC。正如我們在關(guān)于汽車碳化硅的博客文章中看到的那樣,4H-SiC 因其物理特性而備受青睞。它在 947 cm 2 /Vs時提供比 6H-SiC 更好的電子遷移率,但由于其六方晶格中的四個雙層原子結(jié)構(gòu),它比 3C-SiC 更容易制造。

是什么導(dǎo)致了這一發(fā)現(xiàn)?

作者解釋了他們?nèi)绾问褂迷恿︼@微鏡和使用掃描電子顯微鏡的橫截面來觀察

t = 0

. 他們發(fā)現(xiàn)存在結(jié)晶沉淀物,或者通俗地說,外延層底部看起來像“巖石”的結(jié)構(gòu),高度約為 1.90 μm。簡而言之,作者試圖理解為什么這些設(shè)備“一到就死”,這使他們更深入地研究并發(fā)現(xiàn)了結(jié)晶沉淀物與缺陷率之間的新關(guān)系。因此,ST 和 CNR-IMM 的論文獲得了該獎項,因為它以一種新的方式探索了 SiC 芯片。

這樣的發(fā)現(xiàn)實現(xiàn)了什么?

自本文發(fā)表以來,ST 學(xué)會了優(yōu)化我們的 4H-SiC 器件的外延反應(yīng)室和制造工藝。因此,該研究展示了對理解 4H-SiC 器件背后物理原理的熱情如何影響實際應(yīng)用。事實上,由于這些發(fā)現(xiàn),意法半導(dǎo)體可以提高產(chǎn)量,從而制造出更具成本效益和更耐用的設(shè)備。反過來,我們可以期待 4H-SiC 功率 MOSFET 滲透到更多的市場和應(yīng)用,從而有助于提高能源效率。隨著社會應(yīng)對能源危機和環(huán)境挑戰(zhàn),積極影響產(chǎn)品能源消耗的能力仍然是一個關(guān)鍵目標(biāo)。

對剩余的 4H-SiC 模具進行壓力測試

揭示了哪些高溫柵極偏置應(yīng)力測試?

一旦研究人員篩選出

t = 0

死后,他們將功能正常的產(chǎn)品放入一個包裝中并對其進行壓力測試。第一個挑戰(zhàn)是高溫柵極偏置應(yīng)力,它提高了柵極氧化物處的電場。科學(xué)家們?nèi)绱伺Φ赝苿舆@些設(shè)備的原因是為了監(jiān)測正常和惡劣條件下的行為。有趣的是,他們注意到一些設(shè)備在 3 MV/cm 時已經(jīng)表現(xiàn)出異常行為。為了了解為什么會發(fā)生這種情況,他們在原子力顯微鏡下檢查了有問題的芯片,結(jié)果顯示柵極氧化物上存在 20 nm 到 30 nm 之間的凸塊。

這一發(fā)現(xiàn)是一項突破,因為它有助于對最初看起來工作正常但在生產(chǎn)過程中幾乎無法發(fā)現(xiàn)的缺陷進行分類。該研究論文不僅解釋了為什么這些器件具有異常的柵極傳導(dǎo),而且還展示了高溫柵極偏置測試的重要性。因此,這些結(jié)果將有助于代工廠更好地監(jiān)控其 SiC 器件的質(zhì)量。

揭示了什么高溫反向偏差?

在第一次壓力測試之后,這些芯片進行了另一次試驗:高溫反向偏置。該基準(zhǔn)持續(xù)了三個月,用于模擬幾十年的正常使用。簡而言之,它幫助作者確定所有設(shè)備在其整個生命周期內(nèi)是否都能正常運行。雖然其中 98% 的人這樣做了,但另外 2% 的人發(fā)現(xiàn)柵極電流異常,柵極電流是正常值的 7 倍。在現(xiàn)實世界的應(yīng)用程序中,這種行為將代表嚴(yán)重的故障。挑戰(zhàn)在于,這個被稱為“無聲殺手”的缺陷雖然一直存在,但只有在多年的正常使用后才會顯現(xiàn)出來。

作者首先使用掃描電子顯微鏡了解出了什么問題,但沒有發(fā)現(xiàn)任何異常。結(jié)果,他們改用透射電子顯微鏡,發(fā)現(xiàn)柵極絕緣體下方的半導(dǎo)體存在缺陷。為了進一步了解它是什么,作者使用了原子力顯微鏡,這使他們能夠發(fā)現(xiàn)高度在 18 nm 和 30 nm 之間的三角形缺陷,具體取決于壓力測試的持續(xù)時間。在這一點上,他們了解到從襯底到外延層存在螺紋位錯。因此,他們使用掃描電容顯微鏡來顯示對 MOSFET 器件的物理影響并解釋其錯誤的電氣行為。

只是因為科學(xué)家們使用了如此多的調(diào)查技術(shù),他們才能夠理解發(fā)生了什么。簡而言之,穿透位錯會影響 4H-SiC 器件的價帶,從而有效地縮小其繃帶。正如我們在博客上多次看到的那樣,SiC 的寬繃帶是該設(shè)備出色的電氣特性的原因。因此,任何導(dǎo)致其收縮的因素都會對結(jié)構(gòu)產(chǎn)生嚴(yán)重的負(fù)面影響。在這種情況下,價帶增加了大約 0.8 eV 到 1 eV,這是很重要的。相比之下,SiC 的繃帶在 2.3 eV 和 3.3 eV 之間變化,而 4H-SiC 則為 3.23 eV。

人類合作取得了什么成就以及為什么如此重要?

作者使用這么多調(diào)查工具的能力直接源于 ST 和 CNR-IMM 之間牢固而深入的合作。因此,除了科學(xué)成就之外,IRPS 2021 最佳論文獎還獎勵了人類的壯舉。多年的互動和為行業(yè)帶來重大貢獻的愿望使 ST 和 CNR-IMM 共享的不僅僅是辦公空間。因此,我們希望與本文分享的經(jīng)驗是與研究機構(gòu)、實驗室等合作的重要性??拷舯诘拇髮W(xué)。聯(lián)系研究人員,看看有哪些合作是可能的。它可能會帶來揭開新謎團的發(fā)現(xiàn)。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • ST
    ST
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1176

    瀏覽量

    130517
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65281
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

    有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)確實有實際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測維護中
    發(fā)表于 06-24 15:10

    理想汽車自研SiC團隊成果:提高SiC MOSFET可靠的方式

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)SiC在電動汽車上的大規(guī)模應(yīng)用,到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時,行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導(dǎo)體功率器件,由于Si
    的頭像 發(fā)表于 06-09 08:03 ?1.2w次閱讀
    理想汽車自研<b class='flag-5'>SiC</b>團隊成果:提高<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET可靠<b class='flag-5'>性</b>的方式

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺跥aN與SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?567次閱讀
    GaN與<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>深度解析

    SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠器件性能之間的權(quán)衡

    碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠器件性能之間進行權(quán)衡。以下是具體分析: 傾佳電子
    的頭像 發(fā)表于 05-05 18:20 ?311次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠<b class='flag-5'>性</b>與<b class='flag-5'>器件</b>性能<b class='flag-5'>之間</b>的權(quán)衡

    SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

    吸收電路參數(shù)之間關(guān)系,并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間,最后通過仿真和實驗驗證該方法的正確。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓?fù)浼捌涞刃щ娐? 雙脈沖電路主電路拓?fù)浣Y(jié)
    發(fā)表于 04-23 11:25

    全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?274次閱讀

    有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

    影響外延片質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會降低外延片的良品率,還可能對后續(xù)器件的可靠產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此,有效抑制SiC外延片掉落物
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:35 ?401次閱讀
    有效抑制<b class='flag-5'>SiC</b>外延片掉落物<b class='flag-5'>缺陷</b>生成的方法

    多載波CDMA2000可行性

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《多載波CDMA2000可行性.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-13 15:17 ?0次下載
    多載波CDMA2000<b class='flag-5'>可行性</b>

    AN-0974: TD-SCMA多載波系統(tǒng)可行性研究

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-0974: TD-SCMA多載波系統(tǒng)可行性研究.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-13 14:12 ?0次下載
    AN-0974: TD-SCMA多載波系統(tǒng)<b class='flag-5'>可行性</b>研究

    功率與熱量產(chǎn)生之間關(guān)系

    功率與熱量產(chǎn)生之間存在密切的關(guān)系,這種關(guān)系在純電阻電路和非純電阻電路中有所不同。 一、純電阻電路中的關(guān)系 在純電阻電路中,電流通過導(dǎo)體時,
    的頭像 發(fā)表于 12-09 11:06 ?4205次閱讀

    SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1250次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特點和優(yōu)勢

    一文詳解SiC的晶體缺陷

    SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:53 ?2252次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>SiC</b>的晶體<b class='flag-5'>缺陷</b>

    SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

    汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC
    的頭像 發(fā)表于 10-16 11:36 ?840次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

    單CPU 雙項目開發(fā)實現(xiàn)更好的維護可行性應(yīng)用說明

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單CPU 雙項目開發(fā)實現(xiàn)更好的維護可行性應(yīng)用說明.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-12 09:42 ?0次下載
    單CPU 雙項目開發(fā)實現(xiàn)更好的維護<b class='flag-5'>性</b>和<b class='flag-5'>可行性</b>應(yīng)用說明

    什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?

    SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:15 ?4349次閱讀