近日獲悉，華為日前又公開(kāi)了2項(xiàng)芯片相關(guān)的發(fā)明專(zhuān)利?！耙环N多芯片堆疊封裝及制作方法”和“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備”。。。

華為此前4月5日公開(kāi)“一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備”專(zhuān)利引起了廣泛關(guān)注，也透露了其從2019年就對(duì)芯片堆疊技術(shù)進(jìn)行布局。近日，華為又公開(kāi)了2項(xiàng)芯片相關(guān)的發(fā)明專(zhuān)利。

國(guó)際電子商情9日國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站查詢發(fā)現(xiàn)，華為公開(kāi)了申請(qǐng)的2項(xiàng)芯片相關(guān)專(zhuān)利——“一種多芯片堆疊封裝及制作方法”和“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備”，申請(qǐng)公布號(hào)分別為CN114450785A和CN114450786A。

圖源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站（下同）

“一種多芯片堆疊封裝及制作方法”

據(jù)公開(kāi)的專(zhuān)利摘要顯示，該專(zhuān)利涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，不僅能夠解決多芯片的應(yīng)力集中問(wèn)題，還能夠以進(jìn)行更多層芯片的堆疊。

“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備”

專(zhuān)利摘要顯示，該專(zhuān)利為一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)（100）及其封裝方法、電子設(shè)備（1），涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，用于解決如何將多個(gè)副芯片堆疊單元（30）可靠的鍵合在同一主芯片堆疊單元（10）上的問(wèn)題。

布局造芯已久

雖然本次公開(kāi)的兩項(xiàng)專(zhuān)利與4月5日公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)時(shí)間均為2019年，但早在2012年，華為便向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專(zhuān)利。這意味著，華為對(duì)芯片堆疊封裝的研究在2012年甚至更早的時(shí)間就已開(kāi)始。而華為官方首次公開(kāi)確認(rèn)芯片堆疊技術(shù)則是在今年3月28日舉行的華為2021年年報(bào)發(fā)布會(huì)上。華為輪值董事長(zhǎng)郭平當(dāng)時(shí)表示，未來(lái)華為可能會(huì)采用多核結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計(jì)方案，以提升芯片性能，同時(shí)采用面積換性能，用堆疊換性能，使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來(lái)的產(chǎn)品里面，能夠具有競(jìng)爭(zhēng)力。

關(guān)于芯片堆疊技術(shù)：1＋1不一定等于2！

國(guó)際電子商情了解到，堆疊技術(shù)也可以叫做3D堆疊技術(shù)，是利用堆疊技術(shù)或通過(guò)互連和其他微加工技術(shù)在芯片或結(jié)構(gòu)的Z軸方向上形成三維集成，信號(hào)連接以及晶圓級(jí)，芯片級(jí)和硅蓋封裝具有不同的功能，針對(duì)包裝和可靠性技術(shù)的三維堆疊處理技術(shù)。

該技術(shù)用于微系統(tǒng)集成，是在片上系統(tǒng)（SOC）和多芯片模塊（MCM）之后開(kāi)發(fā)的先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝制造技術(shù)。 在傳統(tǒng)的SiP封裝系統(tǒng)中，任何芯片堆棧都可以稱(chēng)為3D，因?yàn)樵赯軸上功能和信號(hào)都有擴(kuò)展，無(wú)論堆棧位于IC內(nèi)部還是外部。

目前，3D芯片技術(shù)的類(lèi)別包括：基于芯片堆疊的3D技術(shù)，基于有源TSV的3D技術(shù)，基于無(wú)源TSV的3D技術(shù)，以及基于芯片制造的3D技術(shù)。目前臺(tái)積電、英特爾、三星等國(guó)際半導(dǎo)體廠商都開(kāi)發(fā)了自己的3D芯片封裝技術(shù)。