在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門正全力沖刺,計(jì)劃在2030年前推出1nm工藝,這一技術(shù)被譽(yù)為“夢想半導(dǎo)體”工藝,每個(gè)計(jì)算單
發(fā)表于 04-01 18:47
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硅片表面細(xì)拋光作為實(shí)現(xiàn)超精密加工的關(guān)鍵工序,其核心在于通過精準(zhǔn)調(diào)控拋光布材質(zhì)、拋光液成分及工藝參數(shù),在5-8μm的加工量范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm的極致控制
發(fā)表于 04-01 16:17
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硅片表面拋光作為半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)超光滑、無損傷表面的核心工藝,其核心目標(biāo)在于通過系統(tǒng)性化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除前道工序殘留的微缺陷、應(yīng)力損傷層及金屬離子污染,最終獲得滿足先進(jìn)IC器件要求的局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm
發(fā)表于 03-30 10:28
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SGM2036:300mA低功耗、低壓差射頻線性穩(wěn)壓器的深度解析 一、引言 在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,線性穩(wěn)壓器扮演著至關(guān)重要的角色。SG Micro Corp推出的SGM2036 300mA低功耗
發(fā)表于 03-19 17:20
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深入解析SGM2036S:低功耗、低dropout的RF線性穩(wěn)壓器 引言 在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,線性穩(wěn)壓器扮演著至關(guān)重要的角色。SG Micro Corp推出的SGM2036S是一款低輸入電壓
發(fā)表于 03-19 17:20
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一款性能出色的低噪聲、低電壓和低壓差線性穩(wěn)壓器,能夠?yàn)楸姸嚯娮釉O(shè)備提供穩(wěn)定的電源輸出。本文將深入探討SGM2036 - 0.75的特性、應(yīng)用以及設(shè)計(jì)要點(diǎn),希望能為電子工程師們在實(shí)際設(shè)計(jì)中提
發(fā)表于 03-19 17:20
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隨著物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)通信、人工智能及汽車電子等應(yīng)用的快速發(fā)展,市場對(duì)芯片在算力、能效、集成度與成本等方面提出了更為嚴(yán)格的要求。22nm工藝節(jié)點(diǎn)憑借其在性能、功耗及成本之間的卓越平衡,已成為眾多中高端芯片
發(fā)表于 01-30 16:15
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齊聚一堂,全景展示工業(yè)、汽車、機(jī)器人、能源、通訊、無人機(jī)等重點(diǎn)領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)踐。啟揚(yáng)作為共創(chuàng)合作伙伴,受邀出席本次大會(huì)。步入2026年,AI應(yīng)用迎來規(guī)?;涞兀珹I技
發(fā)表于 01-17 17:52
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)半導(dǎo)體制程在近幾年摩爾定律失效的聲音中依然高歌猛進(jìn),最近韓國半導(dǎo)體工程師學(xué)會(huì)ISE在2026半導(dǎo)體技術(shù)路線圖中,預(yù)測了未來15年的半導(dǎo)體工藝演進(jìn)路徑,
發(fā)表于 01-03 05:58
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集線器,憑借其全面的特性和出色性能,在USB集線器領(lǐng)域占據(jù)重要地位。本文將詳細(xì)剖析TUSB2036的各項(xiàng)特性、技術(shù)規(guī)格以及應(yīng)用設(shè)計(jì),為電子工程師們提供有價(jià)值的參考。 文件下載
發(fā)表于 12-31 15:25
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FinFET是在22nm之后的工藝中使用,而GAA納米片將會(huì)在3nm及下一代工藝中使用。
在
發(fā)表于 09-06 10:37
東芝集團(tuán)將于2025年7月迎來創(chuàng)業(yè)150周年。
發(fā)表于 07-05 11:32
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在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程
發(fā)表于 07-03 15:56
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在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)?2017年,
發(fā)表于 06-20 10:40
測量得到的。具體方法是使測試板反射光(T\')與待測面反射光(S\')發(fā)生干涉,此時(shí)表面S的高度偏差H在干涉圖中表現(xiàn)為2*H(即波前差)。
PanDao軟件默認(rèn)以546.07nm波長(汞綠光
發(fā)表于 05-06 08:45
評(píng)論