自昊芯推出專(zhuān)題講解芯片電機(jī)過(guò)流跳閘保護(hù)以來(lái)，第一期主要講解EPWM_TZ錯(cuò)誤聯(lián)防，本期主要講解EPWM_DC數(shù)字比較，比較器超閾值檢測(cè)將在下期內(nèi)容中講解。

HX2000系列EPWM_DC數(shù)字比較工作原理如下，由DC數(shù)字比較觸發(fā)事件，與被選擇產(chǎn)生：CBC周期限流與OST單次跳閘事件，輸入TZ錯(cuò)誤聯(lián)防模塊，形成三重保護(hù)輸出，觸發(fā)EPWMxA/B動(dòng)作，關(guān)斷過(guò)流輸出的MOSFET橋臂，實(shí)現(xiàn)限流與跳閘保護(hù)，原理如下：

結(jié)合DCTRIPSEL寄存器DCAH/LCOMPSEL與DCBH/LCOMPSEL位選擇，產(chǎn)生數(shù)字比較DCAH/L與DCBH/L信號(hào)引腳為。通過(guò)TZDCSEL寄存器選擇，數(shù)字比較事件的觸發(fā)條件：DCAH/L置低或置高、DCBH/L置低或置高、或DCA/BL置高與DCA/BH置低。通過(guò)DCA/BCTL[EVT1/2SRCSEL]置低，選擇DCAEVT1/2與DCBEVT1/2數(shù)字比較輸出。通過(guò)DCA/BCTL[EVT1/2FRCSYNCSEL]選擇同步或異步采樣，輸出DC錯(cuò)誤聯(lián)防信號(hào)。根據(jù)TZEINT所配中斷使能，通過(guò)TZSEL寄存器選擇，DC事件產(chǎn)生周期CBC或單次OST故障。數(shù)字比較事件，與CBC周期錯(cuò)誤聯(lián)防，在同一觸發(fā)引腳上同時(shí)發(fā)生時(shí)，將按優(yōu)先級(jí)TZA/B>DCA/BEVT1>DCA/BEVT2觸發(fā)EPWMxA/B動(dòng)作。DC故障消除后，可通過(guò)引腳上的指定條件，自動(dòng)清除中斷標(biāo)志，使EPWM波形恢復(fù)，實(shí)現(xiàn)瞬間限流；或手動(dòng)寫(xiě)入TZCLR相應(yīng)標(biāo)志位，清除TZFLG相應(yīng)中斷標(biāo)志位，便于下次DC中斷觸發(fā)。

由此設(shè)計(jì)EPWM_DC實(shí)例：某時(shí)刻驅(qū)動(dòng)板電流（1）過(guò)流：①輸出周期CBC錯(cuò)誤聯(lián)防；輸入(GPIO16)，觸發(fā)EPWM2A置高、EPWM2B置低；②經(jīng)比較器COMP輸出：DC數(shù)字比較事件，輸入，觸發(fā)EPWM3A置高、EPWM3B置低；（2）超越閾值輸出單次OST錯(cuò)誤聯(lián)防，輸入(GPIO17)，觸發(fā)EPWM1A置高、EPWM1B置低，硬件連接如下：

基于以上分析，在CDK上開(kāi)發(fā)EPWM_DC輸出，代碼包括：EPWM與TZ GPIO、初始化、OST、CBC及DC錯(cuò)誤聯(lián)防配置、TZ觸發(fā)EPWM動(dòng)作的中斷服務(wù)程序，主程序調(diào)用。

CDK上開(kāi)發(fā)EPWM_DC輸出程序，編譯結(jié)果為：

編譯通過(guò)后，就可以開(kāi)始調(diào)試了，CBC錯(cuò)誤聯(lián)防事件的調(diào)試結(jié)果如下：

CBC觸發(fā)前與故障消除后的EPWM波形如圖左，觸發(fā)后的EPWM波形如圖右：

DC錯(cuò)誤聯(lián)防事件的調(diào)試結(jié)果如下：

DC觸發(fā)前與故障消除后的EPWM波形如圖左，觸發(fā)后的EPWM波形如圖右：

OST錯(cuò)誤聯(lián)防事件的調(diào)試結(jié)果如下：

OST觸發(fā)前后的EPWM波形如下：

審核編輯：彭靜