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聚焦IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上的封裝環(huán)節(jié) 為IGBT國產(chǎn)化保駕護航

音圈電機及應用 ? 來源:音圈電機及應用 ? 作者:音圈電機及應用 ? 2022-06-13 17:24 ? 次閱讀
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由于新能源汽車、光伏發(fā)電、變頻家電等下游應用需求增加,全球IGBT行業(yè)增長態(tài)勢顯著。據(jù)中信證券測算,2021年IGBT全球市場規(guī)模約550億元,2022年~2025年市場規(guī)模有望保持20%的增速。

據(jù)悉,海外IGBT大廠英飛凌、安森美訂單爆滿。IGBT供需失衡,是國內(nèi)企業(yè)搶占市場,拼技術(shù)的重要時刻,這將直接驅(qū)動IGBT國產(chǎn)化進程。

IGBT作為一種新型功率半導體器件,需要在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下工作,其對穩(wěn)定性、可靠性要求較高,與普通IC芯片相比,IGBT有更多對技術(shù)難題,比如芯片的減薄工藝,背面工藝等。

因而,要最終實現(xiàn)IGBT國產(chǎn)化,不僅需要研發(fā)出一套集芯片設計、晶圓制造、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應用等于一體的成熟工藝技術(shù),更需要先進的工藝設備。

隨著芯片減薄工藝的發(fā)展,對封裝提出了更高的要求。封裝環(huán)節(jié)關(guān)系到IGBT是否能形成更高的功率密度,能否適用于更高的溫度、擁有更高的可用性、可靠性,更好地適應惡劣環(huán)境。

一、IGBT產(chǎn)品分類
按照封裝形式和復雜程度,IGBT產(chǎn)品可以分為裸片DIE、IGBT單管、IGBT模塊和IPM模塊。

1.裸片DIE:由一片晶圓切割而成的多顆裸片DIE;

2.IGBT單管:由單顆DIE封裝而成的IGBT分立器件,電流能力小,適用于家電等領(lǐng)域;

3.IGBT模塊:由多顆DIE并聯(lián)封裝而成,功率更大、散熱能力更強,適用于新能源汽車、高鐵、光伏發(fā)電等大功率領(lǐng)域;

4.IPM模塊:在IGBT模塊外圍增加其他功能的智能功率模塊(IPM);

IGBT被稱成為“功率半導體皇冠上的明珠”,廣泛應用于光伏電力發(fā)電、新能源汽車、軌道交通、配網(wǎng)建設、直流輸電、工業(yè)控制等行業(yè),下游需求市場巨大。IGBT的核心應用產(chǎn)品類型為IGBT模塊。IGBT模塊的市占率能夠達到50%以上,而IPM模塊和IGBT單管分別只有28%左右和20%左右。從產(chǎn)品的投資價值來看,由于IGBT模塊的價值量最大,有利于企業(yè)快速提升產(chǎn)品規(guī)模,其投資價值最大。

二、IGBT封裝技術(shù)

IGBT模塊封裝是將多個IGBT集成封裝在一起,以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性,體積更小、效率更高、可靠性更高是市場對IGBT模塊的需求趨勢。常見的模塊封裝技術(shù)有很多,各生產(chǎn)商的命名也不一樣,如英飛凌的62mm封裝、TP34、DP70等等。

在模塊封裝技術(shù)方面,國內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù),其中中低壓模塊封裝廠家較多,高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國外公司相比,技術(shù)上的差距依然存在。國外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進封裝技術(shù),能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長期可靠性,并初步實現(xiàn)了商業(yè)應用。

此外,不同下游應用對封裝技術(shù)要求存在差異,例如車規(guī)級由于工作溫度高同時還需考慮強振動條件,其封裝要求高于工業(yè)級和消費級。

(1)傳統(tǒng)模塊封裝技術(shù)

傳統(tǒng)的IGBT模塊封裝技術(shù)主要有:金屬覆銅基板布局、芯片鍵合、高溫芯片連接、塑封技術(shù)等,但傳統(tǒng)的模塊封裝技術(shù)未能充分發(fā)揮硅基材料高溫及高頻的作用,封裝技術(shù)的局限性成為 IGBT 模塊應用的瓶頸。

(2)新型模塊封裝技術(shù)方案

目前,最新的IGBT 模塊封裝技術(shù)研發(fā)主要聚焦在低溫燒結(jié)技術(shù)、銅銅鍵合技術(shù)。

三、IGBT封裝設備

研發(fā)出最適合國內(nèi)芯片的封裝設備,通過協(xié)同芯片設計技術(shù)、封裝技術(shù)提高IGBT封裝良品率和可靠性,是我國實現(xiàn)IGBT國產(chǎn)替代的必然。

隨著減薄工藝的發(fā)展,特定耐壓指標的IGBT器件甚至會要求減薄到60~80μm,導致硅片極易破碎、翹曲,這給后期加工加大了難度,同時也意味著對封裝設備要求更高。

貼片是IGBT模塊封裝首要環(huán)節(jié),即將兩個或以上的IGBT芯片和其他芯片貼片到DBC板上。為了確保納米銀膏和芯片、DBC板接觸良好,避免芯片彎折、翹曲、劃片等問題發(fā)生,更柔性、更穩(wěn)定、更精準、更快速高精度芯片貼裝設備是貼片廠商攻占市場的關(guān)鍵。

國奧電機作為國內(nèi)先進半導體封測設備核心部件供應商,能實現(xiàn)IGBT模塊貼裝壓力控制在50g以內(nèi);高精貼片(移動分辨率0.001mm,拾取精度0.01mm),貼裝良率可達99.9%。

國奧電機以±0.1g的精準力控,賦能IGBT高精貼片,為IGBT國產(chǎn)替代進程中的封裝環(huán)節(jié)保駕護航。

高精度對位、貼片,保證良率

微米級位置反饋,獲取精準數(shù)據(jù),±0.01N力控精度,±2μm直線重復定位精度,±0.01°旋轉(zhuǎn)重復定位精度,徑向偏擺小于10μm,編碼器分辨率標準1μm,可在高速運行狀態(tài)下仍穩(wěn)定輸出,提升良率及可靠性。

真空吸取,壓力可控,降低損耗

國奧直線旋轉(zhuǎn)電機采用中空Z軸設計,預留氣管接口,真空吸取、即插即用,并可根據(jù)元件結(jié)構(gòu)及特性提供定制化服務;

帶有“軟著陸”功能,可實現(xiàn)±1.5g以內(nèi)的穩(wěn)定力度控制,支持速度、加速度及力度控制的程序化設定,使貼裝頭能夠以非常精準的壓力觸碰超薄芯片,降低損耗。

“Z+R”軸集成設計,提升速度

創(chuàng)新性的雙軸集成化解決方案,將傳統(tǒng)“伺服馬達+滾珠絲桿”合二為一,解決了Z軸自重負載問題,高速、精準完成元件Pick & Place,貼裝等動作,推力曲線平滑,峰值推力8-50N,有效行程10-50mm ,超高循環(huán)壽命,實現(xiàn)高效生產(chǎn)。

體積小,重量輕,可電機組合排列

直線旋轉(zhuǎn)電機LRS2015重量僅605g,輕巧的機身重量大大減輕了設備高速運動中負載帶來的影響。電機厚度僅為20mm,在設備有限的內(nèi)部空間中可以并排安裝多組電機,減少芯片貼裝往復運動過程,提升設備貼裝效率。

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