從驗(yàn)證高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的高速性能到確保高密度互連（如硅中介層和嵌入式橋）的完整性，Altius能夠?qū)Ξ悩?gòu)集成系統(tǒng)中的各種組件進(jìn)行具有成本效益的晶片或管芯測(cè)試

我們最近發(fā)布了新上市的Altius?垂直MEMS探針卡，旨在解決與2.5 / 3D先進(jìn)封裝技術(shù)相關(guān)的晶圓測(cè)試問(wèn)題。先進(jìn)封裝技術(shù)的使用范圍正在快速擴(kuò)大，這得益于經(jīng)典摩爾定律和晶體管體積的不斷縮小。先進(jìn)的封裝可通過(guò)高密度互連實(shí)現(xiàn)多個(gè)不同芯片的異構(gòu)集成，從而提高了產(chǎn)品性能并減小了芯片尺寸。根據(jù)Yole Développement的說(shuō)法整個(gè)先進(jìn)封裝 市場(chǎng)規(guī)模將以8％的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到2024年將達(dá)到近440億美元。

Altius支持45 μm柵格陣列接觸節(jié)距的超低壓力探測(cè)，并提供可擴(kuò)展的路線圖，以降低未來(lái)的IC封裝節(jié)距。它可以對(duì)異構(gòu)集成系統(tǒng)中的各種組件進(jìn)行具有成本效益的晶片或管芯測(cè)試，從驗(yàn)證高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的高速性能到確保高密度互連（如硅中介層和嵌入式橋）的完整性。

Altius探針卡的一些主要優(yōu)點(diǎn)包括：

• 最小柵格陣列間距為45 μm
• 超低探針力，可通過(guò)硅過(guò)孔或焊料微凸塊直接探測(cè)銅，在超行程運(yùn)行時(shí)每個(gè)探針約1克，具有一流的接觸電阻穩(wěn)定性
• 支持HBM已知良好管芯或已知良好堆棧測(cè)試，> = 3 Gbps測(cè)試速度
• 可擴(kuò)展用于多站點(diǎn)測(cè)試以提高吞吐量，X4能夠支持HBM
• 可通過(guò)混合MEMS探頭進(jìn)行配置，以實(shí)現(xiàn)混合間距微凸點(diǎn)布局

這些功能使Altius探針卡成為當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高的商用邏輯設(shè)備的全球領(lǐng)先測(cè)試平臺(tái)制造的選擇。

審核編輯：符乾江