產(chǎn)品概述：

PT2033N 是一款單通道觸摸檢測(cè)芯片。該芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路，提供穩(wěn)定電壓給觸摸感應(yīng)電路使用，同時(shí)內(nèi)部集成高效完善的觸摸檢測(cè)算法，使得芯片具有穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果。該觸摸芯片專為取代傳統(tǒng)按鍵而設(shè)計(jì)，具有寬工作電壓與低功耗的特性，可廣泛地滿足不同消費(fèi)類應(yīng)用的需求。

主要特性：

工作電壓范圍：2.4~5.5V

工作溫度范圍：-40~85℃

抗干擾性能優(yōu)良：內(nèi)置穩(wěn)壓電路、上電復(fù)位、低壓復(fù)位功能及環(huán)境自適應(yīng)算法等多種措施

待機(jī)工作電流：典型值 1.5uA@VDD=3V/無負(fù)載

按鍵最長響應(yīng)時(shí)間：低功耗模式下約 220ms@VDD=3V

可接外部電容（1~50pF）調(diào)整觸摸靈敏度

輸出模式選擇（TOG）：同步輸出或鎖存（toggle）輸出

PT2033N 為單通道 OD NMOS 輸出（QD）：低電平輸出有效

按鍵最長輸出時(shí)間：12 秒（±30%）

上電約 0.4 秒的初始化時(shí)間，此期間內(nèi)不要觸摸檢測(cè)點(diǎn)，且此時(shí)所有功能被禁止

HBM ESD：大于 5KV

封裝形式：SOT23-6、DFN2x2-6L

封裝及引腳說明：

功能描述：

輸出模式和選項(xiàng)腳位

TOG 選項(xiàng)腳位為鎖存類型：上電默認(rèn)狀態(tài)為 0，若上電前管腳被接至 VDD，則上電后狀態(tài)變?yōu)?1，

且不會(huì)有電流漏電。

TOG 腳位：選擇同步輸出或鎖存（toggle）輸出。

按鍵最長輸出時(shí)間

若有物體覆蓋觸摸盤或環(huán)境突然變化，可能導(dǎo)致觸摸檢測(cè)持續(xù)有效。IC 內(nèi)部觸控算法檢測(cè)到輸出有

效持續(xù)時(shí)間達(dá)到設(shè)定值 12S（±30%）時(shí)，系統(tǒng)會(huì)回到上電初始狀態(tài)，且輸出變?yōu)闊o效。

低功耗模式

PT2033N 在低功耗模式下運(yùn)行，可節(jié)省功耗，在此模式下偵測(cè)到按鍵觸摸后會(huì)切換至快速模式，直

到按鍵觸摸釋放，并保持約 10 秒快速模式，然后返回低功耗模式。

靈敏度調(diào)整

IC 觸摸管腳上的等效電容大小會(huì)影響靈敏度，靈敏度調(diào)整必須符合 PCB 的實(shí)際應(yīng)用，下面是一些調(diào)

整靈敏度的方法：

1) 調(diào)整觸摸盤大?。?/p>

在其它條件不變的情況下，使用較大的觸摸盤尺寸可增加靈敏度，反之則會(huì)降低靈敏度；但觸摸

盤尺寸必須在有效范圍內(nèi)。

2) 調(diào)整介質(zhì)面板厚度：

在其它條件不變的情況下，使用較薄的介質(zhì)可增加靈敏度，反之則會(huì)降低靈敏度。

3) 調(diào)整 Cs 電容值

在其它條件不變的情況下，觸摸盤上未接對(duì)地 Cs 電容時(shí)，靈敏度最高，反之 Cs 電容越大靈敏

度變低，Cs 電容可用范圍：（1≦Cs≦50pF）

應(yīng)用電路：

審核編輯：湯梓紅