中科院研發(fā)2nm芯片 中科院攻克2nm芯片關(guān)鍵技術(shù)
現(xiàn)階段全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm工藝制程上，臺(tái)積電、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息。
晶體管是多種多樣的，以適應(yīng)不同的無(wú)需求，每一種結(jié)構(gòu)，各有特點(diǎn)，對(duì)芯片性能影響很大。在22、16、12、7等工藝節(jié)點(diǎn)上各大廠商都在使用FinFET工藝（鰭式晶體管）和5nm、3nm節(jié)點(diǎn)上使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。而我國(guó)現(xiàn)目前因美國(guó)等國(guó)家制裁政策禁止GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)向我國(guó)提供的原因，英寸在2nm制程工藝上采用我國(guó)新研發(fā)的垂直納米環(huán)柵晶體管。
據(jù)了解，中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)更加先進(jìn)，可以用于2納米以下工藝。這種新型晶體管技術(shù)是2nm制程的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，也就是說(shuō)在2nm制程上，我國(guó)已經(jīng)成功取得了突破。
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審核編輯：郭婷
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