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燦芯半導(dǎo)體推出用于高速DDR物理層中的兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)

燦芯半導(dǎo)體BriteSemi ? 來(lái)源:燦芯半導(dǎo)體BriteSemi ? 作者:燦芯半導(dǎo)體BriteS ? 2022-07-07 09:07 ? 次閱讀
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中國(guó)上?!?022年7月7日——一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency (零延遲)和True-Adaptive(真自適應(yīng))兩項(xiàng)技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進(jìn)行部署,將為客戶帶來(lái)更高效、更穩(wěn)定的全新體驗(yàn)。

Zero-Latency (零延遲) 技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上,采用了兩種可選的、獨(dú)特的采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進(jìn)行跨時(shí)鐘域轉(zhuǎn)換,此技術(shù)將延遲降低到最小,節(jié)省了硅面積。

True-Adaptive (真自適應(yīng))技術(shù)始終對(duì)芯片內(nèi)的電壓溫度、芯片與顆粒之間的往返延遲的變化以及讀數(shù)據(jù)/讀數(shù)據(jù)選通信號(hào)的延遲偏差進(jìn)行跟蹤,選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償。采用這個(gè)技術(shù)后,用戶只需上電后進(jìn)行一次訓(xùn)練,之后即讓物理層自行跟蹤補(bǔ)償,可完全避免重新訓(xùn)練帶來(lái)的帶寬損失。

燦芯半導(dǎo)體工程副總裁劉亞?wèn)|表示:“燦芯半導(dǎo)體深耕DDR物理層技術(shù)多年,一直致力于創(chuàng)新架構(gòu)革新,采用基于這些技術(shù)的物理層IP的客戶正不斷增加,未來(lái)燦芯半導(dǎo)體也將致力于更好地滿足客戶需求,為客戶帶來(lái)更高的價(jià)值?!?/p>

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:燦芯半導(dǎo)體推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

文章出處:【微信號(hào):BriteSemi,微信公眾號(hào):燦芯半導(dǎo)體BriteSemi】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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