??????2025年12月3-4日，由“行家說三代半”主辦的“碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮”在深圳圓滿落幕。意法半導(dǎo)體（ST）受邀出席，憑借在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與市場深耕，一舉斬獲兩項大獎——“2025年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎”，以及ST首款專為電機控制設(shè)計的600V半橋功率GaN及驅(qū)動器GANSPIN611榮獲的“2025年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”！

▲圖片來源：活動主辦方行家說三代半

大會現(xiàn)場，意法半導(dǎo)體功率器件技術(shù)市場經(jīng)理潘虹發(fā)表《不同氮化鎵GaN技術(shù)路線的性能邊界與市場應(yīng)用探索》主題演講，深度分享ST在分立功率氮化鎵技術(shù)的布局思路，以及構(gòu)建GaN合作生態(tài)的實踐與未來展望。

▲圖片來源：活動主辦方行家說三代半

全棧布局：從技術(shù)到供應(yīng)鏈的核心競爭力

作為功率電子領(lǐng)域的革新性技術(shù)，GaN正以其卓越性能重構(gòu)各行各業(yè)的能源效率標(biāo)準，而ST憑借深厚的技術(shù)積淀與全產(chǎn)業(yè)鏈布局，正成為這場變革的核心推動者。

ST PowerGaN為不同行業(yè)帶來定制化解決方案。在消費電子與機器人領(lǐng)域，ST的100V系列產(chǎn)品，電阻低至1.5-3.5mΩ，完美適配移動快充、筆記本適配器、人形機器人電源；在服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心，700V EN-FCLGA封裝產(chǎn)品支持HVDC轉(zhuǎn)換與中間總線變換器，助力實現(xiàn)高效供電；工業(yè)能源領(lǐng)域，從光伏直流優(yōu)化器、戶用微型逆變器到儲能系統(tǒng)，23-70mΩ的700V產(chǎn)品提供穩(wěn)定可靠的功率支撐；而在汽車領(lǐng)域，ST PowerGaN覆蓋400V/800V車載充電機、DC-DC轉(zhuǎn)換器、牽引逆變器等核心場景，100V到1200V全電壓區(qū)間產(chǎn)品滿足不同車型需求。

這些產(chǎn)品的卓越性能，源于ST前沿的技術(shù)平臺與供應(yīng)鏈布局。ST采用GaN-on-Silicon常關(guān)型技術(shù)，基于p-GaN工藝打造，從GaN外延到功率器件制造實現(xiàn)垂直整合，目前正推進8英寸晶圓的自研生產(chǎn)。在供應(yīng)鏈方面，ST構(gòu)建了全decoupled雙源供應(yīng)體系，意大利卡塔尼亞工廠將于2025年第二季度啟動前端生產(chǎn)，2027年實現(xiàn)滿產(chǎn)，配合多家成熟合作伙伴，確保產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)與技術(shù)差異化優(yōu)勢。

在產(chǎn)品規(guī)劃上，ST PowerGaN呈現(xiàn)出全面覆蓋、持續(xù)迭代的清晰路線。2025年，ST推出多款量產(chǎn)產(chǎn)品；2026-2027年，從30V低壓到1200V高壓，從單向?qū)ǖ诫p向開關(guān)，從1.5mΩ到350mΩ不同導(dǎo)通電阻規(guī)格的產(chǎn)品將陸續(xù)落地，搭配多樣化封裝，滿足從消費級到工業(yè)級、汽車級的全場景應(yīng)用。

場景實證：GaN技術(shù)賦能多領(lǐng)域高效升級

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域是GaN的重要戰(zhàn)場。在800VDC供電架構(gòu)下，從高壓整流到核心供電的三級功率轉(zhuǎn)換，都離不開GaN器件的支撐。一個1MW規(guī)模的數(shù)據(jù)中心機柜，需要采購價值180萬美元的GaN器件，其中低壓GaN更是需求主力。ST的全系列產(chǎn)品覆蓋650V、100V、30V等電壓等級，憑借低損耗、高頻率特性，助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)更高能效、更小機房空間占用，降低整體運營成本。

在140W USB PD3.1充電器測試中，SGT080R70ILB產(chǎn)品相比競品650V GaN器件，不僅擊穿電壓提升至700V，結(jié)殼熱阻低至0.52℃/W，在115Vac電壓下效率更優(yōu)，230Vac全負載場景下效率表現(xiàn)穩(wěn)定，且傳導(dǎo)EMI性能與競品持平，完全滿足終端產(chǎn)品的嚴苛要求。

在洗衣機的電機控制測試中，SGT105R70ILB與傳統(tǒng)IGBT的對比測試更能凸顯GaN的優(yōu)勢。在100-300W功率區(qū)間，GaN器件的效率始終優(yōu)于IGBT 5-8個百分點，功率損耗僅為IGBT的一半左右；即使在600W滿負載穩(wěn)態(tài)運行下，GaN的結(jié)溫最高僅82.4℃，熱性能優(yōu)異，為消費電子設(shè)備的高可靠性提供堅實保障。

針對新能源汽車OBC應(yīng)用場景，ST創(chuàng)新推出GaN雙向開關(guān)（BDS）。這款產(chǎn)品采用橫向HEMT結(jié)構(gòu)，共享漏極漂移區(qū)，相比傳統(tǒng)垂直結(jié)構(gòu)器件大幅縮減芯片面積，可替代傳統(tǒng)背對背開關(guān)，支持維也納整流器、T型逆變器等拓撲，還能賦能電流源逆變器等新型拓撲方案。在OBC拓撲對比中，基于650V GaN BDS的矩陣DAB方案，效率和功率密度均優(yōu)于SiC方案，AC電感體積更小，為汽車電驅(qū)系統(tǒng)的小型化、高效化提供了全新可能。

從消費電子快充到新能源汽車電驅(qū)，從工業(yè)能源系統(tǒng)到數(shù)據(jù)中心供電，ST PowerGaN以全方位技術(shù)優(yōu)勢、全場景產(chǎn)品布局、全可靠供應(yīng)鏈保障，為各行各業(yè)賦能。技術(shù)創(chuàng)新始于用戶需求，ST將持續(xù)深耕GaN技術(shù)，與全球合作伙伴攜手，共創(chuàng)更高效、更可持續(xù)的功率電子新生態(tài)！