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NP60P02G 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-07 16:03 ? 次閱讀
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描述

NP60P02G采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供卓越的RDS(ON)

一般特征

較低的門

電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。

?VDS = -20v id

R

= -60

DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS

R

= -4.5 v

DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS

?為超低R設(shè)計(jì)的高密度電池

= -2.5 v

?充分描述雪崩電壓和電流

DS(上)

?穩(wěn)定性好,均勻性好,E值高

?優(yōu)秀的包裝,良好的散熱

作為

應(yīng)用程序

?負(fù)荷開關(guān)

?- 252 - 2 - l

poYBAGLGksSAafN2AADNozdJc_Q645.png

訂購(gòu)信息

poYBAGLGkt-AF7DIAAA0asWrTc0552.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLGkveAIdrfAADEoh5A8gI608.png

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLGkxCAeICTAAJs_mVKN4k247.png

注:1:脈沖測(cè)試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。

2:設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。
熱特性

poYBAGLGkzKAddedAABFpybGoHk141.png


審核編輯 黃昊宇

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