前言：

很久之前的自己在調(diào)試電路遇到的一個問題，歡迎留言區(qū)分享自己調(diào)試電路時的小插曲。

功能介紹：

如下電路圖 1 是某開關(guān)控制電路，所用關(guān)鍵元器件是NMOS，我們知道對于：

NMOS：Ug》Us時導通，（簡單認為）Ug=Us時截止；

PMOS：Ug《Us時導通，（簡單認為）Ug=Us時截止；

但是Ug比Us大（或小）多少伏時MOS管才會飽和導通呢？

圖 1

問題點：

單片機軟件輸出高電平（5V系統(tǒng)）時，無法控制Q1閉合。

分析解決過程：

按照我們設(shè)計的預(yù)期：對于NMOS來講，當單片機輸出高電平的時候，

柵源之間電壓：

Ugs=5*10/11≈4.5V，

查看Q1數(shù)據(jù)手冊如下圖 2，MOS管正常的開啟電壓在1.3V就導通了，在4.5V時候?qū)娮鑂ds就只有75mΩ（Typ）了。

圖 2

按道理應(yīng)該可靠閉合的才對。實測測量Q1柵源之間的電壓發(fā)現(xiàn)實際電壓只有0.38V左右，還不到最小開啟電壓。這個值顯然是單片機輸出被電阻分壓了，后來和軟件同事一起討論時問了單片機輸出口是怎樣設(shè)置的，帶著疑惑去程序中查看，發(fā)現(xiàn)控制Q1的IO口被設(shè)置成了弱上拉模式，此款芯片的弱上拉相當于是通過100K電阻接到+5V電源上，如下示意圖 3：

圖 3

經(jīng)分壓計算出Ugs=10/（100+1+10）≈0.45V，跟理論0.39V基本吻合，查到問題關(guān)鍵之后將此IO口改為推挽輸出電路就能實現(xiàn)正常功能了。

原文標題：單片機IO口設(shè)置錯誤引起的“電路故障”

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