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NP2305MR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-09 11:38 ? 次閱讀
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描述

NP2305MR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕

技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵

在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作

1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)

或在PWM應(yīng)用中。

一般特征

?VDS = -20v, id = -4a

RDS(上)(Typ) = 42 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 55 mΩ@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?SOT-23-3L

pYYBAGLI982AXA8-AABg9B0PGxY138.png

訂購信息

poYBAGLI9-OAaEBrAAA1dPMtemE766.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLI9_eARwQTAACTkyeLnpo324.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLI-BGAAdOfAAIWS5FiJz0864.png

注:

a.表面安裝在FR4板上,t≤10秒

B.脈沖測試:脈寬≤300μs,占空比≤2%

C.設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)

熱特性

poYBAGLI-CmAe0igAAAb5hh4hDU438.png

審核編輯 黃昊宇

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