仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款 P - 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借 -20V 耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于 PWM 應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：P - 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：-20V，適配低壓負(fù)電源供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-2.5V\)時(shí)典型值16.5mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí)典型值13mΩ，低壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：-10A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為-6.5A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá) **-40A**，滿足負(fù)載瞬時(shí)過載需求。

二、核心特性

• 低導(dǎo)通電阻與高功率處理：13~16.5mΩ 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，搭配 -10A 連續(xù)電流能力，大幅降低低壓負(fù)電源場(chǎng)景下的傳導(dǎo)損耗，支持高效功率管理；
• 表面貼裝封裝適配：采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的小型化設(shè)計(jì)需求；
• 多場(chǎng)景適配性：PWM 控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景均可高效應(yīng)用，滿足不同功率拓?fù)涞拈_關(guān)需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±12V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：13W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合 PCB 敷銅、散熱焊盤等設(shè)計(jì)保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 雪崩特性：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達(dá)25mJ，在感性負(fù)載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 熱特性：結(jié)殼熱阻（\(R_{thJC}\)）9.3℃/W，需通過封裝與 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化熱管理；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN3X3-8L 表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應(yīng)用：
  • PWM 應(yīng)用：在 PWM 控制的功率回路中作為開關(guān)管，低導(dǎo)通電阻特性提升控制精度與效率；
  • 負(fù)載開關(guān)：用于各類電子設(shè)備的負(fù)載通斷控制，-10A 電流能力支持中功率負(fù)載切換；
  • 電源管理：為低壓負(fù)電源系統(tǒng)的電源分配、電壓調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)提供高效開關(guān)，保障電源管理穩(wěn)定性。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）