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      NP2016 20v n溝道增強型MOSFET概述

      啊啊啊得得得 ? 來源：啊啊啊得得得 ? 作者：啊啊啊得得得 ? 2022-07-12 17:19 ? 次閱讀
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      描述

      NP2016使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費操作門電壓2.5 v。Thisdevice適合作為負荷開關或脈寬調制應用程序。

      一般特征

      ? VDS =20V，ID R = 16

      DS(上)(Typ) = 11.5 m?@VGS R= 2.5 v

      DS(上)(Typ) = 9 m?@VGS = 4.5 v

      ? High 功率 和 電流 處理 能力

      ? Lead 免費 產品

      ? Surface 安裝 包

      應用程序

      ? PWM 應用 程序

      ?負荷開關包

      ? DFN2*2-6L-B

      原理圖

      poYBAGLNOniALe4cAAAMEPZ2e04168.png

      標記和引腳分配

      DFN2 * 2-6L-B

      (厚度0.55毫米)

      pYYBAGLNOziAOGI3AABIETMhaZU154.png

      訂購信息

      pYYBAGLNO3CAELjQAAAzVO78k2w076.png

      典型的性能特征

      poYBAGLNPHCAFZzvAACmLZI1ADY775.png

      審核編輯：湯梓紅

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