關(guān)于這個(gè)問題，我們看看身邊的同行都是如何回答的吧：

工程師A：這個(gè)問題其實(shí)。..說白了主要是大家都在用，或者說大部分時(shí)候it works。

其實(shí)多看一些電源完整性相關(guān)的資料能發(fā)現(xiàn)不少討論，100nF的去耦電容作用頻段一般認(rèn)為是幾MHz到二三十MHz，再配合板上的bulk電容，能實(shí)現(xiàn)從很低頻到二三十MHz這個(gè)頻段內(nèi)全程較低的電源阻抗，大部分的應(yīng)用已經(jīng)夠用了。另外一方面因?yàn)榇蠹倚纬闪擞?00nF去耦的習(xí)慣，這樣的電容通常也有大量的庫存，采購價(jià)格也便宜，所以也沒必要標(biāo)新立異去選其它容值，比如82nF，效果可能差不多，但你這么用，采購的同事肯定會(huì)找你的麻煩。

另外一方面，現(xiàn)在大量的高速IC尤其是高速數(shù)字IC會(huì)集成高頻去耦電容，所以片外只用搞一些相對(duì)低頻的去耦就夠了，一般做法就是搞一堆幾百nF級(jí)別的電容。而且片上集成的高頻去耦電容的效果比板上的強(qiáng)多了，板上去耦電容作用頻段的極限大概就兩三百M(fèi)Hz吧，對(duì)于現(xiàn)在動(dòng)輒幾百M(fèi)Hz往上的時(shí)鐘頻率來說主要起安慰效果。

其他容值的去耦電容也不是不用，低頻模擬電路就會(huì)用上uF級(jí)別的去耦電容，PLL啊時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器啥的又可能用上pF級(jí)別的，需要具體情況具體分析，分析不來懟個(gè)100nF上去大部分情況下沒啥問題。我最近遇到個(gè)問題，用1nF的去耦電容效果比用100nF的好，因?yàn)樾枰饔玫念l段是200MHz左右。

工程師B：放很多100nf是粗糙的設(shè)計(jì)，合理的做法是做PDN仿真，在電源平面所有頻段控制阻抗?jié)M足要求。

100nF電容成本較低，在不做詳細(xì)分析時(shí)，多放置一些，可以在1～100MHz之間都提供較低的交流阻抗，因此一般也沒什么問題。

不考慮成本，同封裝下容量越大濾波效果越好，1uF 0402比100nF 0402在全頻段濾波效果都好。

工程師C：100nF電容可以更好地去除高頻分量，小電容通常具有低ESR、低引線和內(nèi)部電感、較高的自諧振頻率和較高頻率下的低阻抗。所以，在高頻數(shù)字電路的PCB板上，100nF很重要，然后作為一種設(shè)計(jì)習(xí)慣，這種方式被應(yīng)用于很多數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，成為一種規(guī)范。但其實(shí)，在以往調(diào)試很多電路板時(shí)，這種退耦效果可能并不能量化和直觀體現(xiàn)出來，是極端環(huán)境下的一種性能提升。

退藕電容并不是一個(gè)精確數(shù)值，因?yàn)槊總€(gè)電路的情況都不一樣，也不一定要100nF，而且常用較多的100nF是5%精度，對(duì)精度要求并不高，但100nF電容量大，封裝可以做到很小，容易制造，成本低，方便采購。前提是100nF對(duì)大部分?jǐn)?shù)字IC來說，有較好的表現(xiàn)。

最后，你們對(duì)這個(gè)問題，怎么看，歡迎將你的想法打在評(píng)論區(qū)？