chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

硅作為半導(dǎo)體材料所具備的特性還不夠理想

3DInCites中文 ? 來源:3DInCites中文 ? 作者:3DInCites中文 ? 2022-08-02 15:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

硅是地球上最豐富的元素之一,它已經(jīng)成為許多現(xiàn)代技術(shù)的基礎(chǔ),從太陽能電池到計(jì)算機(jī)芯片。但硅作為半導(dǎo)體材料所具備的特性還不夠理想。

一方面,盡管硅可以讓電子輕松地在其結(jié)構(gòu)中穿行,但它對(duì)“空穴”(電子正電荷對(duì)應(yīng)物)的適應(yīng)能力要差得多,而這對(duì)某些類型的芯片來說,這兩者都很重要。此外,硅不善于導(dǎo)熱,這就是為什么計(jì)算機(jī)中存在過熱問題并需配備昂貴的冷卻系統(tǒng)的原因。

現(xiàn)在,麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其他機(jī)構(gòu)的一個(gè)研究人員團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn),表明一種稱為立方砷化硼的材料克服了這兩個(gè)限制。它可為電子和空穴都提供高遷移率,并具有良好的導(dǎo)熱性。研究人員表示,這是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料。

目前為止,立方砷化硼只在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行小批量生產(chǎn)和測(cè)試。研究人員不得不使用最初由前麻省理工學(xué)院博士后Bai Song開發(fā)的特殊方法來測(cè)試材料中的小區(qū)域。要確定立方砷化硼能否以實(shí)用、經(jīng)濟(jì)的方法制造出來,還需要做更多的工作,更不用說取代無處不在的硅了。但研究人員表示,即使在不久的將來,這種材料也可能在某些用途中發(fā)揮重要作用,其獨(dú)特的特性將產(chǎn)生重大影響。

早期研究,也包括了David Broido的研究工作,他從理論上預(yù)測(cè)了這種材料將具有高導(dǎo)熱性;隨后的研究工作通過實(shí)驗(yàn)證明了這一預(yù)測(cè)。這項(xiàng)最新的研究通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)了Chen團(tuán)隊(duì)在2018年做出的一個(gè)預(yù)測(cè),并完成了分析:立方砷化硼對(duì)電子和空穴都具有非常高的遷移率,“這使得這種材料非常獨(dú)特,”Chen表示。

早期的實(shí)驗(yàn)表明,立方砷化硼的熱導(dǎo)率幾乎是硅的10倍?!八?,就僅散熱來說它就非常有吸引力,”Chen說道。他們還證實(shí)了,該材料具有很好的帶隙,這一特性使其成為半導(dǎo)體材料具有很大的潛力。

現(xiàn)在,新的研究工作填補(bǔ)了這一空白,表明了砷化硼具有電子和空穴的高遷移率,具備理想半導(dǎo)體所需的所有主要特性。Chen表示:“這很重要,因?yàn)樵诎雽?dǎo)體中,正電荷和負(fù)電荷是相等的。因此,如果你制造一個(gè)器件,你需要一種電子和空穴移動(dòng)時(shí)電阻都較小的材料。”

硅具有良好的電子遷移率,但空穴遷移率較差,而其他材料,如廣泛應(yīng)用于激光器的砷化鎵,同樣對(duì)電子具有良好的遷移率,但是對(duì)空穴則沒有。

“散熱是許多電子產(chǎn)品的主要瓶頸,”研究人員Shin表示,“在包括特斯拉Tesla)在內(nèi)的主要電動(dòng)汽車行業(yè)中,碳化硅正在取代硅作為電力電子產(chǎn)品材料,因?yàn)楸M管碳化硅的電遷移率較低,但其導(dǎo)熱系數(shù)比硅高出三倍。想象一下,砷化硼可以實(shí)現(xiàn)什么樣的效果,其導(dǎo)熱系數(shù)是硅的10倍,遷移率要高得多。它可以改變游戲規(guī)則?!?/p>

Shin補(bǔ)充道:“使這一發(fā)現(xiàn)成為可能的關(guān)鍵里程碑是麻省理工學(xué)院超快激光光柵系統(tǒng)的進(jìn)步,”這一系統(tǒng)最初由Song開發(fā)。他表示,如果沒有這種技術(shù),就不可能證明這種材料對(duì)電子和空穴的高遷移率。

他表示,立方砷化硼的電子特性最初是根據(jù)Chen團(tuán)隊(duì)的量子力學(xué)密度函數(shù)預(yù)測(cè)得出的,這些預(yù)測(cè)現(xiàn)在已經(jīng)通過麻省理工學(xué)院的實(shí)驗(yàn)得到驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)使用了Ren和休斯頓大學(xué)團(tuán)隊(duì)成員制作的樣品的光學(xué)檢測(cè)方法。

研究人員表示,這種材料的導(dǎo)熱性不僅是所有半導(dǎo)體中最好的,而且在所有材料中,它的導(dǎo)熱性排名第三,僅次于金剛石和富含同位素的立方氮化硼。Chen說道:“現(xiàn)在,我們預(yù)測(cè)了電子和空穴的量子力學(xué)行為,也是根據(jù)第一原理,這也被證明是正確的?!?/p>

他表示:“這令人印象深刻,因?yàn)槌耸┲?,我不知道還有任何其他材料具有所有這些特性?!?/p>

Chen表示,現(xiàn)在我們面臨的挑戰(zhàn)是找出切實(shí)可行的方法,生產(chǎn)足夠多的這種材料。目前制造這種材料的方法智能產(chǎn)生非常不均勻的材料,因此團(tuán)隊(duì)必須找到方法來對(duì)一小塊材料進(jìn)行測(cè)試,使這些小塊材料足夠均勻以提供可靠的數(shù)據(jù)。雖然他們已經(jīng)證明了這種材料的巨大潛力,“但我們不知道它是否會(huì)被實(shí)際使用,也不知道它會(huì)在哪里使用,”Chen說道。

“硅是整個(gè)行業(yè)的主力軍,”Chen表示。“所以,好吧,我們有了一種更好的材料,但它真的會(huì)在這個(gè)行業(yè)中作為后備軍嗎?我們不知道?!彪m然這種材料看起來幾乎是一種理想的半導(dǎo)體,“但它是否真的能用來制造一個(gè)器件并取代當(dāng)前市場(chǎng)的一部分,我認(rèn)為這還有待證明?!?/p>

雖然熱性能和電性能已經(jīng)被證明是優(yōu)異的,但一種材料還有許多其他性能有待測(cè)試,例如其長(zhǎng)期穩(wěn)定性?!耙圃炱骷?,還有許多其他因素我們還不知道?!盋hen表示。

他補(bǔ)充說道:“這真的很重要,人們甚至沒有真正注意到這種材料?!爆F(xiàn)在,砷化硼的理想特性已經(jīng)變得更加清楚,這表明該材料“在許多方面是最好的半導(dǎo)體,”他說道,“也許行業(yè)會(huì)對(duì)這種材料給予更多關(guān)注?!?/p>

對(duì)于其商業(yè)應(yīng)用,Ren表示:“一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)是如何像硅一樣有效地生產(chǎn)和提純立方砷化硼。硅花了幾十年的時(shí)間才贏得桂冠,其純度超過99.99999%?!?/p>

硅已獲市場(chǎng)肯定,Chen表示:“確實(shí)需要更多的人開發(fā)出不同的方法來制造更好的材料并對(duì)其進(jìn)行表征?!?/p>

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    337

    文章

    30307

    瀏覽量

    261687
  • 電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    2014

    瀏覽量

    93272
  • 半導(dǎo)體材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    575

    瀏覽量

    30764

原文標(biāo)題:它會(huì)成為最好的半導(dǎo)體材料嗎?

文章出處:【微信號(hào):gh_961d148c74dc,微信公眾號(hào):3DInCites中文】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SiC 碳化硅半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料

    引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-08 07:20 ?427次閱讀
    SiC 碳化硅<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>功率器件導(dǎo)熱絕緣<b class='flag-5'>材料</b><b class='flag-5'>特性</b>研究 | 二維氮化硼熱管理<b class='flag-5'>材料</b><b class='flag-5'>材料</b>

    從直流到高頻,半導(dǎo)體材料特性參數(shù)的全面表征與測(cè)量

    " 的角色,它不僅能檢測(cè)材料導(dǎo)電性、絕緣性等基礎(chǔ)性能,更能揭示原子尺度的微觀奧秘,成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力。在半導(dǎo)體領(lǐng)域,電磁特性測(cè)試如同材料
    的頭像 發(fā)表于 10-17 11:44 ?365次閱讀
    從直流到高頻,<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b>電<b class='flag-5'>特性</b>參數(shù)的全面表征與測(cè)量

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。 本書可
    發(fā)表于 07-11 14:49

    與其他材料在集成電路中的比較

    與其他半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的比較可從以下維度展開分析。
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:09 ?1569次閱讀

    半導(dǎo)體表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用

    半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:09 ?1899次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>硅</b>表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用

    第一代半導(dǎo)體被淘汰了嗎

    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的百年發(fā)展歷程中,“第一代半導(dǎo)體是否被淘汰”的爭(zhēng)議從未停歇。從早期的鍺晶體管到如今的基芯片,以為代表的第一代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:38 ?946次閱讀
    第一代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>被淘汰了嗎

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

    摻雜的半導(dǎo)體材料可以滿足要求。本文不介紹駐極體材料,重點(diǎn)介紹P型摻雜的半導(dǎo)體材料材料可以是P型
    發(fā)表于 05-10 22:32

    半導(dǎo)體材料電磁特性測(cè)試方法

    從鍺晶體管到 5G 芯片,半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:33 ?1277次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b>電磁<b class='flag-5'>特性</b>測(cè)試方法

    半導(dǎo)體封裝材料革命:從基桎梏到多元破局

    =電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 黃山明)當(dāng)晶體管微縮逐漸逼近物理極限,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新重心正悄然從芯片內(nèi)部轉(zhuǎn)移至芯片外部。作為芯片性能的 “第二戰(zhàn)場(chǎng)”,封裝材料領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)從依賴
    的頭像 發(fā)表于 04-18 00:02 ?2948次閱讀

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 和硅片制備 第5章 半導(dǎo)
    發(fā)表于 04-15 13:52

    半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

    半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影,更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見證。從第一代材料到第四代超寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 04-10 15:58 ?2769次閱讀

    有機(jī)半導(dǎo)體材料及電子器件電性能測(cè)試方案

    有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料,1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來,有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機(jī)物作為
    的頭像 發(fā)表于 04-09 15:51 ?1113次閱讀
    有機(jī)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b>及電子器件電性能測(cè)試方案

    石墨烯成為新一代半導(dǎo)體理想材料

    【DT半導(dǎo)體】獲悉,隨著人工智能(AI)技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長(zhǎng),同時(shí)人們對(duì)降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍,替代傳統(tǒng)的新型
    的頭像 發(fā)表于 03-08 10:53 ?1222次閱讀

    為什么采用多晶作為柵極材料

    本文解釋了為什么采用多晶作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要
    的頭像 發(fā)表于 02-08 11:22 ?1344次閱讀
    為什么采用多晶<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>作為</b>柵極<b class='flag-5'>材料</b>

    碳化硅與傳統(tǒng)材料的比較

    半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:13 ?2641次閱讀