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GaN材料MOSFET管測試對高帶寬高壓差分探頭要求

PRBTEK ? 來源:PRBTEK ? 作者:PRBTEK ? 2022-08-05 13:45 ? 次閱讀
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GaN材料主要應(yīng)用于偏低壓應(yīng)用例如800V以下的應(yīng)用,像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強(qiáng)性高電子遷移率異質(zhì)節(jié)晶體管(HEMT)和600V HEMT混合串聯(lián)開關(guān)。當(dāng)然現(xiàn)在也有800V以上的一些應(yīng)用也是用GaN材料的。在這些應(yīng)用中需要選用高壓差分探頭進(jìn)行測試。

SiC材料測試中高溫測試需求增多,需要寬溫度范圍的探頭。

SiC材料主要偏向高壓的應(yīng)用。因其具有承受高溫(300℃左右溫度是沒有問題的)的特點主要應(yīng)用場景是在汽車和光伏逆變器等領(lǐng)域。這些器件的應(yīng)用會對整個電源系統(tǒng)有很大的改進(jìn)。

綜上所訴,針對寬禁帶材料功率器件的測試,我們需要的是包括示波器、示波器探頭以及測試軟件的一套完整的測試系統(tǒng)。其中,對示波器探頭的具體要求如下:

01電氣性能符合要求-帶寬、輸入電壓范圍(單端還是差分)、低噪聲、高輸入阻抗以及高共模抑制比;

02探頭前端滿足規(guī)范要求;

03探頭易用性;

04探頭有沒有過載保護(hù);

05溫度范圍滿足規(guī)范要求,例如汽車測試需要在85℃左右;

06高共模抑制比,防止共模信號對輸出有影響;

對于電源工程師來說,除了器件本身的測試之外,更關(guān)注器件在電路板中的性能,例如器件在工作過程中Vds電壓以及損耗。器件損耗的原因主要有兩個方面:(1)耐壓擊穿;(2)損耗。在測試過程中需要注意的幾個問題是:

器件損耗測試注意的問題

除了以上提到的問題,浮地測量時地的選取以及不能和損耗&SOA同時測試也是需要我們注意的問題。

以上就是測試GaN材料MOSFET管對高帶寬高壓差分探頭要求的相關(guān)介紹,如您使用中還有其他問題,歡迎登錄西安普科電子科技。

審核編輯:湯梓紅

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