一、圖賞：極能超頻的技嘉AORUS RGB DDR5-6000內(nèi)存

初代DDR5內(nèi)存挺讓人失望的，雖然頻率4800MHz起步，遠(yuǎn)高于DDR4內(nèi)存，但是過高的延遲嚴(yán)重影響了游戲性能，幀率甚至比不過超低時(shí)序、超低延遲的DDR4 3600MHz內(nèi)存。

其實(shí)初代DDR4 2133MHz內(nèi)存也是差不多的情況，但如今絕不會(huì)有人認(rèn)為高頻DDR4內(nèi)存的游戲性能不如DDR3，關(guān)鍵在于繼續(xù)提升頻率，同時(shí)盡量控制時(shí)序延遲。

技嘉前不久推出了AORUS RGB DDR5-6000內(nèi)存，號(hào)稱擁有超強(qiáng)的超頻能力。在此前的超頻大會(huì)上，這款內(nèi)存曾一舉突破10GHz的頻率，破了當(dāng)時(shí)內(nèi)存超頻世界記錄。

我們收到的是AORUS RGB DDR5-6000 16GBx2套裝，它采用了SK海力士M-Die DDR5 DRAM IC，時(shí)序40-40-40-76 CR2，默認(rèn)電壓1.35V，單條容量16GB。

包裝盒。

技嘉AORUS RGB DDR5-6000內(nèi)存披著非常厚重的銅鋁合金黑色馬甲，頂部是RGB導(dǎo)光柱。

內(nèi)存的高度約為40mm，可以兼容大部分高端風(fēng)冷。

背面與正面幾乎完全相同，不同的是，多了一張貼紙。

貼紙上有條形碼、產(chǎn)品序列號(hào)，以及內(nèi)存的規(guī)格等信息。

感受一下散熱片的厚度。

拆下來的導(dǎo)光柱、散熱片和PCB板。

散熱片。

正面有8顆海力士的DDR5 DRAM IC。

SK海力士M-Die顆粒。

另一面是空的，但是有8粒光珠。

PMIC集成式電源管理芯片。

二、性能測(cè)試：默壓可超6600MHz 加壓能到6800MHz 延遲逼近DDR4

測(cè)試平臺(tái)如下：

1、帶寬與延遲測(cè)試

這是在BIOS全默認(rèn)的情況下測(cè)得的數(shù)據(jù)，此時(shí)內(nèi)存頻率為4800MHz，時(shí)序?yàn)?0-40-40-76 CR2，內(nèi)存的讀取、寫入和復(fù)制帶寬分別為：75304MB/s、69048MB/S、68516MB/s。而內(nèi)存的延遲則為81.7ns。

直接在BIOS開啟XMP模式，讓AORUS RGB DDR5-6000內(nèi)存運(yùn)行在6000MHz頻率，時(shí)序依然是40-40-40-76 CR2，默認(rèn)電壓1.35V。

此時(shí)的內(nèi)存的讀取、寫入和復(fù)制帶寬分別為：94110MB/s、82992MB/S、83897MB/s，延遲大幅度降到了66ns。

嘗試著超頻，在1.35V電壓下，頻率調(diào)到6600MHz，時(shí)序40-40-40-76 CR2不變。

此時(shí)內(nèi)存讀取、寫入和復(fù)制帶寬分別為：100744B/s、90047MB/S、91311MB/s，內(nèi)存延遲降到了62.4ns。

加壓超頻，保持40-40-40-76 CR2時(shí)序不變，將頻率拉到6800MHz時(shí)，1.4V的電壓可以進(jìn)入系統(tǒng)，進(jìn)行大部分測(cè)試，不過無法進(jìn)行穩(wěn)定性測(cè)試時(shí)會(huì)報(bào)錯(cuò)，最后加到1.435V終于穩(wěn)定。

稍微優(yōu)化了一下小參，雖然帶寬成功突破100GB/s，達(dá)到了104GB/s，可惜延遲沒有進(jìn)入50ns，不過60.3ns的延遲已經(jīng)與DDR4 3200MHz C18相當(dāng)了，但是帶寬卻提升了一倍不止。

2、孤島驚魂5

4800MHz頻率下，《孤島驚魂5》的幀率為188FPS。

6000MHz時(shí)，幀率為207FPS，提升了10％。

超頻到6800MHz，游戲幀率達(dá)到了216FPS，比默頻高出足足15％。

3、古墓麗影：暗影

4800MHz頻率下，幀率為224FPS。

6000MHz頻率下，幀率提升到了235FPS，幅度為5％。

超頻到6800MHz之后，幀率進(jìn)一步提升到了243FPS，比默頻高了接近9％。

4、穩(wěn)定性測(cè)試

1.435V，6800MHz頻率、時(shí)序40-40-40-76 CR2，使用MemtestPro 4.3測(cè)試超頻后的穩(wěn)定性，總計(jì)測(cè)試了44分鐘，進(jìn)度114%，0錯(cuò)誤。

三、總結(jié)：高頻DDR5才是未來

初代DDR5 4800MHz內(nèi)存延遲高達(dá)80ns，而好一點(diǎn)的DDR4 3600MHz延遲僅有50ns。過高的延遲完全抵消了DDR5內(nèi)存高頻高帶寬的優(yōu)勢(shì)，導(dǎo)致其游戲性能依舊停留在DDR4的水準(zhǔn)。

技嘉AORUS RGB DDR5-6000內(nèi)存可以說是DDR5市場(chǎng)的一劑強(qiáng)心針！搭載i9-12900K處理器時(shí)，其在默認(rèn)頻率下時(shí)序就降到樂66ns，此時(shí)的游戲性能就能全面超越DDR4 3600MHz。

當(dāng)然，6000MHz的頻率其實(shí)是相當(dāng)保守的，我們?cè)谀J(rèn)電壓下就能將其超頻到6600MHz，并且時(shí)序維持不變，此時(shí)它的延遲降到了62.4ns。

將電壓小幅加到1.435V，此時(shí)可以穩(wěn)定超頻到6800MHz，并通過穩(wěn)定性測(cè)試。

在6800MHz頻率下，這款A(yù)ORUS RGB DDR5內(nèi)存的延遲僅有60.3ns，已經(jīng)非常接近DDR4內(nèi)存，而此時(shí)它的帶寬達(dá)到了恐怖了104GB/s，幾乎是DDR4內(nèi)存的2倍。

如此恐怖的延遲和帶寬，也讓游戲性能有了非常明顯的提升。

根據(jù)我們的游戲測(cè)試，在6800MHz頻率下，相比4800MHz，《孤島驚魂5》的幀率提升了15%，《古墓麗影：暗影》的幀率提升了9%。

此時(shí)的游戲性能已遠(yuǎn)非DDR4能比。

可以想象，未來隨著更高頻率的DDR5內(nèi)存逐步面世，延遲相比現(xiàn)在還會(huì)進(jìn)一步降低，而其游戲性能也會(huì)與DDR4拉開更大的差距。

DDR4的時(shí)代終將落幕！

審核編輯 ：李倩