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基于BTO鈦酸鋇的硅光集成調(diào)制器設(shè)計簡介

工程師鄧生 ? 來源:光通信女人 ? 作者:匡國華 ? 2022-09-13 11:30 ? 次閱讀
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對光通信也好,對激光雷達(dá)也好,期待相移尺寸越小越好,來滿足更高集成度的需求,尤其是激光雷達(dá)對于集成度提高的迫切程度,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于光通信這個領(lǐng)域。

也就有了各種新的電光材料的產(chǎn)業(yè)化探索,昨天寫了基于TCO的材料,在Y8T247寫了相變材料。今天寫一下BTO鈦酸鋇

BTO,BaTiO3,鈦酸鋇,這個材料的一階電光系數(shù)非常高,923pm/V,是鈮酸鋰的30倍。而硅沒有直接電光效應(yīng),是采用載流子濃度變化作為間接控制折射率的一種技術(shù)路線。

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材料電光系數(shù)為什么用[長度/電壓]做單位,原因?qū)懺?022合集上第97-99頁。

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如果用鈦酸鋇做電光調(diào)制器,不僅比硅要好很多,甚至比鈮酸鋰都好太多太多了,那產(chǎn)業(yè)界沒有用起來一定有些原因的。

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鈦酸鋇產(chǎn)業(yè)受限的原因之一:居里溫度點太低

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什么叫居里溫度點?

居里點(Curie point),也叫居里溫度點(Curie temperature point,Tc)或磁性轉(zhuǎn)變點。是指磁性材料中自發(fā)磁化強(qiáng)度降到零時的溫度,是鐵磁性或亞鐵磁性物質(zhì)轉(zhuǎn)變成順磁性物質(zhì)的臨界點。

我們寫光模塊的隔離器時說過這個參數(shù),因為隔離器的法拉第片用的是磁致旋光作用,如果磁性消失,意味著隔離器就失效了。

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鈦酸鋇對居里溫度點這么關(guān)注,是材料磁性消失的根本原因在于“相變”,材料的結(jié)構(gòu)變了。

鈦酸鋇的居里點是125℃,高于這個溫度,鈦酸鋇晶體就成了對稱晶體,沒有電光效應(yīng)了,硅就是對稱晶體,所以就沒有直接電光效應(yīng)。低于這個點,鈦酸鋇是非對稱的“斜”晶,就能用作調(diào)制器。

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對比一下,

鈮酸鋰的居里點,>1000℃,在我們做光模塊也好,在做激光雷達(dá)也好,基本上正常應(yīng)用就不會導(dǎo)致鈮酸鋰結(jié)構(gòu)改變。

鈦酸鋇的居里點,125℃,很容易就觸碰到這個溫度了呀,從材料到芯片到組裝成光模塊,這一整套多個環(huán)節(jié)的工藝,外延、退火、鍵合、燒結(jié)、固化、焊接.....,誰也不敢說全部控制在小于125℃

有兩個彌補(bǔ)路徑,一個是通過應(yīng)變,略提高一下鈦酸鋇的居里點,比如提高到兩三百度,確實很難,其次是避讓高溫工藝,確實也很難。

接著聊鈦酸鋇的其他劣勢,

做鈦酸鋇陶瓷很容易,多晶也很容易,但制造高品質(zhì)的單晶就很難。

很多科學(xué)家制作的鈦酸鋇單晶,與硅光目前的主流工藝不兼容,這也是產(chǎn)業(yè)瓶頸。

今年,一個做硅基鈦酸鋇的廠家,說他們解決了硅基鈦酸鋇的工藝,但拒絕透露細(xì)節(jié)。

盲猜一下吧,這個公司的人是從IBM出來的,IBM在2019、2020年的OFC,都介紹了他們鈦酸鋇的工藝流程。

我梳理一下,IBM用了異質(zhì)外延鍵合工藝,現(xiàn)在SOI的硅基wafer上用MBE沉積170nm后的鈦酸鋇層,之后沉積氧化鋁層,用于晶圓鍵合。

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早期的硅光和硅基鈦酸鋇的鍵合層,高度差異很大,后期則逐步優(yōu)化降低高度。

探測器用的是鍺,調(diào)制器用鈦酸鋇,先在另一個晶圓上制作硅波導(dǎo)、探測器等工藝,之后做電極。

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硅光集成工藝不同高度的區(qū)別在于工藝溫度,是先做高溫工藝,再慢慢的做低溫工藝,避免后續(xù)的制作過程溫度太高影響前邊已經(jīng)做好的結(jié)構(gòu)外形以及性能。

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把高溫工藝做完后,再鍵合硅基鈦酸鋇晶圓,之后去除襯底,留下鈦酸鋇。

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看上圖,左下是硅基鍺探測器,右上是硅基鈦酸鋇調(diào)制器,他們二者還互相掣肘。

要形成鈦酸鋇的高質(zhì)量單晶,需要退火,而這個退火過程是會影響鍺的單晶狀態(tài)。

鈦酸鋇和鍺,他們都是“溫度”敏感材料。

IBM對鈦酸鋇工藝溫度不斷優(yōu)化,是他們的重點,如果工藝溫度點能提高到350℃左右,就能降低高度,實現(xiàn)我們所理解的硅基鈦酸鋇高效率的調(diào)制器。

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小結(jié)一下:

硅沒有直接電光效應(yīng),MZ調(diào)制器的VπL大約在2V.cm,MR微環(huán)調(diào)制器的VπL大約在0.5V.cm

昨天聊的TCO調(diào)制器的VπL大約在0.05V.cm

今天聊的BTO調(diào)制器VπL大約在0.2V.cm

鈦酸鋇的優(yōu)缺點

優(yōu)點:直接電光系數(shù)非常高,適合電光調(diào)制器的小型化

劣勢:居里溫度太低,單晶質(zhì)量不好控制,與硅光集成的工藝平臺不兼容等。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:Y8T255 基于BTO鈦酸鋇的硅光集成調(diào)制器

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