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面向微納器件制造的微導(dǎo)ALD和PEALD技術(shù)

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源: 半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者: 半導(dǎo)體芯科技Si ? 2022-09-26 18:06 ? 次閱讀
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江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司,是一家面向全球的高端設(shè)備制造商,專注于先進(jìn)薄膜沉積裝備的開發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和服務(wù)。微導(dǎo)的業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、新能源、柔性電子和納米技術(shù)等工業(yè)領(lǐng)域。公司以原子層沉積技術(shù)為核心,致力于先進(jìn)微、納米級(jí)薄膜沉積技術(shù)和設(shè)備的研究與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,為光伏、集成電路、柔性電子等半導(dǎo)體與泛半導(dǎo)體行業(yè)提供高端裝備與技術(shù)解決方案。

隨著對(duì)微處理器和存儲(chǔ)器的計(jì)算速度和功率需求的持續(xù)增加,同時(shí)又降低其功耗和尺寸,使得半導(dǎo)體器件制造經(jīng)受著越來越大的挑戰(zhàn)。特別是在“后摩爾定律”時(shí)代,納米級(jí)器件結(jié)構(gòu)需要薄膜的沉積和去除精確控制在原子層級(jí)別。原子層沉積(ALD)技術(shù)已經(jīng)衍變成為下一代新型器件制造戰(zhàn)略中的關(guān)鍵技術(shù),并使摩爾定律得以進(jìn)一步延伸。

微導(dǎo)的原子層沉積(ALD)、等離子體原子層沉積(PEALD)技術(shù)是原子級(jí)薄膜沉積解決方案的關(guān)鍵技術(shù),可廣泛用于晶體管、存儲(chǔ)器、圖案化、金屬互連和3D封裝等應(yīng)用。

微導(dǎo)的龍系列團(tuán)簇平臺(tái)由多個(gè)工藝腔與市場(chǎng)先進(jìn)的商業(yè)晶圓自動(dòng)化系統(tǒng)集群而成,為尖端半導(dǎo)體制造提供原子級(jí)薄膜沉積工藝完整的解決方案。

微導(dǎo)龍系列高級(jí)ALD薄膜沉積系統(tǒng)專用于200mm、300mm和450mm晶圓工藝的單片量產(chǎn)ALD鍍膜設(shè)備。具有熱ALD、等離子體ALD和原子層蝕刻等多種型號(hào),與主流商業(yè)自動(dòng)化團(tuán)簇平臺(tái)集群。自有專利設(shè)計(jì)的反應(yīng)器可以沉積多種材料,并確保極限保形和均勻的ALD薄膜沉積。產(chǎn)品具有高度薄膜均勻度、高產(chǎn)能、高可靠性以及高性價(jià)比等特點(diǎn),各項(xiàng)性能指標(biāo)均超出同類國(guó)產(chǎn)化設(shè)備,達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

微導(dǎo)近期喜獲多臺(tái)訂單,微導(dǎo)總經(jīng)理周仁表示:微導(dǎo)自主研發(fā)的此類產(chǎn)業(yè)化設(shè)備完全滿足先進(jìn)制程對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備性能的嚴(yán)格要求,適用于28nm乃至更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的制程工藝設(shè)備,助力客戶在制程技術(shù)要求日趨復(fù)雜的背景下從容應(yīng)對(duì)行業(yè)挑戰(zhàn),同時(shí)也打破了客戶因國(guó)外設(shè)備壟斷而導(dǎo)致的發(fā)展瓶頸,進(jìn)而有力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備的多元化和產(chǎn)業(yè)化健康發(fā)展。

審核編輯 黃昊宇

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