承上啟下的寬禁帶半導(dǎo)體材料

GaN 材料與 Si/SiC 相比有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 與 SiC 同屬于第三代寬禁帶 半導(dǎo)體材料，相較于已經(jīng)發(fā)展十多年的 SiC，GaN 功率器件是后進(jìn)者， 它擁有類似 SiC 性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶材料，但擁有更大的成本控制潛力。 與傳統(tǒng) Si 材料相比，基于 GaN 材料制備的功率器件擁有更高的功率密 度輸出，以及更高的能量轉(zhuǎn)換效率，并可以使系統(tǒng)小型化、輕量化，有效降低電力電子裝置的體積和重量，從而極大降低系統(tǒng)制作及生產(chǎn)成本。

GaN 是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為 1700℃， GaN 具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5 或 0.43）。 在大氣壓力下，GaN 晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。

GaN 器件逐步步入成熟階段。基于 GaN 的 LED 自上世紀(jì) 90 年代開始大放異彩，目前已是 LED 的主流，自 20 世紀(jì)初以來，GaN 功率器件已 經(jīng)逐步商業(yè)化。2010 年，第一個(gè) GaN 功率器件由 IR 投入市場(chǎng)，2014 年以后，600V GaN HEMT 已經(jīng)成為 GaN 器件主流。2014 年，行業(yè)首 次在 8 英寸 SiC 上生長(zhǎng) GaN 器件。

隨著成本降低，GaN 市場(chǎng)空間持續(xù)放大。GaN 與 SiC、Si 材料各有其 優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，但是也有重疊的地方。GaN 材料電子飽和漂移速率最高，適 合高頻率應(yīng)用場(chǎng)景，但是在高壓高功率場(chǎng)景不如 SiC；隨著成本的下降， GaN 有望在中低功率領(lǐng)域替代二極管、IGBT、MOSFET 等硅基功率器 件。以電壓來分，0~300V 是 Si 材料占據(jù)優(yōu)勢(shì)，600V 以上是 SiC 占據(jù) 優(yōu)勢(shì)，300V~600V 之間則是 GaN 材料的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。根據(jù) Yole 估計(jì)，在 0~900V 的低壓市場(chǎng)，GaN 都有較大的應(yīng)用潛力，這一塊占據(jù)整個(gè)功率 市場(chǎng)約 68%的比重，按照整體市場(chǎng) 154 億元來看，GaN 潛在市場(chǎng)超 過 100 億美元。

GaN 是 5G 應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。5G 將帶來半導(dǎo)體材料革命性的變化，隨著通訊頻段向高頻遷移，基站和通信設(shè)備需要支持高頻性能的射頻器件，GaN 的優(yōu)勢(shì)將逐步凸顯，這正是前一節(jié)討論的地方。正是這一優(yōu)勢(shì)，使得 GaN 成為 5G 的關(guān)鍵技術(shù)。

在 Massive MIMO 應(yīng)用中，基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量（如 32/64 等） 的陣列天線來實(shí)現(xiàn)了更大的無線數(shù)據(jù)流量和連接可靠性，這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套，因此器件的數(shù)量將大為增加，使得 器件的尺寸大小很關(guān)鍵，利用 GaN 的尺寸小、效率高和功率密度大的特 點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。除了基站射頻收 發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數(shù)量大為增加，基站密度和基站數(shù)量也會(huì) 大為增加，因此相比 3G、4G 時(shí)代，5G 時(shí)代的射頻器件將會(huì)以幾十倍、 甚至上百倍的數(shù)量增加。在 5G 毫米波應(yīng)用上，GaN 的高功率密度特性 在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體，方案的尺寸。

審核編輯：湯梓紅