濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物（也稱為 HNA 腐蝕劑）；對(duì)硅的刻蝕速率和對(duì)掩模材料的刻蝕選擇性可通過各組分比例的不同來調(diào)節(jié)。目前，各向同性濕法刻蝕的實(shí)際應(yīng)用較少。

硅的各向異性（Anisotropic）濕法刻蝕技術(shù)已成功用于多種 MEMS 產(chǎn)品中，如硅壓力傳感器、加速度計(jì)、MEMS 傳聲器等。硅的各向異性腐蝕主要是利用各個(gè)硅晶體面腐蝕速率不同而實(shí)現(xiàn)的。利用這種特性，可以在硅襯底上加工出多種多樣的結(jié)構(gòu)，如凹槽（可應(yīng)用于壓力傳感器的腔體等）、金字塔結(jié)構(gòu)（可應(yīng)用手原子力顯微鏡探針等）或懸浮結(jié)構(gòu)（可應(yīng)用于加速度計(jì)的懸臂梁等）等。

在各向異性濕法刻蝕中，隨著腐蝕時(shí)間的推移，快速腐蝕面將消失，僅留下低速腐蝕面，此時(shí)腐蝕腔體的形狀幾乎不再變化，但其尺寸會(huì)隨著慢速腐蝕面的腐蝕而略有增大，這時(shí)獲得的腔體稱為自限制圖形。

對(duì)于 「100」 硅襯底，預(yù)測(cè)任-意掩模圖案的自限制圖形腐蝕窗口的方法為：1.確定掩模圖案上沿《110》晶向的上下左右4個(gè)方向上的最上點(diǎn)、最下點(diǎn)、最左點(diǎn)和最右點(diǎn); 2.過這4個(gè)點(diǎn)做平行于《110》晶向的4 條直線; 3.這4條直線圍成的區(qū)域即為自穩(wěn)定圖形的窗口形貌；4.腐蝕的深度由硅片厚度，有無自停止層和窗口尺寸共同決定。

在某些加工中，往往需要避免出現(xiàn)凸角刻蝕。例如，當(dāng)需要的一個(gè)矩形凸臺(tái)時(shí)，凸角腐蝕將導(dǎo)致矩形的4個(gè)角嚴(yán)重失真。此時(shí)，就需要利用凸角補(bǔ)償方法來完成腐蝕。常見的凸角補(bǔ)償主要是在掩模版設(shè)計(jì)時(shí)，在凸角處增加圖形，完成對(duì)凸角的保護(hù)，補(bǔ)償圖形的尺寸與形狀隨腐蝕深度與腐蝕液種類的不同而調(diào)節(jié)，通過控制補(bǔ)償圖形，可以得到非常理想的凸角結(jié)構(gòu)。